Продукція > StP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 44 55 66 77 88 99 110 119  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP60N06-16
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60N06FI
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60N06HDLFonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP60N10
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60N3LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 48A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60N3LH5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30V 0.0072 Ohm 48A IPAK STripFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP60N55F3STMicroelectronicsMOSFETs N Ch 55V 6.5mohm 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP60N55F3
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60N55F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.64 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NE03L
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NE03L-10
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NE03L-12STTO-220
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NE06-16STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NE06-16STTO-220
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NE06-16STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NE06-16FPST08+ BGA256
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NE06-16FPSTMicroelectronicsMOSFET N-Channel 60V - 0.013Ohm - 60A STripFET(TM) MOSFET, POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NE06L-16STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NE06L-16
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NE06L-16STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NE06L-16FP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NE06L-16FPSTMicroelectronicsMOSFET N-Channel 60V - 0.014Ohm - 60A - TO-220 StripFET M, POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NE10
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NE10FPSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100 Volt 60 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF03ST05+
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF03L
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF03LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A TO220AB
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF03LSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30 Volt 60 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF03L-10
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06JSMSEMITransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6mOhm; 110A; 358W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: STP60NF06 STMicroelectronics; STP60NF06 JSMICRO TSTP60NF06 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.07 грн
17+45.75 грн
50+45.60 грн
100+42.69 грн
500+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06
Код товару: 2993
4 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 60 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,014 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1800/49
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 167 шт
  • 84 шт - склад
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 25 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+46.50 грн
10+41.60 грн
100+37.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
320+44.22 грн
Мінімальне замовлення: 320 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06STN-MOSFET 60A 60V 150W 0.012Ω STP60NF06 TSTP60NF06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.47 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP60NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 5196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+45.57 грн
311+45.42 грн
321+44.10 грн
500+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 310 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+152.24 грн
10+83.13 грн
50+65.44 грн
100+59.51 грн
200+54.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06STMN-кан., 60V, 0.014 Ом, 60A, TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.22 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06(MOR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06-E-PST08+;
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06FPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 120A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06FPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.74 грн
10+91.50 грн
50+69.09 грн
100+58.03 грн
500+46.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06FPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06FPSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06FP MOSFET
Код товару: 222785
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06LSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 364 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+171.39 грн
5+124.10 грн
10+107.25 грн
25+88.04 грн
50+76.27 грн
100+66.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+74.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06LSTTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 15V; 16mOhm; 60A; 110W; -65°C ~ 175°C; STP60NF06L TSTP60NF06L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+41.34 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06LSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP60NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.65 грн
10+142.54 грн
50+109.37 грн
100+92.60 грн
500+74.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06L
Код товару: 105102
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 60 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,012 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2000/35
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 33 шт
  • 14 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+60.50 грн
10+54.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06LSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+74.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06LSTM(MFET,N-CH,150W,55V,98A,TO-220AB) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.17 грн
10+125.30 грн
100+108.10 грн
500+85.04 грн
1000+68.44 грн
2000+54.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+124.81 грн
132+107.67 грн
500+87.84 грн
1000+73.63 грн
2000+56.08 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06LFP
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 25 V
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.70 грн
10+128.07 грн
50+97.84 грн
100+82.67 грн
500+66.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF10STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 80 Amp
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+57.40 грн
2000+56.82 грн
2500+56.25 грн
3000+52.32 грн
5000+47.95 грн
10000+45.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF10STN-MOSFET 60A 100V 150W 0.024Ω Replacement: STP50NE08, STP50NF08 STP60NF10 TSTP60NF10
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+76.75 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF10STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 66A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 66A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+170.47 грн
5+126.98 грн
10+110.05 грн
50+77.88 грн
100+66.87 грн
250+59.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+57.22 грн
2000+56.64 грн
2500+56.07 грн
3000+52.15 грн
5000+47.80 грн
10000+45.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF60
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NH2LL
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NH2LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 24V 40A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NS04Z
на замовлення 6475 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NS04ZSTMicroelectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NS04ZBSTMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL CLAMPED 10mOhm -60A TO-220 FULLY PROTECTED MESH OVERLAY™ MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NS04ZB
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP62NS04Z
Код товару: 51641
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
stp62ns04zSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 33V 62A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): Clamped
Drain to Source Voltage (Vdss): 33 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP62NS04ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 33V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
stp62ns04zSTMMOSFET N-Ch 62A TO-220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
stp62ns04zSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch Clamped 62 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP62NS04ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP62NS04Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 33 V, 62 A, 0.0125 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 33V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP65N045M9STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP65N045M9STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1172.05 грн
25+1117.93 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP65N045M9STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP65N045M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 55 A, 0.039 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M9 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP65N045M9STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 650 V, 39 MOHM TYP., 5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+610.78 грн
50+320.36 грн
100+294.54 грн
500+233.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP65N045M9STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP65N150M9STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP65N150M9STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+167.96 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP65N150M9STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP65N150M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.128 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP65N150M9STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M9; unipolar; 650V; 12.5A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ M9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP65N150M9STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 650 V, 128 MOHM TYP.,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.89 грн
50+184.08 грн
100+167.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 44 55 66 77 88 99 110 119  [ Наступна Сторінка >> ]