Продукція > BUK

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BUK962055A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962130
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9623-75APHILIPSTO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9623-75A,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 53A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962375A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9624-55
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9624-55ANexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9624-55ANXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9624-55A,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9624-55A,118
Код товару: 179304
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9624-55A,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9624-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0217 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9624-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 46A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9624-55A,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9624-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0217 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9624-55A/C1,118NXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9624-55A118NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK9624-55A - POWER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
515+45.46 грн
Мінімальне замовлення: 515 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962455
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962455A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9628-100APHILIPS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9628-100A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+160.29 грн
1000+150.86 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9628-100A,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9628-100A,118 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 11098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9628-100A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+160.29 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9628-100A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+160.29 грн
1000+150.86 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9628-100A,118NexperiaMOSFETs TAPE13 PWR-MOS
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9628-100A,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 49A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9628-100A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+160.29 грн
1000+150.86 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9628-100A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 49A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4293 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9628-55
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9628-55A,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9628-55A,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 42A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9628-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 42A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 5V
Grade: Automotive
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9628100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962855
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962855A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9629-100B
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9629-100B,118
Код товару: 187149
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9629-100B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+163.83 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9629-100B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 46A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.71 грн
10+110.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9629-100B,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 186A; 157W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 186A
Power dissipation: 157W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9629-100B,118NexperiaMOSFETs BUK9629-100B/SOT404/D2PAK
на замовлення 3076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9629-100B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 46A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9629-100B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9629-100B,118 - MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9629100B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R1-40E,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+233.37 грн
500+220.40 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R1-40E,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+233.37 грн
500+220.40 грн
1000+208.62 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R1-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 3369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+178.62 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R1-40E,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+233.37 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R1-40E,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R5-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+130.57 грн
1600+117.82 грн
2400+114.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R5-60E,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1008A; 349W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 1008A
Power dissipation: 349W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R5-60E,118NexperiaMOSFETs BUK962R5-60E/SOT404/D2PAK
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R5-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R5-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 5 V
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+352.72 грн
10+224.70 грн
100+159.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R5-60E118NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK962R5-60E 120A,
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R6-40E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+297.01 грн
500+281.69 грн
1000+265.19 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R6-40E,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+297.01 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R6-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+227.40 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R6-40E,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 885A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 885A
Power dissipation: 263W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R6-40E,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+297.01 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R6-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.6 nC @ 32 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10285 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R6-40E,118NexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R8-30B
на замовлення 566 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R8-30B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10185 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R8-30B,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R8-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+404.27 грн
100+384.23 грн
500+364.20 грн
1000+331.87 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R8-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 324W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R8-60E,118NexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R8-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+404.27 грн
100+384.23 грн
500+364.20 грн
1000+331.87 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R8-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 324W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.07 грн
10+207.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R830B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9635-100APHILIPSTO-263
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9635-100A,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9635-100A,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 41A D2PAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3573 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9635-100A-118NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9635-55
на замовлення 935 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9635-55,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 34A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9635-55ANexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9635-55A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.31 грн
500+46.58 грн
800+40.28 грн
2400+36.11 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9635-55A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+46.44 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9635-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 34A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+44.19 грн
1600+39.16 грн
2400+37.43 грн
4000+33.30 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9635-55A,118NexperiaMOSFETs BUK9635-55A/SOT404/D2PAK
на замовлення 7738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9635-55A,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9635-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 34 A, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9635-55A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 34A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9635-55A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+46.44 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9635-55A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 34A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+36.04 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9635-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 34A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 5315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.95 грн
10+84.84 грн
100+57.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9635-55A,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9635-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 34 A, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9635-55A118NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK9635-55A 34A, 55
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9635100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK963555
Код товару: 103477
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK963555
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK963555A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9637-100ENexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9637-100E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2681 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+54.40 грн
1600+48.39 грн
2400+46.36 грн
4000+41.36 грн
5600+40.09 грн
8000+38.86 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9637-100E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9637-100E,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 123A; 96W
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 22.8nC
On-state resistance: 0.102Ω
Gate-source voltage: ±10V
Drain current: 22A
Power dissipation: 96W
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 123A
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9637-100E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
404+87.63 грн
500+78.87 грн
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9637-100E,118NexperiaMOSFETs BUK9637-100E/SOT404/D2PAK
на замовлення 4739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9637-100E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9637-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 96W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 5192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9637-100E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2681 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.38 грн
10+102.12 грн
100+69.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9637-100E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+123.45 грн
164+86.33 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]