Продукція > BSS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSS123E-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 357mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123E-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.2A 3-Pin SOT-523 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123E-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123E6327 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS123E6327 | на замовлення 294000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSS123IXTMA1 | Infineon Technologies | Description: 100V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS | на замовлення 32496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 88583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm | на замовлення 521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 282000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon | SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 282000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4285910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm | на замовлення 521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A Pulsed drain current: 0.77A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.63nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V | на замовлення 15534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123K-13 | Diodes Incorporated | Description: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123K-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs BSS Family SOT23 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123K-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs BSS Family SOT23 T&R 3K | на замовлення 3122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123K-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 230MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 50 V | на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123K-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 294000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123K-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123K-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 294000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123K-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BSS123K-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 280 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 780mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm | на замовлення 14585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123K-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 14158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123K-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123K-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BSS123K-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 280 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 780mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm | на замовлення 14585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123K-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs N-Ch Enh FET 100Vds 0.17A 20Vgs 0.35W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123KHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123KHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123KHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 780mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123L | ONS/FAI | MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123L | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm | на замовлення 66232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123L | onsemi | MOSFETs FET 100V 6.0 MOHM SOT23 | на замовлення 314961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123L | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | на замовлення 5635 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 16590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123L | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm | на замовлення 66232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 16590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V | на замовлення 3867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123L7874XT | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123LG | onsemi | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123LT | onsemi | NFET SOT23 100V 170MA 6.0 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123LT1 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123LT1 | ON | на замовлення 3260 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS123LT1 | onsemi | MOSFETs 100V 170mA N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON-Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123 кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 7030 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2157000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5841000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | MOSFET 100V 0.17A (0.68A pulse), N Channel SOT-23-3 | на замовлення 100 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| |||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5841000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON Semiconductor | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 0,2, Ptot, Вт = 0,2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25, Rds = 6 Ом @ 100 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,8 В @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm | на замовлення 99539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | onsemi | MOSFETs 100V 170mA N-Channel | на замовлення 169992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | на замовлення 335600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON-Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123 кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 12000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G Код товару: 42430
1
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 100 V Струм стоку Idd, A: 0,17 A Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 20/ Монтаж: SMD | у наявності: 1023 шт
|
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 216000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | On Semiconductor | N-кан. MOSFET SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm | на замовлення 99539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | на замовлення 335997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 19241 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2157000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT3 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123LT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123LT7G | onsemi | MOSFET NFET SOT23 100V 170MA 6.0 | на замовлення 24496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123LT7G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 15UA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123LT7G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123M-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.2A 3-Pin SOT-723 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123M-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123M-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 337W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-723 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123N H6327 | Infineon | на замовлення 546000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS123N H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | на замовлення 354685 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123N H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 13246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123N H6433 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | на замовлення 6580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327 | Infineon technologies | на замовлення 3003 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 190 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 20,9 @ 25, Qg, нКл = 0,9 @ 10 В, Rds = 6 Ом @ 190 мА, 10 В, Ugs(th) = 1,8 В @ 13 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm | на замовлення 37001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | на замовлення 3817 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 189000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 37450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 Код товару: 198093
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

