Продукція > STD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STD2N95K5STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD2N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 4.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 100 V
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.57 грн
10+86.38 грн
50+65.18 грн
100+54.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+67.93 грн
219+64.73 грн
246+57.77 грн
256+53.54 грн
500+49.46 грн
1000+44.25 грн
2000+42.42 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.36 грн
14+57.50 грн
25+56.93 грн
100+54.40 грн
250+49.92 грн
500+47.49 грн
1000+47.05 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD2N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 4.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NA40T4STM07+ TO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NA50ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NA50-T4
на замовлення 58700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NA50T4STMTO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NA60ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NA60-1STTO-251
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NA60T4STM07+ TO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NB25STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NB25ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NB25-1STMicroelectronicsMOSFET N-CH 250V 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NB25T4
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NB25T4STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NB40ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NB40-1
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NB50ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NB50-1STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NB50-1ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NB50T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 1.0Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NB50T4
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NB52
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NB60
Код товару: 114645
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NB60STMSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NB60-1STTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NB60T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 2 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NB60T4STTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NB80STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800 Volt 1.9Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NB80ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NB80STMMOSFET N-Ch 800 Volt 1.9Amp, TO-252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NB80-1STTO-251
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NB80-1STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800 Volt 1.9Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NB80-T4STTO252 04+
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NB801ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NB80T4STSOT252
на замовлення 525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NB80T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800 Volt 1.9Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NC40ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NC40-1STTO-252/D-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NC45ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NC45-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 450V 1.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.82 грн
75+50.51 грн
150+45.21 грн
525+35.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NC45-1STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 450V-4.1ohms 1.5A
на замовлення 5329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NC45-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 450V 1.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 6487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NC45-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 450V 1.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 6487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
419+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 419 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NC45T4
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NC50ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NC50-1STTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NC60ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NC60STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NC60-1
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NC60-1STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NC60T4
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NC60T4STMicroelectronicsMOSFET MOS 600V 3.6OHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NC70ZST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NC70Z-1STTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NE06STTO-252
на замовлення 444 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NF25-1
на замовлення 4125 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NF60
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK100ZSTMicroelectronicsSTD2NK100Z STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+101.83 грн
5000+98.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK100ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 499 pF @ 25 V
на замовлення 2621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.19 грн
10+154.06 грн
50+118.46 грн
100+100.41 грн
500+81.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK100ZSTMicroelectronicsSTD2NK100Z STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.71 грн
5000+53.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK100ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD2NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.85 A, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK100ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Channel 1000V Zener SuperMESH
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK100ZSTMicroelectronicsSTD2NK100Z STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+101.83 грн
5000+98.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK100ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 499 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+76.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK100ZSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1.16A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.16A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 372 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+139.60 грн
10+87.58 грн
75+68.89 грн
100+66.89 грн
250+61.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK100ZSTMicroelectronicsSTD2NK100Z STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.03 грн
5000+53.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK100Z (транзистор польовий N-канальний)
Код товару: 43738
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK100Z/BKNSTMicroelectronicsDescription: STD2NK100Z/BKN
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK50
на замовлення 424 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK60ZST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK60Z-1STMN-CH 600V 1.4A 8 Om с защитой IPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK60Z-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK60Z-1ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK60ZT4
на замовлення 49000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK70-1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK70ZST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK70Z-1STSOT-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK70Z-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 700V 1.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK70ZT4STTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK70ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 700V 1.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK70ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 700V 1.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90ZST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90Z-1STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD2NK90Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.05 A, 5 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.05A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90Z-1STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 900V-5ohms Zener SuperMESH 2.1A
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+75.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 5475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.25 грн
5025+75.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90Z-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 2.1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.38 грн
10+120.26 грн
75+86.14 грн
150+73.04 грн
525+61.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.14 грн
5000+50.85 грн
10000+49.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90ZT4STMMOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.3A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.34 грн
10+98.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.