Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF5801TR
Код товару: 29391
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 2,2Ohm; 600mA; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF5801 TIRF5801
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.45 грн
13+33.12 грн
15+29.08 грн
50+20.51 грн
100+17.57 грн
500+12.61 грн
1000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.08 грн
6000+13.59 грн
9000+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.81 грн
6000+13.33 грн
9000+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.95 грн
6000+13.47 грн
9000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2368+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 2368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.13 грн
11+28.06 грн
100+18.02 грн
500+12.84 грн
1000+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.01 грн
500+12.78 грн
1500+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 18825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+21.83 грн
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC
на замовлення 11176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.16 грн
11+31.08 грн
100+17.39 грн
500+13.13 грн
1000+11.80 грн
3000+10.06 грн
6000+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 15825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
382+37.16 грн
563+25.22 грн
724+19.58 грн
1000+16.90 грн
3000+13.13 грн
6000+11.26 грн
9000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 382 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2368+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 2368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Part Status: Active
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+14.15 грн
88+8.63 грн
89+8.53 грн
140+5.23 грн
250+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.75 грн
50+30.88 грн
100+14.01 грн
500+12.78 грн
1500+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF
Код товару: 29370
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TSOP-6
Uds,V: 200 V
Idd,A: 0,6 A
Rds(on), Ohm: 2,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 88/3,9
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+12.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRInternational RectifierMOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.01 грн
6000+10.84 грн
9000+10.37 грн
24000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
931+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 931 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.99 грн
6000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.50 грн
24000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineonMOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2453+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 2453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 0.9A 1200mOhm 4.5nC
на замовлення 7940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.31 грн
11+29.39 грн
100+16.41 грн
500+12.43 грн
1000+11.17 грн
3000+9.50 грн
6000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.74 грн
9000+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.63 грн
9000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5802TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.85 грн
9000+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.55 грн
6000+10.44 грн
9000+10.34 грн
15000+9.88 грн
24000+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2453+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 2453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.30 грн
18+24.04 грн
100+14.88 грн
250+12.52 грн
500+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
на замовлення 6159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.21 грн
12+25.95 грн
100+16.60 грн
500+11.79 грн
1000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+53.29 грн
396+35.81 грн
586+24.21 грн
757+18.07 грн
1000+14.28 грн
3000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.60 грн
18000+12.82 грн
27000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 900 мА, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 88 @ 25, Qg, нКл = 6,8 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 540 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TSOP-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 724 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+60.71 грн
Мінімальне замовлення: 724 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.83 грн
34+22.27 грн
100+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5802TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.27 грн
29+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803IR08+ DIP4
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803
Код товару: 28228
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803D2IR
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803D2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803D2HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803D2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803D2PBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH 112mOhm HEXFET -40V VDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803D2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803D2TRIR
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803D2TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803D2TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5803D2TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.112
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803D2TRPBFIOR09+
на замовлення 80043 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803D2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803D2TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh w/Schttky -3.4A 112mOhm 25nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803D2TRPBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803PBFInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRInfineonTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 190mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF5803 TIRF5803
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.39 грн
16+26.90 грн
50+18.16 грн
100+15.72 грн
500+11.43 грн
1000+10.00 грн
1500+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.57 грн
500+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 15735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2080+17.05 грн
10000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 2080 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.05 грн
50+32.75 грн
100+22.57 грн
500+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -40V -3.4A 112mOhm 25nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
397+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 3,4 A, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1110 @ 25, Qg, нКл = 37 @ 10 В, Rds = 112 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TSOP-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 2050 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBF (TSOP6)
Код товару: 54658
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TSOP-6
Uds,V: 40 V
Id,A: 3,4 A
Rds(on),Om: 0,11 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1110/25
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5804Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5804Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5804IR09+ TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5804PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5804TR
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5804TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5804TRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5804TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5804TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -40V -2.5A 198mOhm 5.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5805Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5805Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5805PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5805TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5805TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5805TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5805TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 3.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2372+14.94 грн
10000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 2372 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5805TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5805TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -30V -3.8A 98mOhm 11nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5805TRPBF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5805TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5805TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.098 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.8
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.098
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]