Продукція > MMU

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 28 29 30 31 32 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MMUN2211LTIG
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211RLT1
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211RLT1/MMUN2211LT1
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 60@5.0MA,10V 200MW 100MA 50V SOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 60@5.0MA,10V 200MW 100MA 50V SOT
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212Lonsemionsemi SS SOT23 BR XSTR NPN 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1
на замовлення 57330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1onsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25211+1.40 грн
100000+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 25211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2212LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 64880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+22.74 грн
86+9.40 грн
161+5.01 грн
500+3.19 грн
1000+2.55 грн
5000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1GON-SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2212LT1G TMMUN2212
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 8782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 62470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.72 грн
6000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25211+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 25211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 304000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25211+1.40 грн
100000+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 25211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2212LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.70 грн
1000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 62704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.30 грн
55+5.52 грн
100+3.41 грн
500+2.31 грн
1000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT3(8C)
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LRC07+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7557+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 7557 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
Part Status: Obsolete
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1onsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1606900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+2.12 грн
602+1.25 грн
785+0.96 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1GON-SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2213LT1G TMMUN2213
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 8107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1606900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14706+0.96 грн
Мінімальне замовлення: 14706 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.07 грн
50+5.97 грн
100+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G
Код товару: 61591
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
очікується: 50 шт
  • 50 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213RLTIG
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214Lonsemi SS SOT23 BR XSTR NPN 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7264+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 7264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1On SemiconductorTRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 Транзистори
на замовлення 820 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
69+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1onsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1ON2005 SOT23
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1 (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 35921
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 140
Примітка: Цифровий транзистор 10K+47K
Монтаж: SMD
у наявності: 71 шт
  • 71 шт - РАДІОМАГ-Київ
10+2.00 грн
13+1.60 грн
100+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1GOn SemiconductorTRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 Транзистори
на замовлення 69 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
69+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2214LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.00 грн
9000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1GON-SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2214LT1G TMMUN2214
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+1.10 грн
Мінімальне замовлення: 1039 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 15172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 7512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.30 грн
55+5.52 грн
100+3.40 грн
500+2.30 грн
1000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10136+1.40 грн
10345+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 10136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1GON-SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2214LT1G TMMUN2214
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+1.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2214LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 37167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+10.05 грн
158+5.09 грн
207+3.90 грн
500+2.60 грн
1500+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.40 грн
6000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2214LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 37167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.60 грн
1500+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.72 грн
6000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.37 грн
6000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214RLT1
на замовлення 86990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214RT1G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2215
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2215LT1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2215LT1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2215LT1ONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2215LT1 - TRANSISTOR, DIGITAL SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13889+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 13889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2215LT1ON07+;
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2215LT1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7869+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 7869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2215LT1ON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2215LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2215LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+11.81 грн
118+6.85 грн
186+4.33 грн
500+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2215LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 447000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.39 грн
6000+2.16 грн
9000+2.03 грн
15000+1.80 грн
21000+1.52 грн
30000+1.45 грн
75000+1.28 грн
150000+1.17 грн
300000+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2215LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.89 грн
6000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2215LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 372172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22223+1.59 грн
100000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 22223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2215LT1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2215LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2215LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2215LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2215LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2215LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 37135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.07 грн
50+6.04 грн
100+3.71 грн
500+2.52 грн
1000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2215LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2016211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22223+1.59 грн
100000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 22223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2215LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+7.21 грн
177+4.28 грн
181+4.19 грн
288+2.53 грн
312+2.16 грн
500+1.53 грн
1000+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2215LT1G A8E.ON-SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 MMUN2215LT1G TMMUN2215
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+1.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2215RLT1LRC07+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2216
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2216LT1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2216LT1ON2005+
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2216LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.07 грн
6000+1.77 грн
9000+1.66 грн
15000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2216LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4855+2.91 грн
6000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 4855 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2216LT1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 15503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2216LT1GON-SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2216LT1G TMMUN2216
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2216LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2216LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 34600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+12.30 грн
109+7.39 грн
174+4.62 грн
500+3.07 грн
1500+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2216LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.90 грн
6000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2216LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
на замовлення 637 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.82 грн
55+7.63 грн
63+6.63 грн
91+4.58 грн
107+3.90 грн
500+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2216LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.91 грн
6000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2216LT1GON-SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2216LT1G TMMUN2216
кількість в упаковці: 90 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
90+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2216LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.85 грн
49+6.19 грн
100+3.82 грн
500+2.60 грн
1000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2216LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4214+3.36 грн
9000+3.16 грн
27000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 4214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2216LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2216LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 34600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.07 грн
1500+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2217LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 28 29 30 31 32 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]