Продукція > BUK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK9610-100B,118 | Nexperia | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9610-100B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11045 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9610-100B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9610-100B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11045 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9610-55A | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK9610-55A,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4307 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9610-55A,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4307 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9610100B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK961030 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK961055A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK9611-55A,118 | Nexperia | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9611-55A,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 166W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9611-80E,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9611-80E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 8300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 182W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 4464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9611-80E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9611-80E,118 | Nexperia | MOSFETs SOT404 N-CH 80V 75A | на замовлення 5052 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9611-80E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 182W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9611-80E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9611-80E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 182W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK961155A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK9612-55B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 157W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3693 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9612-55B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 79A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 148000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9612-55B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 157W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3693 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9612-55B,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9612-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.01 ohm, SOT-404, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 75 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 157 Bauform - Transistor: SOT-404 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9612-55B,118 | Nexperia | MOSFETs BUK9612-55B/SOT404/D2PAK | на замовлення 4912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK961255B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK9614-55 | на замовлення 720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK9614-55A | PHILIPS | TO-263 | на замовлення 785 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9614-55A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 73A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3307 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 149W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9614-55A,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9614-55A,118 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9614-55A,118 | Nexperia | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9614-55A,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 73A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9614-55A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 73A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 149W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3307 pF @ 25 V Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9614-55A,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 73A D2PAK Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 2273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9614-55A,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 55V 73A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9614-55A118 | NXP Semiconductors | Description: NOW NEXPERIA BUK9614-55A 73A, 55 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9614-60E,118 | Nexperia | MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET | на замовлення 11441 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9614-60E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 56A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2651 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9614-60E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 56A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2651 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9614-60E,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9614-60E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 56 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 96 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0103 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.7 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9614-60E118 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BUK9614-60E - POWER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK961430 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK961455 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK961455A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK9615-100 | на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK9615-100A | на замовлення 694 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK9615-100A,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9615-100A,118 | Nexperia | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9615-100A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9615-100E,118 | Nexperia | MOSFET N-CHANNEL TRENCH LOGIC LEVEL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9615-100E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 66A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9615-100E,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 66A D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 159 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9615-100E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 66A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK96150-55A,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 13A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 339 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 53W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9615055A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK9615100A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK9616-55A,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3085 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 138W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9616-75B | на замовлення 647 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK9616-75B,118 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 47A; Idm: 270A; 157W Polarisation: unipolar Case: D2PAK; SOT404 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Gate charge: 35nC On-state resistance: 34mΩ Power dissipation: 157W Gate-source voltage: ±15V Drain current: 47A Drain-source voltage: 75V Pulsed drain current: 270A Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9616-75B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 67A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4034 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 157W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9616-75B,118 | Nexperia | MOSFETs BUK9616-75B/SOT404/D2PAK | на замовлення 4348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9616-75B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 67A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 157W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4034 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9616-75B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 75V 67A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 30850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK961655A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK961675B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK9618-55 | на замовлення 625 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK9618-55A | PHILIPS | TO-263 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9618-55A,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9618-55A,118 | Nexperia | MOSFET TAPE13 MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9618-55A,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK96180-100A | PHILIPS | TO-263 | на замовлення 550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK96180-100A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 11A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 619 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK96180-100A,118 | NXP | Trans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK BUK96180-100A,118 BUK96180-100A TBUK96180-100a кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 87 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK96180-100A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 11A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 619 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK96180-100A,118 | Nexperia | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | на замовлення 1940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK96180100A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK961830 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK961855 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK961855A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK961B-55A | PHILIPS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BUK961R4-30E,118 | NXP Semiconductors | Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK961R4-30E,118 | NXP Semiconductors | Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK961R4-30E,118 | NXP Semiconductors | Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK961R5-30E,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK961R5-30E,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK961R5-30E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 324W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14.5 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK961R6-40E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16400 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK961R6-40E,118 | Nexperia | MOSFETs SOT404 N-CH 40V 120A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK961R6-40E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK961R6-40E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK961R7-40E,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15010 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105.4 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 324W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK961R7-40E,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15010 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105.4 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 324W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9620-100A,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 63A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6385 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9620-100B,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9620-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0156 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.58V euEccn: NLR Verlustleistung: 203W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9620-100B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 63A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 203W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5657 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9620-100B,118 | Nexperia | MOSFETs BUK9620-100B/SOT404/D2PAK | на замовлення 3047 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9620-100B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 63A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9620-100B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 63A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9620-100B,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9620-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0156 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.58V euEccn: NLR Verlustleistung: 203W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9620-100B,118 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; Idm: 253A; 203W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 63A Pulsed drain current: 253A Power dissipation: 203W Case: D2PAK; SOT404 On-state resistance: 18.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 53.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9620-100B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 63A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 203W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5657 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

