Продукція > FF1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FF1200030Diodes IncorporatedCrystals Crystal Ceramic SEAM4025 T&R 1K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200030Diodes IncorporatedDescription: CRYSTAL SURFACE MOUNT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.157" L x 0.098" W (4.00mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.030" (0.75mm)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+53.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R12IE5Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200 V, 1200 A dual IGBT module
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R12IE5
Код товару: 153234
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R12IE5BPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 2400A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 2400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.5 nF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+48303.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R12IE5BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF1200R12IE5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.7 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 1.2kA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R12IE5BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 1.2KA 10-Pin PRIME2-5 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R12IE5BPSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Field Stop,Trench; screw
Pulsed collector current: 2.4kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R12IE5BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 1.2KA 10-Pin PRIME2-5 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R12IE5BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 1.2KA 10-Pin PRIME2-5 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R12IE5PBPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 1.2KA 10-Pin PRIME2-5 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R12IE5PBPSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.2kA; Field Stop,Trench
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.2kA
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R12IE5PBPSA1Infineon TechnologiesDescription: PP, IHM I, XHP 1,7KV
Packaging: Bulk
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+78371.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R12IE5PBPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 1.2KA 10-Pin PRIME2-5 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R12IE5PBPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 2400A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 2400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R12IE5PBPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF1200R12IE5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 1.2kA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R12IE5PBPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200 V, 1200 A dual IGBT module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R12KE3EUPECMODULE
на замовлення 502 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R12KE3Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200V 1200A IGBT Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R12KE3NOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules PP IHM I XHP 1 7KV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R12KE3NOSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - FF1200R12KE3NOSA1 - PP, IHM I, XHP 1,7KV
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R12KE3NOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 1.6KA 5000W 10-Pin IHM130-2 Tray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+105554.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R12KE3NOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 5000W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 5000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 86 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17IP5BPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 1200A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 68 nF @ 25 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+62946.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17IP5BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 1.2KA 10-Pin Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17IP5BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 1.2KA 10-Pin Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17IP5BPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 1200A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 68 nF @ 25 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+54017.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17IP5BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules 1700 V, 1200 A dual IGBT module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17IP5BPSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.2kA; Field Stop,Trench; screw
Pulsed collector current: 2.4kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.2kA
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17IP5BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 1.2KA 10-Pin Tray
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+85655.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17IP5BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF1200R17IP5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.75 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: PrimePACK 2
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
DC-Kollektorstrom: 1.2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17IP5PBPSA1Infineon TechnologiesDual IGBT Module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17IP5PBPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules 1700 V, 1200 A dual IGBT module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17IP5PBPSA1Infineon TechnologiesDual IGBT Module
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+87754.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17IP5PBPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 1200A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 68 nF @ 25 V
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+64439.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17IP5PBPSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.2kA; Field Stop,Trench
Collector current: 1.2kA
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17IP5PBPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF1200R17IP5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.2 kA, 1.75 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 1.2kA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17IP5PBPSA1Infineon TechnologiesDual IGBT Module
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+87754.57 грн
25+85121.52 грн
100+82489.61 грн
500+77004.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17IP5PBPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 1200A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 68 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17IP5PBPSA1Infineon TechnologiesDual IGBT Module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17KE3Eupec07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17KE3Infineon TechnologiesIGBT Modules 1700V 1200A DUAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17KE3-B2EUPECMODULE
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17KE3B2NOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 1200A
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 110 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 6600 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1700 A
Supplier Device Package: A-IHV130-3
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1.2kA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Configuration: 2 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17KE3NOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 1.6KA 5950W 10-Pin IHM130-2 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17KE3NOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE VCES 1700V 1200A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 595000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 110 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17KE3NOSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 1.6kA; 5.95kW; screw
Pulsed collector current: 2.4kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.6kA
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 5.95kW
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17KE3_B2Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.7KV 1.7KA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17KE3_B2InfineonGBT Modules N-CH 1.7KV 1.7KA Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17KE3_B2EUPEC1200A/1700V/IGBT/2U
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17KP4-B2
Код товару: 77407
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17KP4B2NOSA2Infineon TechnologiesIGBT Modules IHV IHM T XHP 3 3-6 5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17KP4B2NOSA2Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 1.7KA 6250W 7-Pin IHM130-1 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17KP4B2NOSA2Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 1200A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-PRIME2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1700 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1400 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 98 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+80759.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17KP4B2NOSA2InfineonFF1200R17KP4B2NOSA2 FF1200R17KP4_B2 IGBT Modules IGBT 1700V 1200A Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17KP4B2NOSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 1.7kA; 1.4kW; Field Stop,Trench; screw
Pulsed collector current: 2.4kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.7kA
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 1.4kW
