Продукція > FF1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FF1200R17IP5PBPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1700V 1200A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 68 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1200R17IP5PBPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700 V, 1200 A dual IGBT module | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1200R17IP5PBPSA1 | Infineon Technologies | Dual IGBT Module | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1200R17IP5PBPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF1200R17IP5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.2 kA, 1.75 V, 175 °C, Module tariffCode: 85415000 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: PrimePACK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 1.2kA Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1200R17KE3 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700V 1200A DUAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1200R17KE3 | Eupec | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1200R17KE3-B2 | EUPEC | MODULE | на замовлення 173 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1200R17KE3B2NOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1700V 1200A Input Capacitance (Cies) @ Vce: 110 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 6600 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector (Ic) (Max): 1700 A Supplier Device Package: A-IHV130-3 NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1.2kA Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Configuration: 2 Independent Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1200R17KE3NOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE VCES 1700V 1200A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Chopper Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 595000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 110 nF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1200R17KE3_B2 | EUPEC | 1200A/1700V/IGBT/2U | на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1200R17KE3_B2 | Infineon | GBT Modules N-CH 1.7KV 1.7KA Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1200R17KE3_B2 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.7KV 1.7KA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1200R17KP4-B2 Код товару: 77407
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FF1200R17KP4B2NOSA2 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1700V 1200A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-PRIME2 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1700 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1400 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 98 nF @ 25 V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1200R17KP4B2NOSA2 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.7KA 6250W 7-Pin IHM130-1 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1200R17KP4B2NOSA2 | Infineon Technologies | IGBT Modules IHV IHM T XHP 3 3-6 5K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1200R17KP4B2NOSA2 FF1200R17KP4_B2 | Infineon | IGBT Modules IGBT 1700V 1200A Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1200R17KP4_B2 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1700V 1200A | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1200R33KF2 | EUPEC | MODULE | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1200XTR17T2P5BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.2KA 15-Pin Tray | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1200XTR17T2P5BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.2KA 15-Pin Tray | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1200XTR17T2P5BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF1200XTR17T2P5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.2 kA, 1.8 V, 1200 kW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V IGBT-Anschluss: Schraubanschluss Verlustleistung: 1200kW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 1.2kA Produktpalette: XHP 2 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1200XTR17T2P5BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.2KA 15-Pin Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1200XTR17T2P5BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1700V 1200A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1.2kA NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1200000 W Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 56000 pF @ 25 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1200XTR17T2P5BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700 V, 1200 A dual IGBT module | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1200XTR17T2P5PBPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.07KA 15-Pin Tray | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1200XTR17T2P5PBPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF1200XTR17T2P5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.07 kA, 1.8 V, 1200 kW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V IGBT-Anschluss: Schraubanschluss Verlustleistung: 1200kW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 1.07kA Produktpalette: XHP 2 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1200XTR17T2P5PBPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1700V 1200A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1.2kA NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1200000 W Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 56000 pF @ 25 V | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1200XTR17T2P5PBPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700 V, 1200 A dual IGBT module | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1200XTR17T2P5PBPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.07KA 15-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1200XTR17T2P5PBPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.07KA 15-Pin Tray | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF12040J-7 | fastSiC | Description: SICFET N-CH 1200V 45A TO-263-7L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA (Typ) Supplier Device Package: TO-263-7L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 800 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3129 pF @ 800 V | на замовлення 278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF12040QA | fastSiC | Description: SICFET N-CH 1200V 54A TO-247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3129 pF @ 800 V | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF12080E-3A | fastSiC | Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO-247-3L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 8A, 18V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA Supplier Device Package: TO-247-3L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1548 pF @ 800 V | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF12080J-7A | fastSiC | Description: SICFET N-CH 1200V 31A TO-263-7L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 8A, 18V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA Supplier Device Package: D2PAK-7L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1548 pF @ 800 V | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF12080QA | fastSiC | Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO-247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 8A, 18V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1548 pF @ 800 V | на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1300004 | Diodes Zetex | Crystal 13MHz FUND 4-Pin Mini-CSMD T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1300004 | Diodes Incorporated | Description: CRYSTAL SURFACE MOUNT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.157" L x 0.098" W (4.00mm x 2.