Продукція > MMU
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMUN2130LT1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 7807 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2130LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms | на замовлення 29673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2130LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2130LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2130LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2130LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 41274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2131LT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2131LT1 - MMUN2131LT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2131LT1 | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2131LT1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2131LT1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2131LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 648000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2131LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2131LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 6416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2131LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | на замовлення 23890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2131LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2131LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2131LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2131LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 6416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2131LT1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 10970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2131LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2131LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2131LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2131LT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 2.2kΩ | на замовлення 117 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2131LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2132 | на замовлення 57200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMUN2132(мікросхема) Код товару: 88588
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MMUN2132LT1 | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2132LT1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 225000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2132LT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2132LT1 - MMUN2132LT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 225000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2132LT1 | onsemi | Description: TRANS BRT PNP 50V SOT-23 Packaging: Bulk | на замовлення 225000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2132LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 286000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2132LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2132LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 20861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2132LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2132LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2132LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 10465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2132LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2132LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2132LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2132LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 495200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2132LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2132LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 569 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2132LT1G | ON-Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2132LT1G TMMUN2132 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2132LT1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 7684 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2132LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2132LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2132LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2132LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 10465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2132RLT1 | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMUN2133LT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2133LT1 - MMUN2133LT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2133LT1 | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2133LT1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2133LT1 | onsemi | Description: TRANS BRT PNP 50V SOT-23 Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2133LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 13350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2133LT1G | ON-Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2133LT1G TMMUN2133 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2133LT1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 55961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2133LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2133LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2133LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2133LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2133LT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 4.7kΩ Power dissipation: 0.246W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape Base-emitter resistor: 47kΩ Case: SOT23; TO236AB Collector current: 0.1A | на замовлення 15109 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2133LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2133LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2133LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2133LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2133LT1G | On Semiconductor | PNP, SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2133LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2133LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2133LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 34137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2133LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2133LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2133LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 14928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2133LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 527 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2133RLT1 | на замовлення 2930 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMUN2133T1 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMUN2134 | ON | SOT-23 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2134LT1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2134LT1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 33000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2134LT1/A | на замовлення 20700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMUN2134LT1/A6 | на замовлення 26900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMUN2134LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2134LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2134LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 6640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2134LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 252000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2134LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 41970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2134LT1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 18103 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2134LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 19190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2134LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2134LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 223518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2135LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2135LT1G | onsemi | Digital Transistors PNP DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 8979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2135LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2135LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2135LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2135LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2135LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 8652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2135LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2135LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 5582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2135LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 288000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2135LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2135LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 8652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2136LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2136LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2136LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2136LT1G | onsemi | Digital Transistors PNP DIGITAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2137LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2137LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 228000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. |