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17KP4B2NOSA2Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 1.7KA 6250W 7-Pin IHM130-1 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17KP4_B2Infineon TechnologiesIGBT Modules IGBT 1700V 1200A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R33KF2EUPECMODULE
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200XTR17T2P5BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 1.2KA 15-Pin Tray
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+107746.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200XTR17T2P5BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF1200XTR17T2P5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.2 kA, 1.8 V, 1200 kW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: 1200kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 1.2kA
Produktpalette: XHP 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200XTR17T2P5BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules 1700 V, 1200 A dual IGBT module
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200XTR17T2P5BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 1.2KA 15-Pin Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+40755.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200XTR17T2P5BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 1.2KA 15-Pin Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+40755.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200XTR17T2P5BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 1.2KA 15-Pin Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200XTR17T2P5BPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 1200A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1.2kA
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1200000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 56000 pF @ 25 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+64103.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200XTR17T2P5BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 1.2KA 15-Pin Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200XTR17T2P5PBPSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.1kA; Inverter; screw
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.1kA
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200XTR17T2P5PBPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 1.07KA 15-Pin Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200XTR17T2P5PBPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 1200A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1.2kA
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1200000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 56000 pF @ 25 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+65747.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200XTR17T2P5PBPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 1.07KA 15-Pin Tray
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+110511.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200XTR17T2P5PBPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF1200XTR17T2P5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.07 kA, 1.8 V, 1200 kW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: 1200kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 1.07kA
Produktpalette: XHP 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200XTR17T2P5PBPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 1.07KA 15-Pin Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200XTR17T2P5PBPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules 1700 V, 1200 A dual IGBT module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200XTR17T2P5PBPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 1.07KA 15-Pin Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF12013M2QfastSiCDescription: SICFET N-CH 1200V 127A TO-247-4L
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3314.75 грн
10+2659.86 грн
100+2127.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12030M2QfastSiCDescription: SICFET N-CH 1200V 68A TO-247-4L
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1328.57 грн
10+1066.43 грн
100+853.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12030M2TfastSiCDescription: SICFET N-CH 1200V 77A T2PAK
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1328.57 грн
10+1066.43 грн
100+853.10 грн
600+400.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12040J-7fastSiCDescription: SICFET N-CH 1200V 45A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3129 pF @ 800 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1530.79 грн
10+539.75 грн
100+503.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12040QAfastSiCDescription: SICFET N-CH 1200V 54A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3129 pF @ 800 V
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1558.22 грн
10+550.01 грн
100+512.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12080E-3AfastSiCDescription: SICFET N-CH 1200V 29A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 8A, 18V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1548 pF @ 800 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+896.68 грн
10+316.56 грн
100+294.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12080J-7AfastSiCDescription: SICFET N-CH 1200V 31A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 8A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1548 pF @ 800 V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+869.25 грн
10+306.82 грн
100+285.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12080QAfastSiCDescription: SICFET N-CH 1200V 29A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 8A, 18V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1548 pF @ 800 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+896.68 грн
10+316.56 грн
100+294.93 грн
600+270.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12190M2AfastSiCDescription: SICFET N-CH 1200V 14A TO-252
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.25 грн
10+176.85 грн
100+141.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF12190M2CfastSiCDescription: SICFET N-CH 1200V 16.5A TO-220
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.42 грн
10+216.77 грн
100+173.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF12190M2DfastSiCDescription: SICFET N-CH 1200V 10.8A TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.44 грн
10+208.32 грн
100+166.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF12190M2J-7fastSiCDescription: SICFET N-CH 1200V 13A TO-263-7L
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1292.51 грн
10+1037.00 грн
100+829.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1300004Diodes IncorporatedCrystals Crystal Ceramic SEAM4025 T&R 1K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1300004Diodes ZetexCrystal 13MHz FUND 4-Pin Mini-CSMD T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1300004Diodes IncorporatedDescription: CRYSTAL SURFACE MOUNT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.157" L x 0.098" W (4.00mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.030" (0.75mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1300UXTR23T2M1BPSA1Infineon TechnologiesMOSFET Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 2300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1300UXTR23T2M1BPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 2.3KV 1.07KA Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1300UXTR23T2M1BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF1300UXTR23T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 1.07 kA, 2.3 kV, 0.00159 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: 3A228.c
Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.07kA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00159ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF1300UXTR23T2M1BPSA1Infineon TechnologiesDescription: XHP LV
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 2300V (2.3kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07kA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143000pF @ 1500V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.59mOhm @ 1.5kA, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3980nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 675mA
Supplier Device Package: AG-XHP2K17
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+198169.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1300UXTR23T2M1BPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 2.3KV 1.07KA Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1300UXTR23T2M1PBPSA1Infineon Technologies Americas Corp.Description: FET 2N-CH 2.3KV 1KA AG-XHP2K23
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 20mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 2300V (2.3kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1000A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143000pF @ 1.5kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.59mOhm @ 1.5kA, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.98µC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 675mA
Supplier Device Package: AG-XHP2K17
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+206190.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1300UXTR23T2M1PBPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 2.3KV 1KA Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1300UXTR23T2M1PBPSA1Infineon TechnologiesMOSFET Modules XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET and NTC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1300UXTR23T2M1PBPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF1300UXTR23T2M1PBPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 1 kA, 2.3 kV, 0.00159 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: 3A228.c
Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1kA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00159ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF1300UXTR23T2M1PBPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 2.3KV 1KA Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.