Продукція > SI7

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 31 32 33 34 35 36
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI7972DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+82.03 грн
192+74.02 грн
222+63.77 грн
231+59.22 грн
500+48.31 грн
1000+40.61 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7972DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 22W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7972DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+58.78 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7972DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 24253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7972DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7972DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7972DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 22W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7972DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7972DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7973DP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 12V 12.8A 1.4W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7973DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 12V 12.8A 3.5W 15mohm @ 4.5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7980DP
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7980DP-T1-E3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7980DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7980DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7980DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
на замовлення 8085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7980DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20/20V 8.0/17A 22/15mohm @ 10V
на замовлення 4037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7980DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
на замовлення 8085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7980DP-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7983DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7983DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7983DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7994DP-T1-GE3SI7994DP-T1-GE3 SI7994DP MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7994DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 46W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.84 грн
10+203.86 грн
100+164.91 грн
500+137.57 грн
1000+117.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7994DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7994DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 4600 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7994DP-T1-GE3
на замовлення 13800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7994DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7994DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 46W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7994DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7997DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7997DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 4500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4500µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7997DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 99083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7997DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7997DP-T1-GE3
Код товару: 150524
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7997DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.18 грн
10+120.21 грн
100+82.94 грн
500+64.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7997DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+84.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7997DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7997DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7997DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 4500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4500µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7997DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7997DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7997DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+83.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7998DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 25A/30A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7998DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7998DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 7600 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 40W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7998DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 22W, 40W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A, 30A
на замовлення 2057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.66 грн
10+94.10 грн
100+63.76 грн
500+47.66 грн
1000+43.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7998DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 25A/30A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7998DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7998DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7998DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 7600 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 40W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7998DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A, 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 22W, 40W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 31 32 33 34 35 36