Продукція > BUK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK7Y25-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y25-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 34A LFPAK56 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y25-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y25-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y25-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y25-80E/GF115 | NXP USA Inc. | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1415 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y25-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 39A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y25-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 39A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y25-80EX | Nexperia | MOSFETs N-channel 80 V, 25 mohm standard level MOSFET in LFPAK56 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y28-75B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 75V 35.5A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y28-75B,115 | Nexperia | MOSFETs SOT669 N-CH 75V 35.5A | на замовлення 1341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y28-75B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 35.5A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y28-75B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 75V 35.5A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y28-75B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 35.5A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y29-40EX | Nexperia | MOSFETs SOT669 N-CH 40V 26A | на замовлення 1952 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y29-40EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 26A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y29-40EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 26A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y2R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 25500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y2R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y2R0-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y2R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00153 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 120 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 217 Bauform - Transistor: SOT-669 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00153 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y2R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 19500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y2R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 46500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y2R0-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5450 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y2R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1477500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y2R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y2R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y2R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y2R0-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y2R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00153 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 120 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 217 Bauform - Transistor: SOT-669 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00153 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y2R0-40HX | Nexperia | MOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y2R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1477500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y2R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y2R0-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5450 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y2R5-40H,115 | Nexperia USA Inc. | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 476 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y2R5-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y2R5-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y2R5-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y2R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2130 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 190W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2130µohm | на замовлення 3753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y2R5-40HX | Nexperia | MOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y2R5-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y2R5-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y2R5-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y2R5-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y2R5-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y2R5-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y2R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2130 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 190W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2130µohm | на замовлення 3753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y2R5-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y35-55B,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 28.43A LFPAK56 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 781 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.43A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y38-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y38-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y38-100EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y38-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0245 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 95W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0245ohm | на замовлення 719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y38-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y38-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y38-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 116900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y38-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y38-100EX | Nexperia | MOSFETs SOT669 100V 30A | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y38-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R0-40EX | NXP Semiconductors | Description: MOSFET N-CH 40V LFPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y3R0-40EX | Nexperia | MOSFET BUK7Y3R0-40E/LFPAK/REEL 7" Q1/ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y3R0-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y3R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2550 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 172W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm | на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 19500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | MOSFETs SOT669 N CHAN 40V | на замовлення 867 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 19500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5449 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): +20V, -10V Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Power Dissipation (Max): 172W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 3050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R0-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y3R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2550 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 172W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm | на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 172W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5449 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y3R1-80MX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y3R1-80MX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 3100 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 254W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerSO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm | на замовлення 1174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R1-80MX | Nexperia USA Inc. | Description: BUK7Y3R1-80M/SOT669/LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6986 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R1-80MX | Nexperia | MOSFETs BUK7Y3R1-80M/SOT669/LFPAK | на замовлення 719 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R1-80MX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y3R1-80MX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 3100 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 254W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm | на замовлення 1174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R1-80MX | Nexperia USA Inc. | Description: BUK7Y3R1-80M/SOT669/LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6986 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y3R5-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2500 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3583 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 16500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 250500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia | MOSFETs BUK7Y3R5-40E/SOT669/LFPAK | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40E,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 622A; 167W Polarisation: unipolar Gate charge: 49.4nC On-state resistance: 3.5mΩ Drain current: 100A Power dissipation: 167W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 622A Application: automotive industry Drain-source voltage: 40V Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y3R5-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2500 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 34500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3583 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 17659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40H,115 | Nexperia USA Inc. | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y3R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0029 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. |