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: MHz Crystal Operating Mode: Fundamental Height - Seated (Max): 0.030" (0.75mm) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1300004 | Diodes Incorporated | Crystals Crystal Ceramic SEAM4025 T&R 1K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1300UXTR23T2M1BPSA1 | Infineon Technologies | Description: XHP LV Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 2300V (2.3kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07kA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143000pF @ 1500V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.59mOhm @ 1.5kA, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3980nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 675mA Supplier Device Package: AG-XHP2K17 | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1300UXTR23T2M1BPSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 2300 V | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1300UXTR23T2M1BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF1300UXTR23T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 1.07 kA, 2.3 kV, 0.00159 ohm, Modul tariffCode: 85412900 euEccn: 3A228.c Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.07kA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: XHP 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A228.c Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00159ohm | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1300UXTR23T2M1PBPSA1 | Infineon Technologies | Description: FF1300UXTR23T2M1PBPSA1 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 20mW Drain to Source Voltage (Vdss): 2300V (2.3kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1000A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143000pF @ 1.5kV Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.59mOhm @ 1.5kA, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.98µC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 675mA Supplier Device Package: AG-XHP2K17 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1300UXTR23T2M1PBPSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Modules XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET and NTC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1300UXTR23T2M1PBPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF1300UXTR23T2M1PBPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 1 kA, 2.3 kV, 0.00159 ohm, Modul tariffCode: 85412900 euEccn: 3A228.c Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1kA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: XHP 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A228.c Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00159ohm | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1314 | PAN | LCC | на замовлення 1077 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF14-17A-R11A-C1 | DDK | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FF14-22A-R11B | Fujikura Ltd. | FF14-22A-R11B | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF14-30A-R11B-B-3H | Fujikura Ltd. | FF14-30A-R11B-B-3H | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1400R12IP4 | Infineon Technologies | IGBT Modules PP IHM I | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1400R12IP4B60BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 1400 A dual IGBT module | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1400R12IP4B60BOSA1 | Infineon Technologies | FF1400R12IP4B60BOSA1 | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1400R12IP4B60BOSA1 | Infineon Technologies | Description: PP IHM I Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 1.4kA NTC Thermistor: Yes IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 1400 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 7650 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 82000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1400R12IP4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.4KA 7650W Automotive 12-Pin PRIME3-1 Tray | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1400R12IP4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 1400A 765000W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 1400A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1400 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 765000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 82 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1400R12IP4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.4KA 7650W 12-Pin PRIME3-1 Tray | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1400R12IP4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.4KA 7650W 12-Pin PRIME3-1 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1400R12IP4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.4KA 7650W 12-Pin PRIME3-1 Tray | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1400R12IP4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.4KA 7650W 12-Pin PRIME3-1 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1400R12IP4P | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 1400 A dual IGBT module | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1400R12IP4PB60BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700 V, 1400 A dual IGBT module | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1400R12IP4PB60BPSA1 | Infineon Technologies | Description: PP IHM I Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 1.4kA NTC Thermistor: Yes IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 1400 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 7650 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 82000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1400R12IP4PBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 1400A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 1400A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1400 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1400000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 82 nF @ 25 V | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1400R12IP4PBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.4KA 12-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1400R12IP4PBOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF1400R12IP4PBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.4 kA, 1.75 V, 7.65 kW, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 hazardous: false Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75 Dauer-Kollektorstrom: 1.4 usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75 Verlustleistung Pd: 7.65 euEccn: NLR Verlustleistung: 7.65 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: PrimePACK 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: Zweifach Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 1.4 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1400R17IP4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 1400A 1700V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1400R17IP4B60BOSA1 | Infineon Technologies | FF1400R17IP4B60BOSA1 | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1400R17IP4B60BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700 