Продукція > STP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 44 55 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP40NF10STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.97 грн
10+91.22 грн
100+82.02 грн
500+63.30 грн
1000+51.66 грн
2000+43.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP40NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.025 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10
Код товару: 101793
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10STN-MOSFET 40A 100V 150W 0.024Ω STP40NF10 TSTP40NF10
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+47.70 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.25 грн
50+68.06 грн
100+60.94 грн
500+45.44 грн
1000+41.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+91.01 грн
172+81.84 грн
500+65.50 грн
1000+55.67 грн
2000+45.59 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 50 Amp
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 35A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: STripFET™ II
Drain current: 35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+136.59 грн
5+99.65 грн
10+85.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+59.35 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10-07
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10C
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±17V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.07 грн
50+109.35 грн
100+98.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+259.94 грн
111+127.45 грн
123+114.56 грн
500+88.66 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10LSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 40 Amp
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.49 грн
50+54.93 грн
100+54.59 грн
500+50.32 грн
1000+45.02 грн
2000+42.40 грн
5000+41.95 грн
10000+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10LSTMN-channel 100V - 0.028. - 40A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
507+59.64 грн
Мінімальне замовлення: 507 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10LSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 100V; 25A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: STripFET™
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±17V
On-state resistance: 36mΩ
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+172.06 грн
5+122.71 грн
10+106.24 грн
50+76.59 грн
100+67.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 507 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10LSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP40NF10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10LSTTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 17V; 36mOhm; 40A; 150W; -65°C ~ 175°C; STP40NF10L TSTP40NF10L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+48.34 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+55.37 грн
257+54.82 грн
258+54.46 грн
500+50.21 грн
1000+44.91 грн
2000+42.31 грн
5000+41.86 грн
10000+41.68 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10L
Код товару: 101831
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10LS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF12STN-MOSFET; 120V; 20V; 32mOhm; 40A; 150W; -55°C ~ 175°C; STP40NF12 TSTP40NF12
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+54.24 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF12STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 120V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF12STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 120 Volt 40 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF20STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 25A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: STripFET™
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+230.60 грн
10+181.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF20STMMOSFET N-CH 200V 40A TO220AB Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+660.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.72 грн
50+138.06 грн
100+125.11 грн
500+96.12 грн
1000+89.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
697+138.34 грн
Мінімальне замовлення: 697 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF20STMicroelectronicsMOSFETs Low charge STripFET
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF20STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP40NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20 A, 0.038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 697 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NP10L
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NS15
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NS15STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 150V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NS15STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP410N4F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 180A TO220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP410N4F7AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 180 A STripFET F7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP411B-320-ESeiko Printers MECH 112MM 320 DOT W/O CABLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP411G-320-ESeiko PrintersPrinters 153X44.5X20 320 DOTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP411G-320-E
Код товару: 174458
Додати до обраних Обраний товар
Інструмент та прилади > Побутова електроніка
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP420F
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4220BGA
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4228100SolaHDIndustrial Surge Protectors 1260W 28V AT 45A MAX 1P PS IECEX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP423S
на замовлення 708 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4257
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP42N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP42N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+263.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP42N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+263.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP42N60M2-EPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP42N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP42N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 100 V
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+471.84 грн
50+243.80 грн
100+223.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP42N65DM5STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP42N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP42N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+527.55 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP42N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+425.68 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP42N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650 Volt 33 Amp
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP42N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 100 V
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+696.61 грн
50+374.21 грн
100+345.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP42N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+529.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP42N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+670.52 грн
5+587.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP42N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+992.80 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP42N65M5STMMOSFET N-CH 650V 33A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4310
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4349
на замовлення 7550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP43N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP43N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+431.82 грн
50+219.49 грн
100+200.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP43N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP43N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP43N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP43N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+367.15 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP43N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N10STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N10
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP45N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0145 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N10F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 100 V 0 013 Ohm typ 45 A
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 45A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 50 V
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.55 грн
50+64.40 грн
100+57.63 грн
500+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N10FI
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N40DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+311.34 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N40DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 38A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+535.73 грн
50+278.86 грн
100+256.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N40DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N40DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 38A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+310.95 грн
2000+307.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N40DM2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP45N40DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 38 A, 0.063 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
на замовлення 3603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N40DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
на замовлення 4706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N40DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 38A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+793.77 грн
23+613.47 грн
50+443.71 грн
100+395.13 грн
200+357.50 грн
500+336.17 грн
1000+301.05 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N60DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N60DM2AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+353.00 грн
10+294.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N60DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N60DM6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 95A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+446.13 грн
10+309.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220-3
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 210W
Version: ESD
Drain current: 22A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N65M5
Код товару: 144919
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+790.72 грн
32+441.73 грн
50+417.68 грн
100+366.40 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 44 55 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]