Продукція > Jan
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Jantxv2N2432 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW Qualification: MIL-PRF-19500/313 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2432 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2432A | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 45V 0.1A TO18 Qualification: MIL-PRF-19500/313 Grade: Military Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 0.15mV @ 500µA, 10V Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2432AUB | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2432AUB | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 30V 0.1A UB Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UB Operating Temperature: 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2432AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2432AUB/TR | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 360 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2432UB | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2432UB | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 30V 0.1A UB Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UB Operating Temperature: 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2432UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2432UB/TR | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 360 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2484 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 360mW 3-Pin TO-18 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 103 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2484 | Semicoa Semiconductors | Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 360mW 3-Pin TO-18 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2484 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | на замовлення 188 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2484 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 0.05A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 2nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-18 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 360 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/376 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2484/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 102 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2484P | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 360mW PinD Test NPN Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2484P | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 360 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 2nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2484UA | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 0.05A UA Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 2nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: UA Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 360 mW Qualification: MIL-PRF-19500/376 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2484UA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 360mW NPN Small-Signal BJT SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2484UA/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 360mW NPN Small-Signal BJT SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2484UA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 0.05A UA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 2nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: UA Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 360 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/376 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2484UB | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 0.05A UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 2nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: UB Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 360 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/376 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2484UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 360mW 3-Pin CER NPN Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2484UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 360mW 3-Pin CER NPN Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2484UB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 0.05A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 2nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: UB Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 360 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/376 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2604 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2605 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 70V 30mA 400mW Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2605 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.03A TO-46-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-46-3 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 400 mW Qualification: MIL-PRF-19500/354 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2605 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2605/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2605UB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.03A UB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2812 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2814 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2857 | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO-72 Packaging: Bulk Package / Case: TO-72-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Gain: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Frequency - Transition: 500MHz Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Supplier Device Package: TO-72 Grade: Military Part Status: Obsolete Qualification: MIL-PRF-19500/343 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2857UB | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 15V 0.04A UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Supplier Device Package: UB Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2857UB | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | на замовлення 152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2857UB | MICROSEMI | UB/NPN Transistor 2N2857 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2857UB/TR | Microchip Technology | RF Bipolar Transistors | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2880 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2880 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 5A TO59 Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2904 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 600mW PNP Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2904 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/290 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 104 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2904A | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/290 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 104 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2904A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 600mW PNP Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2904A/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 103 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2904AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 600mW PNP Long-Lead Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2904AL | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/290 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 102 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2904AL/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 102 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2905 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/290 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2905 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2905A | MICROSEMI | TO-39PNP TRANSISTOR кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2905A | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/290 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2905A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2905A/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2905AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2905AL | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/290 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2905AP | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 600 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2905AP | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN PinD-Test Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2906A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2906A | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 Qualification: MIL-PRF-19500/291 Grade: Military Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 205 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2906A/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2906AL | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 107 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2906AL | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 107 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2906AUA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT SMT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2906AUA | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A 4-SMD Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: 4-SMD DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/291 Grade: Military | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2906AUA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A 4-SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: 4-SMD Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2906AUA/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2906AUB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/291 Grade: Military | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2906AUB | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 4-Pin Case UB Waffle | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| JANTXV2N2906AUB | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 4-Pin Case UB Waffle | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2906AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 117 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2906AUB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 117 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2906AUBC | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UBC Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2906AUBC/TR | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: UBC Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2906AUBC/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 29 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2907A | MICROSEMI | TO-18/PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR 2N2907 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2907A | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2907A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP Small-Signal BJT THT | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2907A/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 317 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2907AL | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/291 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 204 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2907AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2907AL | MICROSEMI | TO18/PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR 2N2907 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2907AL/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2907AP | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 101 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2907AUA | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UA Qualification: MIL-PRF-19500/291 Grade: Military Power - Max: 500 mW Part Status: Active Supplier Device Package: UA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N2907AUA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2907AUA/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP Small-Signal BJT SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2907AUA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UA Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2907AUB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2907AUB | MICROSEMI | UB/PNP TRANSISTOR 2N2907 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2907AUB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/291 | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| JANTXV2N2907AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 189 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2907AUB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 189 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2907AUBC | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2907AUBC | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UBC Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Bulk DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2907AUBC/TR | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UBC Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2907AUBC/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 29 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2907AUBP | Microchip / Microsemi | Microchip Technology | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N2907AUBP | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |