Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF620R4587HARRISIRF620R4587
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+36.51 грн
1053+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620SSiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 5,2A; 50W; -55°C ~ 150°C; IRF620S TIRF620s
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620SVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF620SPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.53 грн
50+89.57 грн
100+80.65 грн
500+61.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF620SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+193.07 грн
10+96.94 грн
100+71.69 грн
500+58.25 грн
1000+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620SPBFMOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 200V 5.2A N-CH MOSFET
на замовлення 3089 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.74 грн
10+101.18 грн
100+79.60 грн
500+64.87 грн
1000+58.66 грн
2000+57.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.53 грн
10+117.18 грн
100+80.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 200V 5.2 Amp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.53 грн
10+117.18 грн
100+80.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+63.87 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620STRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 200V 5.2 Amp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF621HARRISIRF621
на замовлення 13250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
810+43.76 грн
1000+41.33 грн
Мінімальне замовлення: 810 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF621Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 13575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+42.74 грн
Мінімальне замовлення: 478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6215International RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6215International Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = -150, Id = -13, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ -25, Qg, нКл = 66, Rds = 290, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = -3,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6215LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6215L-103Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6215L-103PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A TO262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6215LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6215PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6215PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.29 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 13
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6215PBF
Код товару: 38755
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 150 V
Id,A: 13 A
Rds(on),Om: 0,29 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 860/66
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+26.50 грн
10+24.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6215PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT PCh -150V -13A 290mOhm 44nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6215PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6215PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6215SInternational RectifierMOSFET P-CH 150V 13A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6215SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6215SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6215SHRInternational RectifierHexfet Power Mosfet
на замовлення 9438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.85 грн
25+77.49 грн
100+58.59 грн
500+44.83 грн
1000+39.91 грн
2500+36.94 грн
5000+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6215SPBFIR2010
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6215SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6215STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6215STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT PCh -150V -13A 290mOhm 44nC
на замовлення 5034 шт:
термін постачання 163-172 дні (днів)
3+127.09 грн
10+99.57 грн
100+69.83 грн
250+68.85 грн
500+62.29 грн
800+49.23 грн
2400+47.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6215STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6215STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6215STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.29 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.45 грн
10+107.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6215STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 150V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6215STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6215STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 150V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6215STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6215STRRPBFInfineon
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6215STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 150V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6215STRRPBFInfineon / IRMOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 290mOhms 44nC
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6216International RectifierTrans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.30 грн
25+211.68 грн
100+120.96 грн
500+102.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6216PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6216PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -150V HEXFET 240mOhms 33nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6216PBF
Код товару: 20309
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 150 V
Id,A: 2,2 A
Rds(on),Om: 0,24 Ohm
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+26.00 грн
10+23.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6216PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6216PBFInternational RectifierMOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6216PBF-IRInternational RectifierDescription: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6216TRIR2002
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6216TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF6216TRPBF
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
786+45.13 грн
1000+41.62 грн
10000+37.10 грн
100000+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 786 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6216TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6216TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -2.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6216TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6216TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6216TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6216TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6216TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+93.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6216TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6216TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6216TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -150V -2.2A 240mOhm 33nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6216TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6216TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 2.2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6216TRPBF-1Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6217IRSO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6217PBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6217TRInternational RectifierTrans MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-Pin SOIC IRF6217 IRF6217TR IRF6217 Infineon TIRF6217
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6217TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -150V -0.7A 2400mOhm 6nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6217TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 700MA 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6217TRPBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6217TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6217TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 700MA 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6217TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 700MA 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6218International RectifierTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6218HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6218LPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6218PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 150V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.92 грн
500+140.57 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6218pbfInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 27 A, Ptot, Вт = 250, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2210 @ 25, Qg, нКл = 110 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6218PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6218PBF - IRF6218 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+93.69 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6218pbfInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 27A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6218pbfInternational RectifierMOSFET P-CH 150V 27A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6218PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 150V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.92 грн
500+140.57 грн
1000+129.94 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6218pbfInfineon / IRMOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 150mOhms 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6218PBF-IRInternational RectifierDescription: MOSFET P-CH 150V 27A TO220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-220AB
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6218S
Код товару: 177237
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6218SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6218SHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6218SPBFInfineon / IRMOSFET D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6218SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6218STRLInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6218STRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6218STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]