Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 48 54 60 65  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SA188NECCAN
на замовлення 841 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1880-4012ShindengenBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1880-4112ShindengenBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1880-7000ShindengenBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1880-7012ShindengenBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1880-7100ShindengenBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1880-7112ShindengenBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1881-6-TB(IS6)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1882
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1882T-TD-EonsemiDescription: BIP PNP 1.5A 15V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2959+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 2959 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1882T-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1882T-TD-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1887ToshibaBipolar Transistors - BJT 220NIS2 PLS PLNN,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1887TOSHIBATO-220 10+
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1887 (F)ToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1887(F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 10A TO220NIS
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: TO-220NIS
Frequency - Transition: 45MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1887FTOSHIBA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA189NECCAN
на замовлення 657 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1890KESENES09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1890-RKESENES09+
на замовлення 41988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA18900RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 80V 1A MINIP3-F1
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: MiniP3-F1
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1890GRLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 80V 1A MINIP3-F2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: MiniP3-F2
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1896KESENES09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1896-S(AM/S2N)
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1896S-TD
на замовлення 372 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1898
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1898S-TDSANYO99+ SOT-89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA18H
на замовлення 3667 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA19NECCAN
на замовлення 578 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA190
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1900ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1900
Код товару: 131728
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1900ROHMSOT223
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1900 T100QROHMSOT89-AL
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1900 T100Q SOT89-AL PROHM
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1900-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: PNP SIGNAL TRANSISTOR,SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Supplier Device Package: SOT-89
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1900-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP SIGNAL TRANSISTOR,SOT-89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1900/QROHMSOT-89
на замовлення 9960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1900T100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1900T100QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 1A MPT3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1900T100QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1900T100QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 1A MPT3
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1900T100QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50V 1A SO-89
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1900T100Q/ALROHMSOT-89
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1900T100QSOT89-ALROHM
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1902
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1903
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1907Sanken Electric USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 6A TO-3PF
Supplier Device Package: TO-3PF
Frequency - Transition: 20MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2A, 4V
Power - Max: 60 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 12A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1907Sanken Electric Company, Ltd.Trans GP BJT PNP 80V 6A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+245.12 грн
70+202.49 грн
76+186.99 грн
100+170.84 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1907Sanken Electric Company, Ltd.Trans GP BJT PNP 80V 6A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+132.51 грн
112+126.58 грн
250+121.51 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1907Sanken Electric Company, Ltd.Trans GP BJT PNP 80V 6A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.96 грн
100+176.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1908Sanken Electric USA Inc.Description: TRANS PNP 120V 8A TO-3PF
Power - Max: 75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Supplier Device Package: TO-3PF
Frequency - Transition: 20MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1909Sanken Electric Company, Ltd.Trans GP BJT PNP 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.91 грн
100+210.86 грн
500+203.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1909Sanken Electric USA Inc.Description: TRANS PNP 140V 10A TO-3PF
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Power - Max: 80 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3PF
Frequency - Transition: 20MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1909Sanken Electric Company, Ltd.Trans GP BJT PNP 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+292.47 грн
59+241.65 грн
64+223.18 грн
100+203.88 грн
500+182.68 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA191
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA192
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2sa1924
Код товару: 78049
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA193NECCAN
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1930JSMicro SemiconductorTransistor PNP; 320; 20W; 180V; 2A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SA1930,Q(J; 2SA1930(Q,M); TCSA1930; 2SA1930 JSMICRO T2SA1930 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1930
Код товару: 15193
1 Додати до обраних Обраний товар
ToshibaТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220F
Гранична частота fT, МГц: 200 МГц
Напруга Uке, В: 180 В
Напруга Uкб, В: 180 В
Струм Iк, А: 2 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 320
у наявності: 284 шт
  • 187 шт - склад
  • 28 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+38.00 грн
10+34.20 грн
100+31.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1930Toshiba2SA1930Q PNP 180V 2A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1930EVVODescription: SILICON PNP POWER TRANSISTOR,TO-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1930 (Q,M)ToshibaТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1930 (Q,M)onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1930(LBS2MATQ,MToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1930(LBS2MATQ,MToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1930(ONK,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1930(ONK,Q,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1930(Q)ToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-FF 220NIS1 PLS PLNN,ACTIVE,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1930(Q,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT PNP 180V 2A Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1930(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1930(ROHS)TOSHIBA
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1930+2SC5171
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1930,CKQ(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1930,CKQ(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1930,LBS2DIAQ(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1930,LBS2DIAQ(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1930,ONKQ(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1930,ONKQ(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1930,Q(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1930,Q(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1930-Q/2SC5171-Q
Код товару: 174703
1 Додати до обраних Обраний товар
ToshibaТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220FP
Гранична частота fT, МГц: 200 МГц
Напруга Uке, В: 180 В
Напруга Uкб, В: 180 В
Струм Iк, А: 2 А
Примітка: Пара NPN/PNP
у наявності: 8 пара
  • 1 пара - склад
  • 3 пара - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 пара - РАДІОМАГ-Львів
  • 3 пара - РАДІОМАГ-Харків
1+220.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1930-Q/2SC5171-QSPTECH2SA1930 : Tranzystor PNP; 320; 2W; 180V; 1A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; 2SC5171 : Tranzystor NPN; 320; 2W; 180V; 1A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; 2SA1930+2SC5171 komplet T2SA1930/2sc5171
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+247.20 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1930/2SC5171
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1930A1SIRECTIFIERCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 180V; 2A; TO220F
Case: TO220F
Collector current: 2A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 180V
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 100...320
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1930A2SIRECTIFIERCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 180V; 2A; TO220AB
Case: TO220AB
Collector current: 2A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 180V
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 100...320
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1930A6SIRECTIFIERCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 180V; 2A; TO263
Case: TO263
Collector current: 2A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 180V
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 100...320
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1931
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1931ToshibaBipolar Transistors - BJT 220NIS1 PLS PLNN,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1931(NOMARK,A,QToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 5A TO-220NIS
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-220NIS
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1931,BOSCHQ(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 5A TO-220NIS
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-220NIS
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1931,KEHINQ(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 5A TO-220NIS
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-220NIS
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1931,NETQ(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 5A TO-220NIS
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-220NIS
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1931,NETQ(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 5A TO220NIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1931,NIKKIQ(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 5A TO220NIS
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-220NIS
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1931,NSEIKIQ(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 5A TO220NIS
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-220NIS
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1931,Q(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 5A TO220NIS
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-220NIS
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1931,SINFQ(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 5A TO220NIS
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-220NIS
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1931A1SIRECTIFIERCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 5A; TO220F
Case: TO220F
Collector current: 5A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 50V
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 100...300
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1931A2SIRECTIFIERCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 5A; TO220AB
Case: TO220AB
Collector current: 5A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 50V
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 100...300
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 48 54 60 65  Наступна Сторінка >> ]