Продукція > STD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 45 50 53  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STD5N60DM2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N60DM2STMMOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 6520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+164.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N60M2STMicroelectronicsCategory: Transistors - Unclassified
Description: STD5N60M2
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+43.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+165.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 4.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 50 V
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.00 грн
10+54.42 грн
100+48.15 грн
500+39.03 грн
1000+35.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N62K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A
на замовлення 1691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 4.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N65M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N65M6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 650 V, 1.15 Ohm typ 4 A MDmesh M6 Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 100 V
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.06 грн
10+94.05 грн
100+64.01 грн
500+48.00 грн
1000+46.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 3479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N95K3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD5N95K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.64 грн
10+134.93 грн
100+111.36 грн
500+89.06 грн
1000+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N95K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+302.20 грн
10+271.74 грн
25+253.17 грн
100+204.30 грн
250+188.66 грн
500+150.00 грн
1000+123.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N95K3STMicroelectronicsMOSFETs 950 VDSS <3.5 RDS 4A ID 90W Pw
на замовлення 6525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N95K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.74 грн
10+160.47 грн
100+112.33 грн
500+93.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N95K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N95K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N95K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+302.20 грн
53+271.74 грн
56+253.17 грн
100+204.30 грн
250+188.66 грн
500+150.00 грн
1000+123.82 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N95K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
на замовлення 2798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 3.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD5N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 3.5 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.57 грн
25+79.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 3.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.03 грн
10+101.14 грн
100+69.04 грн
500+51.89 грн
1000+50.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD5N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 3.5 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NB20ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NB20-T4
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NB20T4
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NB30ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NB30-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NB30T4STMTO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NB40-T4
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NB40T4
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NC50TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NE10ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NE10-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NE10-1STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NE10LSTTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NE10L-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NE10LT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100 Volt 5.0Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NE10LT4STSOT223
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NE10LT4 SOT223ST
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NE10LT4 SOT252ST
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NE10LT4 SOT252ST
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NE10LT4SOT2
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NE10LT4SOT223
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NE10T4
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NE10T4STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK40
на замовлення 3449 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK40ZST09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK40Z-1STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD5NK40Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3 A, 1.47 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.47ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.38 грн
14+61.37 грн
100+55.03 грн
500+40.68 грн
1000+32.89 грн
5000+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK40Z-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 3A IPAK
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.19 грн
75+60.47 грн
150+55.01 грн
525+44.21 грн
1050+40.96 грн
2025+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK40Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK40Z-1STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 400 Volt 3.0 A
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK40Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 10440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.12 грн
75+42.86 грн
150+39.97 грн
525+35.76 грн
1050+32.78 грн
2025+31.36 грн
5025+30.75 грн
10050+30.09 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK40Z-1STMN-CHANNEL 400V - 1.47W - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK40Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK40Z-1STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.9A; 45W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 45W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+133.67 грн
10+53.17 грн
75+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK40Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 10440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+46.49 грн
328+43.21 грн
351+40.30 грн
525+36.04 грн
1050+33.05 грн
2025+31.62 грн
5025+31.00 грн
10050+30.34 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK40ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 400 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 3505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.78 грн
5000+42.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK40ZT4
Код товару: 118094
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, V: 400 V
Струм стоку Idd, A: 3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 305/11,7
Монтаж: SMD
у наявності: 524 шт
  • 445 шт - склад
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+25.00 грн
10+21.70 грн
100+19.67 грн
1000+17.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK40ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 25 V
на замовлення 2731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.68 грн
10+80.76 грн
100+54.55 грн
500+40.65 грн
1000+38.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK40ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.9A; 45W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.65 грн
5000+38.23 грн
7500+37.36 грн
12500+35.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK40ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.97 грн
5000+38.54 грн
7500+37.66 грн
12500+35.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK40ZT4-E
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50ZSTMSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50Z-1STMSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50Z-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 4.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50Z-T4
на замовлення 6030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50ZT4
Код товару: 84994
Додати до обраних Обраний товар

8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.19 грн
5000+61.10 грн
7500+59.00 грн
12500+56.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50ZT4STD5NK50ZT4 Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 110 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD5NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.4 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.67 грн
5000+60.61 грн
7500+58.53 грн
12500+55.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50ZT4STMMOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.98 грн
5000+37.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.55 грн
25+60.21 грн
100+57.74 грн
250+53.16 грн
500+50.75 грн
1000+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD5NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.4 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 4.4 A Zener SuperMESH
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 45 50 53  [ Наступна Сторінка >> ]