Продукція > STD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 45 50 53  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STD3NK80Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1STTransistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
75+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD3NK80Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.25 A, 3.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.14 грн
10+88.60 грн
100+77.38 грн
500+57.74 грн
1000+45.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 9440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.45 грн
149+95.49 грн
159+89.26 грн
525+74.47 грн
1050+68.57 грн
2025+62.57 грн
5025+60.01 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 2338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.06 грн
75+80.86 грн
150+73.07 грн
525+58.18 грн
1050+53.68 грн
2025+50.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A
на замовлення 3405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1STTransistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
75+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 9455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.45 грн
75+94.56 грн
150+88.40 грн
525+73.75 грн
1050+67.90 грн
2025+61.96 грн
5025+59.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-HSTMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.70 грн
5000+65.38 грн
7500+63.17 грн
12500+60.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 691 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+155.34 грн
5+115.06 грн
10+100.64 грн
50+73.30 грн
100+64.74 грн
500+50.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80ZT4STTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80ZT4 TSTD3NK80zt-4
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.16 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD3NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.97 грн
500+59.10 грн
1000+51.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.51 грн
5000+65.20 грн
7500+63.00 грн
12500+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.90 грн
10+98.80 грн
100+67.42 грн
500+50.64 грн
1000+49.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH
на замовлення 3913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80ZT4STMMOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD3NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
на замовлення 8473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.52 грн
50+118.68 грн
100+81.20 грн
500+52.53 грн
1000+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80ZT4 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 45476
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK90ZST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK90Z-1ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK90ZFPST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK90ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+75.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK90ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD3NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.5 A, 4.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.28 грн
10+142.25 грн
100+98.35 грн
500+75.10 грн
1000+68.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK90ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK90ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 900 Volt 3.0Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK90ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK90ZT4
Код товару: 88372
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK90ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+75.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK90ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD3NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.5 A, 4.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.73 грн
500+79.25 грн
1000+59.01 грн
5000+56.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK90ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK90ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.22 грн
10+125.52 грн
100+86.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK90ZT4STMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 900, Id = 3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 590 @ 25, Qg, нКл = 22,7 @ 10 В, Rds = 4.8 Ом @ 1,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4,5 В @ 50 мкА, Р, Вт = 90, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK90ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 12W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Power dissipation: 12W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+195.08 грн
5+135.86 грн
10+119.09 грн
100+79.67 грн
500+64.58 грн
1000+60.38 грн
2500+55.35 грн
5000+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NM50ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NM50-1ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NM50T4STMMOSFET N-CH 550V 3A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NM50T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 3A DPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NM50T4
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NM60ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NM60-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 3A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NM60-1STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NM60-1STTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD3NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.3 A, 1.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.05 грн
500+36.08 грн
1000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NM60NSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.3A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD3NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.3 A, 1.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.92 грн
12+72.51 грн
100+51.05 грн
500+36.08 грн
1000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NM60T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 3A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NM60T4
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NM60T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 3A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3PK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 500V 2.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3PK50Z
Код товару: 105618
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
УКТЗЕД: 8541 29 00 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3PK50Z
на замовлення 27600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3PK50ZSTMicroelectronicsMOSFET P-Ch 500V 3 Ohm 2.8A Zener SuperMESH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3PK50ZSTMMOSFET P-CH 550V 2.8A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3PS25ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3PS25-1STTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3PS25T4
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD4Bussmann / EatonSpecialty Fuses 4A 240VAC IND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD4EATON BUSSMANNDescription: EATON BUSSMANN - STD4 - HH-Sicherung, STD Series, 4 A, Schrauböse, 240 V
tariffCode: 85361090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Nennspannung V AC: 240V
Nennspannung, V DC: -
Sicherungsstrom: 4A
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Bauform - HH-Sicherung: Schrauböse
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: STD Series
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+397.48 грн
10+363.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD4Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CARTRIDGE 4A 240VAC CYLINDR
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt)
Size / Dimension: 0.476" Dia x 0.945" L (12.10mm x 24.00mm)
Fuse Type: Cartridge
Current Rating (Amps): 4A
Mounting Type: Bolt Mount
Applications: Electrical, Industrial
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 33kA
Voltage Rating - AC: 240 VAC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD40N2LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 25V 40A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±22V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD40N2LH5
на замовлення 27600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NE03
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NE03LST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NE03LT4
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF02
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF02LST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF02LT4
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF03
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF03LSTLogic N-MOSFET 40A 30V 80W 0.011Ω STD40NF03LT4 TSTD40nf03lt4
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+20.80 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF03L-T4
на замовлення 58700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF03L-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF03LT
на замовлення 4890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF03LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF03LT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 40 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF03LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF03LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.27 грн
10+87.67 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF03LT4G
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF06ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF06L
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF06L-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF06LZST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF06LZ-T4
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF06LZ-TR
на замовлення 58700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF06LZT4ST03+
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF06T4
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF10STMicroelectronicsMOSFETs AC Pwr switch
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
на замовлення 12786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.74 грн
10+85.37 грн
100+57.76 грн
500+43.13 грн
1000+40.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF10
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 45 50 53  [ Наступна Сторінка >> ]