Продукція > SI3

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 32 33 34 35 36 37 38 39  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI3585CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W, 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 156478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.79 грн
10+34.95 грн
100+22.56 грн
500+16.18 грн
1000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585DVVISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585DV-T1
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6TSOP
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6TSOP
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585DV-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 24018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si3585DV-T1-GE3
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si3585DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3585DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3586DVVISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3586DV-T1-E3VishayN/P-MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm/220mOhm; 2,9A/2,1A; 830mW; -55°C ~ 150°C; SI3586DV-T1-E3 Vishay TSI3586dv
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3586DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3586DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3586DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3586DV-T1-GE3
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si3586DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3588DV
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3588DV-T1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3588DV-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI3585CDV-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3588DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 570mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW, 83mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3588DV-T1-E3
на замовлення 410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3588DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 570mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW, 83mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3588DV-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI3585CDV-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3588DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW, 83mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 570mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3588DV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI3585CDV-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3588DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW, 83mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 570mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3588DV-T2Vishay / SiliconixMOSFET 20V, N/P-CH 132/334MOHM@1.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3588DV-T3Vishay / SiliconixMOSFET 20V, N/P-CH 132/334MOHM@1.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3588DV-T5Vishay / SiliconixMOSFET 20V N/P-CH 132/334MOHM@1.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3590DV-T1
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3590DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
на замовлення 14340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.41 грн
10+58.80 грн
100+38.85 грн
500+28.41 грн
1000+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3590DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.59 грн
6000+20.94 грн
9000+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3590DV-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR
на замовлення 233027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.49 грн
10+50.56 грн
100+30.38 грн
500+24.18 грн
1000+21.88 грн
3000+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3590DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.7A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3590DV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3590DV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 830mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 830mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.56 грн
500+30.19 грн
1500+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3590DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.41 грн
10+58.50 грн
100+38.64 грн
500+28.26 грн
1000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3590DV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR
на замовлення 101648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.58 грн
10+52.64 грн
100+30.80 грн
500+26.96 грн
1000+23.76 грн
3000+19.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3590DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.7A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3590DV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3590DV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 830mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 830mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.63 грн
50+58.85 грн
100+40.56 грн
500+30.19 грн
1500+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3590DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI35C-08200Утримувач MicroSim картки з відкидною металевою кришкою, 6 контактів HOLDER
на замовлення 405 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
10+49.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI36LD
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI37C-08200Утримувач NanoSim карти, має повну перемичку від прогину картки HOLDER
на замовлення 3803 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
12+44.45 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI37C-08200
Код товару: 196115
Додати до обраних Обраний товар
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Роз'єми для карт SIM, microSIM, SD, microSD, Smart
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI37C-08200----Nano Sim Card Holder 6P SMT Аксесуари для GSM модемів
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3801DN-T1
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3801DSSI01+ SOT-23-6
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3801DV
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3801DV-T012AVISHAY
на замовлення 492000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3801DV-T1SILICONIX05+ SOT-163
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3803DV-T030AVISHAY
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3803DV-T1SI05+ SOT-163
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3805DV
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3805DV-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 3.3A 1.4W 84mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3805DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3805DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3805DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3805DV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 3.3A 1.4W 84mohm @ 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si3812DVVISHAY
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3812DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3812DV-T1-E3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3812DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3812DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3831DVVISHAY
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3831DV-T1SILICONIX01+ SOT26
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3831DV-T1-E3
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3831DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: IC PWR SW BI-DIR PCHAN 6TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3831DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: IC PWR SW BI-DIR PCHAN 6TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3850ADV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.08W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 960mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3850ADV-T1-E3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3850ADV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.08W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 960mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3850DV-T1VISHAY03+ SOP23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3850DV-T1-E3
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3851-T1-E3
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3851DV
на замовлення 11800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3851DV-T1VISHAY0330+
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3851DV-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 1.8A 1.15W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3851DV-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 3008 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3851DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 1.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.8A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3851DV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 1.8A 1.15W 200mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3853DV-T1
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3853DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.8A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 500mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3853DV-T1-E3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3853DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3861BDV-T1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3861BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3861BDV-T1-E3Vishay SiliconixTSOP-6 Мультиплексори та аналогові ключі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3861BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3861BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3861BDV-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 30734 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3861BDV-T1-GE3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3861BDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3861DVSI01+ SOT-323-6
на замовлення 39999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3861DV-T1
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3861DV-T1-E3VISHAY06NOPB
на замовлення 29980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3861DV-T1TSOP-6-613AAVISHAY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3863DV-T1
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3863DV-T1-E3
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3865BDVVISHAY09+
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 32 33 34 35 36 37 38 39  [ Наступна Сторінка >> ]