Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GSFD4N65Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 650
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.70 грн
11+29.62 грн
100+19.02 грн
500+13.56 грн
1000+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD500P10Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -30.00A, -
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.37 грн
10+39.71 грн
100+27.48 грн
500+21.55 грн
1000+18.34 грн
2500+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD6008Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 7.00A, 600
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 100 V
на замовлення 4911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.18 грн
10+65.59 грн
100+43.80 грн
500+32.35 грн
1000+29.53 грн
2500+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD6016Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.29 грн
13+24.75 грн
100+17.22 грн
500+12.62 грн
1000+10.26 грн
2500+9.17 грн
5000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD65R900Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 650
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.77 грн
10+48.91 грн
100+32.20 грн
500+23.47 грн
1000+21.30 грн
2500+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD6959Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.25 грн
10+39.94 грн
25+35.93 грн
100+29.61 грн
250+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD6959Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD8005Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.5A, 800V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.20 грн
10+54.67 грн
25+45.62 грн
100+33.11 грн
250+28.35 грн
500+25.43 грн
1000+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD8005Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.5A, 800V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD9R706Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
на замовлення 3866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.69 грн
10+33.95 грн
100+21.99 грн
500+15.80 грн
1000+14.25 грн
2500+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFDT90R120Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 900
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 874 pF @ 50 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.11 грн
10+143.29 грн
100+99.65 грн
500+76.03 грн
1000+70.41 грн
2000+65.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFF0308Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 780MA, 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 446mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFF0308Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 780MA, 30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 446mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 15 V
на замовлення 15890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
14+21.54 грн
25+18.04 грн
100+10.71 грн
250+8.27 грн
500+7.05 грн
1000+4.71 грн
2500+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFF3134Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.75A, 20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 650mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 16 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFF3134Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.75A, 20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 650mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 16 V
на замовлення 7227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.54 грн
52+5.76 грн
100+3.82 грн
500+2.72 грн
1000+2.43 грн
2000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFG65R900Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 650
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.21 грн
75+36.27 грн
150+32.33 грн
525+25.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH03152Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150.00A, 3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.16 грн
11+27.67 грн
25+24.77 грн
100+20.30 грн
250+18.88 грн
500+18.02 грн
1000+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH06100Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 100A, 60V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 30 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.69 грн
10+83.76 грн
25+71.20 грн
100+53.52 грн
250+47.03 грн
500+43.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH0625Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -25.00A, -
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 30 V
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.67 грн
50+31.19 грн
100+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH0680Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.10 грн
10+49.88 грн
100+32.78 грн
500+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH08140Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 140.00A, 8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.74 грн
50+46.35 грн
100+41.30 грн
500+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH0970Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 160A, 100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.76 грн
10+207.98 грн
25+196.21 грн
100+156.88 грн
250+147.30 грн
500+128.89 грн
1000+105.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH0980Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150A, 100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 275W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13300 pF @ 25 V
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.59 грн
10+89.89 грн
50+77.02 грн
100+68.51 грн
250+64.54 грн
500+62.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH10120Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 180.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8402 pF @ 50 V
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.85 грн
10+73.67 грн
25+66.92 грн
100+55.80 грн
250+52.46 грн
500+50.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH5010Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 9A, 500V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.11 грн
10+52.72 грн
50+44.59 грн
100+39.49 грн
250+36.99 грн
500+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH5020Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 50
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 252W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2687 pF @ 25 V
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.31 грн
10+104.70 грн
25+89.33 грн
100+67.57 грн
250+59.64 грн
500+54.79 грн
