Продукція > STP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP3NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.20 грн
10+102.50 грн
50+77.60 грн
100+65.30 грн
500+52.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+40.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK60ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; 45W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+155.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK60ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH
на замовлення 80 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+164.38 грн
10+92.27 грн
100+61.12 грн
500+48.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+63.93 грн
2000+60.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK60Z.STP3NK60ZFP
на замовлення 32670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK60ZFPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP3NK60ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.4 A, 3.6 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK60ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; 20W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+171.02 грн
10+95.12 грн
25+83.54 грн
50+76.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK60ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 600V-3.3ohms Zener SuperMESH 2.4A
на замовлення 626 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+175.04 грн
10+85.52 грн
100+65.88 грн
500+53.10 грн
1000+46.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK60ZFPSTTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP STP3NK60ZFP TSTP3NK60zfp
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.66 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK60ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.02 грн
10+109.95 грн
50+83.66 грн
100+70.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK60ZP
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK80ZSTMN-CHANNEL 800V - 3.8W - 2.5A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK80ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STP3NK80Z TSTP3NK80Z
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.15 грн
10+81.52 грн
100+76.37 грн
500+65.11 грн
1000+54.32 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+81.28 грн
188+76.14 грн
500+67.32 грн
1000+58.49 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.57 грн
10+110.92 грн
50+84.40 грн
100+71.19 грн
500+57.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK80ZSTMMOSFET N-CH 800V 2.5A TO220AB (Аналог BUZ80A) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK80ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP3NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
на замовлення 2511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+42.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK80ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 418 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+160.33 грн
5+100.08 грн
10+89.33 грн
25+77.75 грн
50+70.30 грн
100+64.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+42.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK80ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+175.04 грн
10+85.52 грн
100+67.19 грн
500+53.62 грн
1000+48.01 грн
2000+47.29 грн
5000+46.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK80Z
Код товару: 53546
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 800 В
Струм стоку Idd, А: 2,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 485/19
товару немає в наявності
1+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK80ZFPST10+ QFP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90
на замовлення 319 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZSTMN-Channel 900V 3A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.21 грн
10+124.39 грн
50+95.09 грн
100+80.38 грн
500+64.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.75 грн
10+93.00 грн
50+91.85 грн
100+83.50 грн
500+65.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP3NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 3 A, 4.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 90W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.1ohm
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+92.72 грн
156+91.58 грн
166+86.34 грн
500+70.13 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.89A; 90W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 357 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+191.51 грн
5+137.30 грн
10+119.10 грн
25+98.43 грн
50+86.02 грн
100+76.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 900 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 646 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+197.87 грн
10+96.77 грн
100+75.67 грн
500+63.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90Z
Код товару: 185207
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 4,8Ohm; 3A; 90W; -55°C ~ 150°C; STP3NK90Z TSTP3NK90Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.87 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+75.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+75.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.89A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+101.54 грн
6+72.29 грн
10+62.36 грн
50+44.75 грн
100+42.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 4.1 Ohm typ., 3 A SuperMESH Power MOSFET in TO-220FP package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZFP
Код товару: 114735
1 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Напруга сток-витік Uds, В: 900 В
Струм стоку Idd, А: 3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,8 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 590/22,7
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 124 шт
  • 75 шт - склад
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+24.00 грн
10+22.90 грн
100+21.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZFPSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 900, Id = 3 А, Ptot, Вт = 25, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 590 @ 25, Qg, нКл = 22,7 @ 10 В, Rds = 4,8 Ом @ 1,5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 50 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZFPSTTransistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 4,8Ohm; 3A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP3NK90ZFP TSTP3NK90ZFP
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.66 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 3A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.02 грн
10+98.56 грн
50+74.50 грн
100+62.62 грн
500+49.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZFPSTMN-Channel 900V 3A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZFPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP3NK90ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 3 A, 4.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.8ohm
на замовлення 1279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZFP(3N90)
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4-2-ZBPhoenix ContactUnspecified Connectors STP4-2-ZB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4000QFF
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4000QFP
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4000QPBQFP132
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP400N4F6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 120A STripFET VI DeepGATE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP400N4F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 377 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP400N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40102660STATICTECCategory: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD,MBB; L: 660mm; W: 102mm; Thk: 100um; 100pcs.
Quantity in set/package: 100pcs.
Material: metallized film bag
Version: ESD; MBB
Closing system: for welding
Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements
Length: 660mm
Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag
Thickness: 0.1mm
Width: 102mm
Features of antistatic elements: open
Type of antistatic accessories: protection bag
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2579.56 грн
5+2256.35 грн
10+2117.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP40152660STATICTECCategory: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD,MBB; L: 660mm; W: 152mm; Thk: 100um; 100pcs.
Quantity in set/package: 100pcs.
Material: metallized film bag
Version: ESD; MBB
Closing system: for welding
Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements
Length: 660mm
Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag
Thickness: 0.1mm
Width: 152mm
Features of antistatic elements: open
Type of antistatic accessories: protection bag
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3235.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP4020QFP
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40254660STATICTECCategory: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD,MBB; L: 660mm; W: 254mm; Thk: 100um; 100pcs.
Quantity in set/package: 100pcs.
Material: metallized film bag
Version: ESD; MBB
Closing system: for welding
Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements
Length: 660mm
Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag
Thickness: 0.1mm
Width: 254mm
Features of antistatic elements: open
Type of antistatic accessories: protection bag
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+5194.74 грн
5+4539.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP40406660STATICTECCategory: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD,MBB; L: 660mm; W: 406mm; Thk: 100um; 100pcs.
Length: 660mm
Material: metallized film bag
Version: ESD; MBB
Closing system: for welding
Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements
Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag
Thickness: 0.1mm
Width: 406mm
Features of antistatic elements: open
Type of antistatic accessories: protection bag
Quantity in set/package: 100pcs.
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+7170.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP4045CP
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4093PGA
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40FP10
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40L15CW
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40L40CT
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N03L
на замовлення 999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N03L-20
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N05
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N05FI
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N06
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N06FI
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N10
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N10FI
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N10L
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N20ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N20STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 200 Volt 40 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP40N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.088 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N60M2
Код товару: 171525
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 99mΩ
Pulsed drain current: 128A
Gate charge: 56.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 32A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NE03L
на замовлення 89000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NE03L MOS-N-FET 30V 40A 80W
Код товару: 74164
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 40 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,014 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1850/29
Монтаж: THT
на замовлення: 10 шт
  • 10 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+24.00 грн
10+22.00 грн
100+19.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NE03L-20
на замовлення 721 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF02L
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF03
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF03LSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP40NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.022 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.