Продукція > 2N4
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N4116 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4116 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200µA, 2mA Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 37 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4117 | InterFET | JFETs JFET N-Channel -40V Low Ciss | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4117 Код товару: 42857
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-72 Напруга сток-витік Uds, В: 40 В Струм стоку Idd, А: 0,5 А Монтаж: THT УКТЗЕД: 8541290010 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N4117 | InterFET Corp. | JFET СНЯТ С ПРОИЗВОДСТВА Транзистори | на замовлення 8 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N4117A | InterFET Corp. | JFET JFET N-Channel -40V 50mA 300mW 2mW Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4117A Код товару: 133077
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N4117A | Vishay | 02+/03 | на замовлення 6165 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4117A | Vishay Siliconix | Description: JFET N-CH 40V TO206AF Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 µA @ 10 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 1 nA Power - Max: 300 mW Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V FET Type: N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4117A | InterFET | JFETs JFET N-Channel -40V Low Ciss | на замовлення 131 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4117A TO-72 4L | Linear Integrated Systems, Inc. | Description: JFET N-CH 40V TO72-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Mounting Type: Through Hole FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: TO-72-4 Power - Max: 300 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 µA @ 10 V | на замовлення 1078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N4117A-2 | Vishay Siliconix | Description: JFET N-CH 40V TO206AF Packaging: Bulk Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 µA @ 10 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 1 nA Power - Max: 300 mW Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V FET Type: N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4117A-E3 | Vishay Siliconix | Description: JFET N-CH 40V TO206AF Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 µA @ 10 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 1 nA Power - Max: 300 mW Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V FET Type: N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4117A-E3 | Vishay Semiconductors | JFET 40V 0.03mA | на замовлення 114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4117A-E3 | Vishay Siliconix | JFET СНЯТ С ПРОИЗВОДСТВА Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4118 | InterFET | JFETs JFET N-Channel -40V Low Ciss | на замовлення 468 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4118 | VISHAY | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N4118A | Vishay Semiconductors | JFETs 40V 0.08mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4118A | InterFET | JFETs JFET N-Channel -40V Low Ciss | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4118A | VISHAY | на замовлення 3200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N4118A | Vishay Siliconix | Description: JFET N-CH 40V TO206AF Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80 µA @ 10 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA Power - Max: 300 mW Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V FET Type: N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4118A TO-72 4L | Linear Integrated Systems, Inc. | Description: ULTRA HIGH INPUT IMPEDANCE N-CHA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4118A TO-72 4L ROHS | Linear Integrated Systems, Inc. | Description: JFET N-CH 40V TO72-4 Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Packaging: Bulk Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80 µA @ 10 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA Power - Max: 300 mW Supplier Device Package: TO-72-4 Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V FET Type: N-Channel | на замовлення 728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N4118A-2 | Vishay Siliconix | Description: JFET N-CH 40V TO206AF Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80 µA @ 10 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA Power - Max: 300 mW Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V FET Type: N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4118A-2 | Vishay / Siliconix | JFET Field Effect Trnstr | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4118A-E3 | Vishay Siliconix | Description: JFET N-CH 40V TO206AF Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80 µA @ 10 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA Power - Max: 300 mW Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V FET Type: N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4118A-E3 | Vishay Siliconix | JFET СНЯТ С ПРОИЗВОДСТВА Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4119 | SILICONI | на замовлення 3200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N4119 | InterFET | JFETs JFET N-Channel -40V Low Ciss | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4119A | InterFET | JFETs JFET N-Channel -40V Low Ciss | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4119A | Vishay Siliconix | Description: JFET N-CH 40V TO206AF Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Packaging: Bulk Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 10 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 1 nA Power - Max: 300 mW Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V FET Type: N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4119A TO-72 4L | Linear Integrated Systems, Inc. | Description: JFET N-CH 40V TO72-4 Packaging: Bulk Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 10 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 1 nA Power - Max: 300 mW Part Status: Active Supplier Device Package: TO-72-4 Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V FET Type: N-Channel Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can | на замовлення 362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N4119A-2 | Vishay Siliconix | Description: JFET N-CH 40V TO206AF Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 10 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 1 nA Power - Max: 300 mW Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V FET Type: N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4119A-E3 | Vishay Siliconix | Description: JFET N-CH 40V TO206AF Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 10 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 1 nA Power - Max: 300 mW Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V FET Type: N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N411A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N412 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N4120 | MOT | CAN | на замовлення 648 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4121 | MOTOROLA | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N4123 | Harris Corporation | Description: TRANS NPN 30V 0.2A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4123 | NTE Electronics, Inc. | Trans GP BJT NPN 30V 0.2A 3-Pin TO-92 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N4123 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4123 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4123 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 950mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4123 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4123 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4123 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 30V 0.2A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4123 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT . . | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4123 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 200mA 625mW | на замовлення 3630 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4123 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4123 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 950mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4123 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4123 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4123 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 250MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4123-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 30V 0.2A TO-92 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4123BU | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.2A TO-92-3 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4123RLRM | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N4123RLRM - 2N4123RLRM, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 136265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4123RLRM | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.2A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 115989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N4123RLRM | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.2A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4123RLRM | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 111989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N4123TA | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.2A TO-92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4123TAR | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.2A TO-92-3 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4123TF | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.2A TO-92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4123TFR | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.2A TO-92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N4124 | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.2A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124 | NTE ELECTRONICS | Description: NTE ELECTRONICS - 2N4124 - T-NPN SI- GEN PUR AMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124 | ONS/FAI | NPN, Uкэ=25V, Iк=200 mA , 300МГц, TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Transistor, TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tape & Box (TB) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124 APP PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 200mA 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124 APP PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124 APP TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 200mA 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124 APP TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 25V TO-92-3 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk | на замовлення 6283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N4124 PBFREE | Central Semiconductor | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.2A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 120...360 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 300MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 30Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 200mA 625mW | на замовлення 8690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 200mA 625mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124 TIN/LEAD | Central Semiconductor | 2N4124 TIN/LEAD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124 TRA PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124 TRA PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 200mA 625mW | на замовлення 9345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124 TRA TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 200mA 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124 TRA TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124-AP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 25V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 5176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N4124-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 25V 0.2A TO-92 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124-BP | Micro Commercial Co | Description: TRANS NPN 25V 0.2A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124BU | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N4124BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 60 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 625 Übergangsfrequenz ft: 300 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 25 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124BU | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.2A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124G | ON Semiconductor | на замовлення 453 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N4124G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 200mA 30V NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4124G | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.2A TO92 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

