Продукція > 2SA
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA188 | NEC | CAN | на замовлення 841 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1880-4012 | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1880-4112 | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1880-7000 | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1880-7012 | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1880-7100 | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1880-7112 | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1881-6-TB(IS6) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1882 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1882T-TD-E | onsemi | Description: BIP PNP 1.5A 15V Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SA1882T-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA1882T-TD-E - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1887 | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT 220NIS2 PLS PLNN,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1887 | TOSHIBA | TO-220 10+ | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1887 (F) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1887(F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 10A TO220NIS Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Supplier Device Package: TO-220NIS Frequency - Transition: 45MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 5A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1887F | TOSHIBA | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2SA189 | NEC | CAN | на замовлення 657 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1890 | KESENES | 09+ | на замовлення 200018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1890-R | KESENES | 09+ | на замовлення 41988 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA18900RL | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS PNP 80V 1A MINIP3-F1 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: MiniP3-F1 Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1890GRL | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS PNP 80V 1A MINIP3-F2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: MiniP3-F2 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1896 | KESENES | 09+ | на замовлення 200018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1896-S(AM/S2N) | на замовлення 123000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1896S-TD | на замовлення 372 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1898 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1898S-TD | SANYO | 99+ SOT-89 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA18H | на замовлення 3667 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA19 | NEC | CAN | на замовлення 578 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA190 | на замовлення 3625 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1900 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1900 Код товару: 131728
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2SA1900 | ROHM | SOT223 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1900 T100Q | ROHM | SOT89-AL | на замовлення 28000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1900 T100Q SOT89-AL P | ROHM | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2SA1900-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: PNP SIGNAL TRANSISTOR,SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Supplier Device Package: SOT-89 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1900-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP SIGNAL TRANSISTOR,SOT-89 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1900/Q | ROHM | SOT-89 | на замовлення 9960 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1900T100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1900T100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 1A MPT3 Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: MPT3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1900T100Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1900T100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 1A MPT3 Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1900T100Q | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 50V 1A SO-89 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1900T100Q/AL | ROHM | SOT-89 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1900T100QSOT89-AL | ROHM | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2SA1902 | на замовлення 17400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1903 | на замовлення 17400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1907 | Sanken Electric USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 6A TO-3PF Supplier Device Package: TO-3PF Frequency - Transition: 20MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2A, 4V Power - Max: 60 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 12A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1907 | Sanken Electric Company, Ltd. | Trans GP BJT PNP 80V 6A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF | на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SA1907 | Sanken Electric Company, Ltd. | Trans GP BJT PNP 80V 6A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF | на замовлення 495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SA1907 | Sanken Electric Company, Ltd. | Trans GP BJT PNP 80V 6A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF | на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SA1908 | Sanken Electric USA Inc. | Description: TRANS PNP 120V 8A TO-3PF Power - Max: 75 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Supplier Device Package: TO-3PF Frequency - Transition: 20MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1909 | Sanken Electric Company, Ltd. | Trans GP BJT PNP 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF | на замовлення 929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SA1909 | Sanken Electric USA Inc. | Description: TRANS PNP 140V 10A TO-3PF Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Bulk Power - Max: 80 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3PF Frequency - Transition: 20MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1909 | Sanken Electric Company, Ltd. | Trans GP BJT PNP 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF | на замовлення 929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SA191 | на замовлення 3560 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA192 | на замовлення 3550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2sa1924 Код товару: 78049
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2SA193 | NEC | CAN | на замовлення 295 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1930 | JSMicro Semiconductor | Transistor PNP; 320; 20W; 180V; 2A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SA1930,Q(J; 2SA1930(Q,M); TCSA1930; 2SA1930 JSMICRO T2SA1930 JSM кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SA1930 Код товару: 15193
1
Додати до обраних
Обраний товар
| Toshiba | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-220F Гранична частота fT, МГц: 200 МГц Напруга Uке, В: 180 В Напруга Uкб, В: 180 В Струм Iк, А: 2 А Коефіцієнт підсилення h21, max: 320 | у наявності: 284 шт
|
| ||||||||||
| 2SA1930 | Toshiba | 2SA1930Q PNP 180V 2A Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1930 | EVVO | Description: SILICON PNP POWER TRANSISTOR,TO- | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1930 (Q,M) | Toshiba | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1930 (Q,M) | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1930(LBS2MATQ,M | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1930(LBS2MATQ,M | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1930(ONK,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1930(ONK,Q,M) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1930(Q) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Pb-FF 220NIS1 PLS PLNN,ACTIVE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1930(Q,M) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT PNP 180V 2A Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1930(Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1930(ROHS) | TOSHIBA | на замовлення 2150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2SA1930+2SC5171 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1930,CKQ(J | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1930,CKQ(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1930,LBS2DIAQ(J | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1930,LBS2DIAQ(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1930,ONKQ(J | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1930,ONKQ(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1930,Q(J | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1930,Q(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1930-Q/2SC5171-Q Код товару: 174703
1
Додати до обраних
Обраний товар
| Toshiba | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-220FP Гранична частота fT, МГц: 200 МГц Напруга Uке, В: 180 В Напруга Uкб, В: 180 В Струм Iк, А: 2 А Примітка: Пара NPN/PNP | у наявності: 8 пара
|
| ||||||||||
| 2SA1930-Q/2SC5171-Q | SPTECH | 2SA1930 : Tranzystor PNP; 320; 2W; 180V; 1A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; 2SC5171 : Tranzystor NPN; 320; 2W; 180V; 1A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; 2SA1930+2SC5171 komplet T2SA1930/2sc5171 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 9 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SA1930/2SC5171 | на замовлення 2380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1930A1 | SIRECTIFIER | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 180V; 2A; TO220F Case: TO220F Collector current: 2A Mounting: THT Collector-emitter voltage: 180V Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Current gain: 100...320 Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1930A2 | SIRECTIFIER | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 180V; 2A; TO220AB Case: TO220AB Collector current: 2A Mounting: THT Collector-emitter voltage: 180V Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Current gain: 100...320 Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1930A6 | SIRECTIFIER | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 180V; 2A; TO263 Case: TO263 Collector current: 2A Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 180V Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Current gain: 100...320 Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1931 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1931 | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT 220NIS1 PLS PLNN,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1931(NOMARK,A,Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 5A TO-220NIS Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-220NIS Frequency - Transition: 60MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1931,BOSCHQ(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 5A TO-220NIS Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-220NIS Frequency - Transition: 60MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1931,KEHINQ(M | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 5A TO-220NIS Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-220NIS Frequency - Transition: 60MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1931,NETQ(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 5A TO-220NIS Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-220NIS Frequency - Transition: 60MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1931,NETQ(M | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 5A TO220NIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1931,NIKKIQ(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 5A TO220NIS Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-220NIS Frequency - Transition: 60MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1931,NSEIKIQ(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 5A TO220NIS Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-220NIS Frequency - Transition: 60MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1931,Q(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 5A TO220NIS Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-220NIS Frequency - Transition: 60MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1931,SINFQ(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 5A TO220NIS Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-220NIS Frequency - Transition: 60MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1931A1 | SIRECTIFIER | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 5A; TO220F Case: TO220F Collector current: 5A Mounting: THT Collector-emitter voltage: 50V Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Current gain: 100...300 Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1931A2 | SIRECTIFIER | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 5A; TO220AB Case: TO220AB Collector current: 5A Mounting: THT Collector-emitter voltage: 50V Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Current gain: 100...300 Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

