Продукція > IPB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB70N12S311ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 100+ | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB70N12S311ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_100+ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB70N12S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 100+ | на замовлення 975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB70N12S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_100+ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB70P04P4-09 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -40V -70A D2PAK-2 OptiMOS-P2 | на замовлення 188 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB70P04P409ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 72A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 70A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB70P04P409ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB70P04P409ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB720P15LMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 150V 4.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB720P15LMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 150V 4.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB720P15LMATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 5.55mA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 75 V | на замовлення 1268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB720P15LMATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB720P15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 41 A, 0.0601 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0601ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0601ohm | на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB720P15LMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 150V 4.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB720P15LMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 150V 4.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB720P15LMATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 5.55mA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 75 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB720P15LMATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB720P15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 41 A, 0.0601 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0601ohm | на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB720P15LMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 150V 4.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB720P15LMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 150V 4.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB720P15LMATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >100-150V | на замовлення 6796 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB720P15LMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 150V 4.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB77N06S2-12 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| IPB77N06S2-12 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 55V 77A D2PAK-2 OptiMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB77N06S2-12 | Infineon | N-channel, 55V, 77A Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB77N06S212ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB77N06S212ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_55/60V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB77N06S212ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 77A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 26828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB77N06S212ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 38A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB77N06S212ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_)40V 60V) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB77N06S3-09 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 77A D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB77N06S3-09 | infineon | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB79CN10N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80CN10NG | infineon | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N03S4L-02 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N03S4L-02 | INFINEON | SOT23 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N03S4L-03 | Infineon Technologies | Description: IPB80N03 - 20V-40V N-CHANNEL AUT Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N03S4L-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N03S4L-03ATMA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N03S4L02ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N03S4L02ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N03S4L03 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB80N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 19412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB80N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N03S4L03ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB80N03S4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 94W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm | на замовлення 2989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 6863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB80N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 6863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB80N03S4L03ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB80N03S4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 94W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm | на замовлення 2989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S2-04 | infineon | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S2-H4 | Infineon Technologies | Description: IPB80N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S2-H4 | infineon | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S2-H4 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S2-H4ATMA2 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S204ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S204ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB80N04S204ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S204ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB80N04S2H4 | INFINEON | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IPB80N04S2H4-ATMA2 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk | на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB80N04S2H4ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S2H4ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S2H4ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB80N04S2H4ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S2H4ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S2H4ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | на замовлення 3142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S2H4ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S2H4ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB80N04S2H4ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB80N04S2H4ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S2H4ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB80N04S2H4ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 52000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB80N04S2H4ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S2L-03 | infineon | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S2L-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS | на замовлення 904 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S2L03ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S2L03ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB80N04S3-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S3-04 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA Packaging: Bulk Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB80N04S3-04 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S3-06 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T | на замовлення 921 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S3-H4 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S303ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S303ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S303ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S304ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S304ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S306ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S306ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 52µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S3H4ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 65µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S3H4ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 65µA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk | на замовлення 13200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB80N04S4-03 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | на замовлення 775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S4-04 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | на замовлення 1759 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S403ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB80N04S403ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S403ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S403JEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S404ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S404ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB80N04S404ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB80N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 71W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm | на замовлення 2124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S404ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB80N04S404ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB80N04S404ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |