Продукція > IRL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRLR3103TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3103TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.019 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 55
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 107
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TR 
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105
Код товару: 23514
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105IRTO-252
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3105PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 57
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 37mOhms 13.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TR-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR3105; IRLR3105TRL; IRLR3105TR; SP001572894; SP001552778; SP001578856; IRLR3105TR-ML MOSLEADER TIRLR3105 MOS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.81 грн
4000+44.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.73 грн
4000+42.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.73 грн
4000+42.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 13122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
575+61.64 грн
1000+56.84 грн
10000+50.69 грн
Мінімальне замовлення: 575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.10 грн
4000+43.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 37mOhms 13.3nC
на замовлення 10082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.05 грн
25+47.43 грн
100+45.13 грн
250+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+146.37 грн
173+82.20 грн
202+70.23 грн
500+55.72 грн
1000+47.25 грн
2000+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.71 грн
10+74.86 грн
50+56.19 грн
100+47.07 грн
500+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 100V 42A 140W 0.014Ω IRLR3110Z TIRLR3110z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 890 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+44.51 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V HEXFET 14mOhms 15nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZPBFInternational RectifierDPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZPBF (DPAK)
Код товару: 48508
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 63 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 14 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3980/34
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 20 шт
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+55.00 грн
10+49.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+212.60 грн
103+138.45 грн
104+131.87 грн
136+93.09 грн
250+87.19 грн
500+73.54 грн
1000+63.63 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+120.49 грн
500+108.44 грн
1000+100.01 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 250A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 250A
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±16V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF
Код товару: 156274
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3110ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 7838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+120.49 грн
500+108.44 грн
1000+100.01 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.84 грн
10+114.87 грн
100+78.74 грн
500+59.39 грн
1000+54.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.60 грн
10+138.45 грн
25+137.06 грн
50+131.87 грн
100+93.09 грн
250+87.19 грн
500+73.54 грн
1000+63.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3110ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 7838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl
на замовлення 32770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+120.49 грн
500+108.44 грн
1000+100.01 грн
10000+85.98 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+61.75 грн
6000+58.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+168.78 грн
88+162.34 грн
100+156.83 грн
250+146.65 грн
500+132.09 грн
1000+123.70 грн
2500+120.97 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 17601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+61.55 грн
6000+58.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+182.50 грн
116+122.71 грн
127+111.96 грн
154+89.21 грн
500+59.50 грн
2000+53.63 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+53.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V HEXFET 14mOhms 15nC
на замовлення 11125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFInternational RectifierDPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+53.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 17656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.54 грн
10+99.84 грн
50+75.67 грн
100+63.70 грн
500+50.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.50 грн
10+122.71 грн
50+111.96 грн
100+89.21 грн
500+59.50 грн
2000+53.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.66 грн
25+53.74 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+143.18 грн
5+105.03 грн
10+93.57 грн
50+71.46 грн
100+63.74 грн
250+55.01 грн
500+49.44 грн
1000+44.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 42 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3980 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 4,5 В, Rds = 14 мОм @ 38 А, 10 В, Ugs(th) = 2.5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 140, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 320 Од. вим
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
2000+70.76 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V HEXFET 14mOhms 15nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.58 грн
500+114.82 грн
1000+105.89 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLR3110ZTRRPBF - IRLR3110ZTRRPBF - TRENCH 100V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.58 грн
500+114.82 грн
1000+105.89 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.58 грн
500+114.82 грн
1000+105.89 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZIRTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZInfineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZInternational RectifierDPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZPBF
Код товару: 36781
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 130 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0049 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3810/40
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+27.50 грн
10+24.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.45 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.06 грн
11+75.00 грн
25+73.92 грн
50+70.47 грн
100+64.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRInfineonN-MOSFET HEXFET 40V 42A 140W 0.0049Ω IRLR3114Z TIRLR3114z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.46 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTR-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 9mOhm; 120A; 52,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR3114Z; IRLR3114ZTR; SP001568538; SP001569142; IRLR3114ZTR-ML MOSLEADER TIRLR3114z MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 196 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.98 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+155.45 грн
10+106.04 грн
50+82.16 грн
100+69.54 грн
500+51.28 грн
2000+43.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
592+59.90 грн
1000+55.24 грн
Мінімальне замовлення: 592 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
на замовлення 20426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.60 грн
10+73.22 грн
50+54.95 грн
100+46.02 грн
500+36.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+150.45 грн
139+102.63 грн
179+79.52 грн
204+67.30 грн
500+49.64 грн
2000+41.84 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+70.77 грн
236+60.26 грн
257+55.19 грн
500+45.26 грн
2000+36.78 грн
Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+46.34 грн
6000+40.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+46.34 грн
6000+40.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+89.26 грн
160+89.09 грн
250+88.90 грн
500+85.55 грн
1000+79.04 грн
3000+75.73 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
на замовлення 6036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.74 грн
6000+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.93 грн
6000+42.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF
Код товару: 122894
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 42 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,9 мОм
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+42.00 грн
10+38.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
592+59.90 грн
1000+55.24 грн
10000+49.24 грн
Мінімальне замовлення: 592 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.74 грн
6000+42.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.47 грн
11+70.77 грн
50+60.26 грн
100+53.22 грн
500+41.91 грн
2000+35.31 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.63 грн
10+89.45 грн
25+89.26 грн
100+85.90 грн
250+79.37 грн
500+76.04 грн
1000+75.88 грн
3000+75.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
на замовлення 6036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC
на замовлення 5177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303IRTO-252
на замовлення 8220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.