V, 1400 A dual IGBT module | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1400R17IP4B60BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1700V 1400A 9550W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 1.4kA NTC Thermistor: Yes IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 1400 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 9550 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 110000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1400R17IP4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.4KA 9550W Automotive 12-Pin PRIME3-1 Tray | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1400R17IP4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1700V 1400A Input Capacitance (Cies) @ Vce: 110 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 955000 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector (Ic) (Max): 1400 A IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 1400A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Configuration: 2 Independent Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1400R17IP4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.4KA 9550W Automotive 12-Pin PRIME3-1 Tray | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1400R17IP4P | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700 V, 1400 A dual IGBT module | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1400R17IP4PBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1700V 1400A MODULE Input Capacitance (Cies) @ Vce: 110 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector (Ic) (Max): 1400 A Part Status: Active IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 1400A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Configuration: 2 Independent Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1400R17IP4PBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.4KA 12-Pin AG-PRIME3-1 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1400R17T2P8BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF1400R17T2P8BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.4 kA, 1.68 V, 1.4 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85044095 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V IGBT-Anschluss: Schraubanschluss Verlustleistung: 1.4kW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 1.4kA Produktpalette: XHP 2 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1400R17T2P8BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1400R23T2E7B5BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF1400R23T2E7B5BPSA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.15 kA, 1.85 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: 3A228.c rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V IGBT-Anschluss: Schraubanschluss Verlustleistung: - SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 1.15kA Produktpalette: XHP 2 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A228.c Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1400R23T2E7B5BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1400R23T2E7B5BPSA1 | Infineon Technologies | Description: FF1400R23T2E7B5BPSA1 Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1.4kA NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-XHP2K17 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 1400 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2300 V Power - Max: 2400000 W Current - Collector Cutoff (Max): 30 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 162000 pF @ 25 V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1400R23T2E7B5BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 2300V 1.15KA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1400R23T2E7PB5BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC / pre-applied thermalinterface material | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1400R23T2E7PB5BPSA1 | Infineon Technologies | Description: FF1400R23T2E7PB5BPSA1 Packaging: Box Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.3 kV Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1.4kA NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-XHP2K17 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 1.4 kA Power - Max: 2.4 W Current - Collector Cutoff (Max): 30 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 162000 pF @ 25 V | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1400R23T2E7PB5BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 2300V 1.05KA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1400R23T2E7PB5BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF1400R23T2E7PB5BPSA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.05 kA, 1.85 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: 3A228.c rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V IGBT-Anschluss: Schraubanschluss Verlustleistung: - SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 1.05kA Produktpalette: XHP 2 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A228.c Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF14A-14C-R11DL-B-3H | Fujikura Ltd. | FF14A-14C-R11DL-B-3H | на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF14A-18C-R11DL-B-3H | Fujikura Ltd. | Conn FFC/FPC Connector SKT 18 POS 0.5mm Solder RA SMD T/R | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF14A-20C-R11DL-B-3H | Fujikura Ltd. | Conn FFC/FPC Connector SKT 20 POS 0.5mm Solder RA SMD T/R | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF14A-30C-R11DL-B-3H | Fujikura Ltd. | Conn FFC/FPC Connector SKT 30 POS 0.5mm Solder RA SMD T/R | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF14A-4C-R11DL-B-3H | Fujikura Ltd. | FF14A-4C-R11DL-B-3H | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF14A-6C-R11DL-B-3H | Fujikura Ltd. | Conn FFC/FPC Connector SKT 6 POS 0.5mm Solder RA SMD T/R | на замовлення 11930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1500R12IE5 | Infineon Technologies | IGBT Modules PP IHM I XHP 1 7KV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1500R12IE5BPSA1 | Infineon Technologies | Module with Trench/Field stop IGBT5, Emitter Controlled 5 diode and NTC | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1500R12IE5BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 1500 A dual IGBT module | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1500R12IE5BPSA1 | Infineon Technologies | Module with Trench/Field stop IGBT5, Emitter Controlled 5 diode and NTC | на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1500R12IE5BPSA1 | Infineon Technologies | Module with Trench/Field stop IGBT5, Emitter Controlled 5 diode and NTC | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1500R12IE5BPSA1 | Infineon Technologies | Module with Trench/Field stop IGBT5, Emitter Controlled 5 diode and NTC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1500R12IE5BPSA1 | Infineon Technologies | Module with Trench/Field stop IGBT5, Emitter Controlled 5 diode and NTC | на замовлення 718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1500R12IE5BPSA1 | Infineon Technologies | Module with Trench/Field stop IGBT5, Emitter Controlled 5 diode and NTC | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1500R12IE5BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 1500A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1500A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 1500 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 82 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

