Продукція > IRL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 44 48  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRLR2908TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 16637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.38 грн
10+83.86 грн
100+56.38 грн
500+41.88 грн
1000+38.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+59.16 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 120W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.30 грн
500+49.59 грн
1000+41.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+51.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 28mOhms 22nC
на замовлення 27574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.45 грн
10+100.75 грн
100+79.16 грн
500+61.89 грн
1000+52.84 грн
2000+43.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.12 грн
4000+35.00 грн
6000+33.64 грн
10000+30.13 грн
14000+29.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 120W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.62 грн
50+95.10 грн
100+67.30 грн
500+49.59 грн
1000+41.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 39A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 39A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+161.45 грн
141+100.75 грн
179+79.16 грн
500+61.89 грн
1000+52.84 грн
2000+43.89 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103IRTO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 19mOhms 33.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103PBF
Код товару: 85570
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-252/D-Pak
Напруга сток-витік Uds, V: 30 V
Струм стоку Idd, A: 55A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,019 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1600/50
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+24.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRIRTO-252
на замовлення 1046700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRBFIRDPAK 0831+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 46A 19mOhm 33.3nC LogLvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3103TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.019 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 55
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 107
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 55A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 19mOhms 33.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 30V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
590+60.03 грн
Мінімальне замовлення: 590 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; 69W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3103TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.019 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 107
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TR 
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105IRTO-252
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105
Код товару: 23514
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3105PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 57
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 37mOhms 13.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TR-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR3105; IRLR3105TRL; IRLR3105TR; SP001572894; SP001552778; SP001578856; IRLR3105TR-ML MOSLEADER TIRLR3105 MOS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+57.93 грн
247+57.36 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
447+31.64 грн
Мінімальне замовлення: 447 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.09 грн
500+41.36 грн
1000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.19 грн
10+77.37 грн
100+51.83 грн
500+38.37 грн
1000+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 152000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+52.10 грн
76000+47.62 грн
114000+44.31 грн
152000+40.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 37mOhms 13.3nC
на замовлення 12694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.60 грн
10+86.08 грн
100+61.90 грн
500+48.43 грн
1000+41.55 грн
2000+37.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.64 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.62 грн
10+82.10 грн
100+56.09 грн
500+41.36 грн
1000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.90 грн
14+57.93 грн
25+57.36 грн
100+46.63 грн
250+40.75 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 100V 42A 140W 0.014Ω IRLR3110Z TIRLR3110z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+44.41 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZPBFInternational RectifierDPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V HEXFET 14mOhms 15nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZPBF (DPAK)
Код товару: 48508
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Idd, A: 63 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 14 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 3980/34
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 57 шт
  • 38 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+55.00 грн
10+49.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+202.54 грн
107+132.57 грн
108+131.20 грн
112+122.24 грн
144+87.72 грн
250+80.93 грн
500+68.33 грн
1000+60.98 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 250A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 250A
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±16V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.25 грн
10+118.65 грн
100+81.37 грн
500+61.37 грн
1000+56.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+120.22 грн
500+108.20 грн
1000+99.79 грн
10000+85.79 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+97.84 грн
152+93.46 грн
250+89.72 грн
500+83.39 грн
1000+74.69 грн
2500+69.59 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3110ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 8083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+118.68 грн
250+86.16 грн
1000+60.53 грн
3000+51.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+202.54 грн
10+132.57 грн
25+131.20 грн
50+122.24 грн
100+87.72 грн
250+80.93 грн
500+68.33 грн
1000+60.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF
Код товару: 156274
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+120.22 грн
500+108.20 грн
1000+99.79 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl
на замовлення 32820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3110ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 8083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.70 грн
50+118.68 грн
250+86.16 грн
1000+60.53 грн
3000+51.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+159.10 грн
116+122.27 грн
166+85.67 грн
500+65.13 грн
1000+56.73 грн
2000+51.41 грн
4000+50.89 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 20133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.93 грн
50+99.98 грн
250+67.06 грн
1000+46.95 грн
3000+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.10 грн
10+77.47 грн
25+51.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 42 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3980 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 4,5 В, Rds = 14 мОм @ 38 А, 10 В, Ugs(th) = 2.5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 140, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 320 Од. вим
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2000+70.76 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.34 грн
4000+49.83 грн
6000+49.13 грн
10000+44.67 грн
14000+41.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+168.40 грн
88+161.98 грн
100+156.48 грн
250+146.32 грн
500+131.80 грн
1000+123.43 грн
2500+120.70 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
на замовлення 13607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.95 грн
10+103.10 грн
100+70.09 грн
500+52.54 грн
1000+48.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+159.10 грн
10+122.27 грн
100+85.67 грн
500+65.13 грн
1000+56.73 грн
2000+51.41 грн
4000+50.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V HEXFET 14mOhms 15nC
на замовлення 16445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+134.57 грн
5+103.99 грн
10+91.75 грн
50+66.09 грн
100+57.87 грн
250+49.56 грн
500+44.95 грн
1000+44.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFInternational RectifierDPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+57.31 грн
4000+56.73 грн
6000+55.92 грн
10000+50.85 грн
14000+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 20133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.98 грн
250+67.06 грн
1000+46.95 грн
3000+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.34 грн
4000+49.83 грн
6000+49.13 грн
10000+44.67 грн
14000+41.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+49.46 грн
4000+44.43 грн
6000+42.79 грн
10000+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+57.18 грн
4000+56.60 грн
6000+55.80 грн
10000+50.73 грн
14000+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+171.87 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.29 грн
500+114.56 грн
1000+105.65 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V HEXFET 14mOhms 15nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.29 грн
500+114.56 грн
1000+105.65 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 44 48  [ Наступна Сторінка >> ]