Продукція > IRL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRLR3717TRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3717TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3717TRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 20V 120A 21nC 4.2mOhm Qg log lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3717TRPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3717TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3717TRRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3717TRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3717TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3717TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3717TRRPBFInfineon
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3717TRRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802
Код товару: 91609
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 12V; 12V; 30mOhm; 84A; 88W; -55°C ~ 175°C; IRLR3802 TIRLR3802
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+39.82 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 12V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 27nC
на замовлення 1532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802PBFInfineon TechnologiesDescription: IRLR3802 - 12V-300V N-CHANNEL PO
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+46.54 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.82 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
597+59.42 грн
1000+54.80 грн
Мінімальне замовлення: 597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 12V 84A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802PBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 12V 84A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 6 V
на замовлення 3740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+46.54 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3802PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 84 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
597+59.42 грн
Мінімальне замовлення: 597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802TRLInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 12V 84A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802TRLPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+50.56 грн
1000+46.63 грн
10000+41.57 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802TRPBFInfineon / IRMOSFET 12V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 27nC
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+50.56 грн
1000+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 12V 84A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+50.56 грн
1000+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802TRPBF-INFInfineon TechnologiesDescription: IRLR3802 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802TRRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802TRRPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915International RectifierN-MOSFET HEXFET 55V 30A 120W 0.014Ω IRLR3915 TIRLR3915
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+27.68 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915Infineon TechnologiesDescription: IRLR3915
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915PBF
Код товару: 84592
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 55
Струм стоку Idd, А: 61
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,14
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRUMWDescription: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 61A 14mOhm 61nC Log Lvl
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.17 грн
4000+40.79 грн
6000+36.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 120W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.07 грн
10+63.19 грн
50+47.18 грн
100+39.41 грн
500+30.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 61A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 61A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.27 грн
4000+40.87 грн
6000+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.46 грн
10+84.45 грн
25+64.39 грн
100+55.32 грн
250+50.72 грн
500+40.39 грн
1000+30.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.61 грн
12+67.84 грн
100+61.09 грн
500+47.10 грн
1000+43.18 грн
2000+35.44 грн
4000+31.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 120W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+84.45 грн
221+64.39 грн
248+57.37 грн
250+54.78 грн
500+42.07 грн
1000+30.54 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+128.61 грн
209+67.84 грн
233+61.09 грн
500+47.10 грн
1000+43.18 грн
2000+35.44 грн
4000+31.93 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBFTO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET, 30V, 160A, 3.1 mOhm, 39 nC Qg, Logic Level, D-Pak
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET, 30V, 160A, 3.1 mOhm, 39 nC Qg, Logic Level, D-Pak
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR4132TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET, 30V, 160A, 3.1 mOhm, 39 nC Qg, Logic Level, D-Pak
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET, 30V, 160A, 3.1 mOhm, 39 nC Qg, Logic Level, D-Pak
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR4132TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET, 30V, 160A, 3.1 mOhm, 39 nC Qg, Logic Level, D-Pak
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
635+55.83 грн
Мінімальне замовлення: 635 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4343Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4343IR07+ TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4343-701PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 26A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK (LF701)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4343PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4343TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4343TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4343TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4343TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4343TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225International RectifierN-MOSFET 20V 100A 63W 0.004Ω IRLR6225 TO-252-3 TIRLR6225
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 375 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225PBF
Код товару: 92029
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Idd, А: 42 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3770/48
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225PBFMOSFET N-CH 20V 100A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 21A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 48nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+105.33 грн
228+62.21 грн
252+56.44 грн
500+44.10 грн
1000+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBFInfineonN-Channel 20 V 100A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 21A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 20V 100A 4.0mOhm 2.5V dr cpbl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.52 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR6225TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.33 грн
13+62.21 грн
100+56.44 грн
500+44.10 грн
1000+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+73.38 грн
10+45.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR6225TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 21A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 10 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.29 грн
10+63.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7807ZIR07+ TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7807ZCPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 675 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7807ZCTRRPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7807ZHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 30V 43A 3-Pin(2+Tab)
на замовлення 7778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.50 грн
25+85.05 грн
100+49.14 грн
500+40.73 грн
1000+30.21 грн
2500+27.86 грн
5000+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7807ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR7807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0138 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0138
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7807ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7807ZPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7807ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7807ZPBF
Код товару: 113448
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 30 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 13,8 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 780/7
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
2+16.50 грн
10+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7807ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 13.8mOhms 7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7807ZTRIR04+
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.