Продукція > MMU

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 26 27 28 29 30 31 32 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MMUN2133LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17442+0.81 грн
Мінімальне замовлення: 17442 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2133LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+4.78 грн
256+2.95 грн
259+2.92 грн
433+1.68 грн
438+1.54 грн
589+1.10 грн
1000+1.04 грн
3000+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2133LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6727+2.10 грн
13393+1.06 грн
14852+0.95 грн
15000+0.91 грн
30000+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 6727 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2133LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.14 грн
6000+0.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2133LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 14928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.41 грн
55+5.59 грн
100+3.45 грн
500+2.34 грн
1000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2133LT1GON-SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2133LT1G TMMUN2133
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2133LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 527 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2133LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4808+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 4808 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2133RLT1
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2133T1
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2134ONSOT-23
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2134LT1ON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+132.54 грн
360+76.92 грн
600+24.97 грн
1080+13.99 грн
2520+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2134LT1
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2134LT1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 33000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2134LT1/A
на замовлення 20700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2134LT1/A6
на замовлення 26900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2134LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.36 грн
6000+2.15 грн
9000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2134LT1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 18103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2134LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 252000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
100000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2134LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 41970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2134LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2134LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 6640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+11.22 грн
122+6.71 грн
194+4.19 грн
500+2.79 грн
1000+2.28 грн
5000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2134LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 19190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
33+9.28 грн
100+5.02 грн
500+3.70 грн
1000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2134LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2134LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 223518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
100000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2135LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2135LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2135LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.81 грн
1000+2.06 грн
5000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2135LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.56 грн
6000+1.42 грн
9000+1.21 грн
30000+1.05 грн
75000+0.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2135LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2135LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2135LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2135LT1GonsemiDigital Transistors PNP DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 8979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2135LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2135LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+11.62 грн
118+6.91 грн
191+4.27 грн
500+2.81 грн
1000+2.06 грн
5000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2135LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 101808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.41 грн
49+6.19 грн
100+3.33 грн
500+2.46 грн
1000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2135LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
100000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2136LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2136LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2136LT1GonsemiDigital Transistors PNP DIGITAL TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2136LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2137LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 246 mW
на замовлення 148818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.41 грн
49+6.19 грн
100+3.33 грн
500+2.46 грн
1000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2137LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
100000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2137LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2137LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2137LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.56 грн
6000+1.42 грн
9000+1.21 грн
30000+1.05 грн
75000+0.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2137LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2137LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2137LT1GonsemiDigital Transistors PNP DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 25757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2138LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11112+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 11112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2138LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
33+9.28 грн
100+5.02 грн
500+3.70 грн
1000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2138LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2138LT1GonsemiDigital Transistors PNP DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2138LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.36 грн
6000+2.15 грн
9000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2140LT1GonsemiDigital Transistors PNP DIGITAL TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2140LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2141LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2141LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2141LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 11539 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2141LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
100000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2141LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2141LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2141LT1GonsemiDigital Transistors PNP DIGITAL TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2141LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2210LT1GONSOT-23
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 35@5MA,10V 200MW 100MA 50V SOT-2
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+6.27 грн
103+2.94 грн
169+1.79 грн
500+1.20 грн
1000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211ON
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 35@5MA,10V 200MW 100MA 50V SOT-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211Lonsemionsemi SS SOT23 BR XSTR NPN 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1ON SemiconductorТранзистор NPN з BRT, Ptot, Вт = 0,246, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, hFE = 35...60 @ 5 mA, 10 V, Icutoff-max = 500 нА, Тексп, °С = -55...+150, R1, kOm = 10, R1/R2 = 1,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 76974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1SIRECTIFIERCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; SOT23,TO236AB; R1: 10kΩ; R2: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1ONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2211LT1 - TRANSISTOR, DIGITAL SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1onsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 79764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7869+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 7869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
на замовлення 45358 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.23 грн
87+4.86 грн
126+3.34 грн
148+2.83 грн
250+2.31 грн
500+2.00 грн
1000+1.71 грн
1500+1.58 грн
3000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.41 грн
55+5.59 грн
100+3.43 грн
500+2.33 грн
1000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5120+2.76 грн
6000+2.53 грн
9000+2.52 грн
27000+2.38 грн
51000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 5120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 56522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.50 грн
1500+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1GON-SemiconductorNPN 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2211LT1G TMMUN2211lt1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 92841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 276000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.23 грн
6000+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 276000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+1.23 грн
11628+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 11539 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 56522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+9.43 грн
144+5.66 грн
219+3.71 грн
500+2.50 грн
1500+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1GOn SemiconductorТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 126140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3068+4.61 грн
4055+3.49 грн
4703+3.01 грн
12196+1.12 грн
12296+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 3068 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 28336
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 60
Примітка: Цифровий транзистор 10K + 10K
Монтаж: SMD
у наявності: 527 шт
  • 250 шт - склад
  • 104 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 83 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 63 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 27 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
14+1.50 грн
17+1.20 грн
100+0.95 грн
1000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT3onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 515000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7869+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 7869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT3ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 515000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
100000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT3onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT3ONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2211LT3 - TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 515000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT3GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 23776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT3GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2211LT3G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MUN2211 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 23718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+7.84 грн
168+4.85 грн
254+3.21 грн
1000+1.79 грн
5000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 128740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.41 грн
55+5.59 грн
100+3.43 грн
500+2.33 грн
1000+2.04 грн
2000+1.79 грн
5000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT3GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2211LT3G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MUN2211 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 23718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+7.84 грн
168+4.85 грн
254+3.21 грн
1000+1.79 грн
5000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11030+1.28 грн
30000+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 11030 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.42 грн
20000+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LTIG
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 26 27 28 29 30 31 32 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]