Продукція > stp

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 55 66 77 88 99 110 119  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP6N50FI
на замовлення 29840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N52K3
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N60
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N60F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N60FI
на замовлення 67000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+128.54 грн
10+86.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N60M2
Код товару: 94670
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N62K3STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 620V 1.1
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N62K3STTrans MOSFET N-CH 620V 5.5A STP6N62K3 TSTP6N62K3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N62K3STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 620V; 3A; 30W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 3A
Power dissipation: 30W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 5.5A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+62.88 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N70Z
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N80
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N80FP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+88.25 грн
197+71.78 грн
211+67.08 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP6N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N90
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N90ZFPSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N95K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP6N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.21 грн
50+93.88 грн
100+84.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N95K5STMN-Channel 950 V 9A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N95K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 6A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.28 грн
10+115.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.27 грн
10+132.53 грн
100+121.02 грн
500+101.94 грн
1000+79.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+227.27 грн
107+132.53 грн
117+121.02 грн
500+101.94 грн
1000+79.35 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NA60STTO-220
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NA60F1
на замовлення 526 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NA60FI
на замовлення 6030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NA80
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NB25
на замовлення 19840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NB25FP
на замовлення 19840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NB50SGSN-MOSFET 5.8A 500V 100W 1.35Ω STP6NB50 TSTP6NB50
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NB50FPSTM
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NB60
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NB80
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NB80STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NB80
Код товару: 184751
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 800 В
Струм стоку Idd, А: 5,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,9 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1250/33
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+35.50 грн
10+30.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NB80D
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NB80DT
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NB80FP
Код товару: 32391
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NB80FPSTMТранзистори
на замовлення 28 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+434.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NB90ST07+;
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NB90STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NB90FP
на замовлення 8038 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NC60STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NC60STTO-220AB
на замовлення 54653 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NC60FPSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 6 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NC60FPST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NC80
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NC80Z
на замовлення 6945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NC80ZFP
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NC80ZFPSTMicroelectronicsMOSFET TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NC8ZFP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NC90ZSTTO-220
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NC90ZFP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NK50ZSTMN-кан. MOSFET 500V, 8A, 0.85Ом, 125Вт, TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NK50ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 5.6Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NK50Z
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 5.6A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NK60
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NK60ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NK60ZSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NK60Z
на замовлення 29 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NK60ZSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 905 @ 25, Qg, нКл = 46 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 3 A, 10 В, Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 110 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+283.48 грн
10+144.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 25 V
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.32 грн
10+138.81 грн
50+106.37 грн
100+90.02 грн
500+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NK60ZSTN-MOSFET 6A 600V 125W 1Ω Replacement: STP6NC60 STP6NK60Z TSTP6NK60Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NK60ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP6NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 3419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NK60ZSTP6NK60Z Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 92 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NK60ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+148.60 грн
50+65.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NK60Z.STP6NK60ZFP
на замовлення 38860 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+295.62 грн
10+165.24 грн
100+147.35 грн
500+118.95 грн
1000+101.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NK60ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 25 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.08 грн
10+164.03 грн
50+126.50 грн
100+107.38 грн
500+87.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+85.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NK60ZFPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP6NK60ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 32W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 69891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+165.20 грн
100+147.32 грн
500+123.33 грн
1000+109.33 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NK60ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 110W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+181.41 грн
10+97.35 грн
50+79.57 грн
100+74.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NK60ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Channel 600V Zener SuperMESH
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NK60ZFPSTMMOSFET N-CH 600V 6A TO220FP Транзистори
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
26+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+85.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP6NK60ZFP
Код товару: 1169
1 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 905/33
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 520 шт
  • 469 шт - склад
  • 32 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+36.00 грн
10+32.40 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 55 66 77 88 99 110 119  [ Наступна Сторінка >> ]