1000+49.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH5R010Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 120.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5208 pF @ 50 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.60 грн
50+55.10 грн
100+49.22 грн
500+36.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH60R160Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 24.00A, 60
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1482 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.98 грн
50+115.71 грн
100+104.55 грн
500+79.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH60R190Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 60
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1174 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.95 грн
50+88.98 грн
100+80.03 грн
500+60.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH60R570Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 7.00A, 600
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.54 грн
50+68.42 грн
100+54.21 грн
500+43.12 грн
1000+35.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH80R420Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 12.00A, 80
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.40 грн
50+84.82 грн
100+76.33 грн
500+57.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH80R900Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.00A, 800
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.74 грн
50+46.35 грн
100+41.30 грн
500+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH9506Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6A, 950V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 878 pF @ 50 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.72 грн
10+169.24 грн
100+118.28 грн
500+90.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH9R015Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 100.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 75 V
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.95 грн
50+97.48 грн
100+88.86 грн
500+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFIBER-SFP-10KRed Lion ControlsDescription: SFP TXRX SINGLEMOOD 1310FP 10KM
Packaging: Bulk
Connector Type: LC
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Applications: General Purpose
Data Rate: 1.25Gbps
Part Status: Active
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+30120.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSFIBER-SFP-10KRed LionFibre Optic Transmitters, Receivers, Transceivers Gigabit, SFP/LC, singlemode, 1310nm, 10km typical
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+42880.18 грн
10+38202.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSFIBER-SFP-10K-CATGBICSDescription: Compatible SFP 1000Mb
Data Rate: 1000Mbps
Applications: Networking, General Purpose
Voltage - Supply: 3.3V
Mounting Type: Pluggable, SFP
Wavelength: 1310nm
Connector Type: LC Duplex
Packaging: Retail Package
на замовлення 3451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2079.05 грн
50+1905.51 грн
150+1802.16 грн
1000+1600.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSFIBER-SFP-10K-CAmphenol ProLabsFibre Optic Transmitters, Receivers, Transceivers Sixnet GSFIBER-SFP-10K Compatible TAA 1000Base-LX SFP Transceiver (SMF, 1310nm, 10km, LC, DOM)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFIBER-SFP-30KRed Lion ControlsDescription: SFP TXRX SINGLEMOOD 1550DFB 30KM
Packaging: Bulk
Connector Type: LC
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Applications: General Purpose
Data Rate: 1.25Gbps
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFIBER-SFP-30K-CATGBICSDescription: Compatible SFP 1000Mb
Connector Type: LC Duplex
Packaging: Tray
Data Rate: 1000Mbps
Applications: Networking, General Purpose
Voltage - Supply: 3.3V
Mounting Type: Pluggable, SFP
Wavelength: 1310nm
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2414.55 грн
50+2209.10 грн
150+2092.83 грн
1000+1854.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSFIBER-SFP-50KRed Lion ControlsDescription: SFP TXRX SINGLEMOOD 1550DFB 50KM
Packaging: Bulk
Connector Type: LC
Wavelength: 1550nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Applications: General Purpose
Data Rate: 1.25Gbps
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFIBER-SFP-50K-CATGBICSDescription: Compatible SFP 1000Mb
Packaging: Tray
Connector Type: LC Duplex
Wavelength: 1550nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Networking, General Purpose
Data Rate: 1000Mbps
на замовлення 4292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3957.72 грн
50+3623.70 грн
150+3429.91 грн
1000+3043.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSFIBER-SFP-80KRed LionFibre Optic Transmitters, Receivers, Transceivers Gigabit, SFP/LC, singlemode, 1550nm, 80km typical
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFIBER-SFP-80KRed Lion ControlsDescription: G SM-80KM F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFIBER-SFP-80K-CAmphenol ProLabsFibre Optic Transmitters, Receivers, Transceivers Sixnet GSFIBER-SFP-80K Compatible TAA 1000Base-ZX SFP Transceiver (SMF, 1550nm, 80km, LC, DOM)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFIBER-SFP-80K-CATGBICSDescription: Compatible SFP 1000Mb
Packaging: Retail Package
Connector Type: LC Duplex
Wavelength: 1550nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Networking, General Purpose
Data Rate: 1000Mbps
на замовлення 4677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3957.72 грн
50+3623.70 грн
150+3429.91 грн
1000+3043.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0300Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, DUAL, 0.8A, 30V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.29 грн
14+21.54 грн
25+18.88 грн
100+11.46 грн
250+9.49 грн
500+7.59 грн
1000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0300Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, DUAL, 0.8A, 30V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0501Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, DUAL, -130MA, -50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.29 грн
14+21.54 грн
25+18.88 грн
100+11.46 грн
250+9.49 грн
500+7.59 грн
1000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0501Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, DUAL, -130MA, -50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0501EGood-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, DUAL, -180MA, -50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.2pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 150mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 530pC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
13+23.41 грн
25+20.49 грн
100+12.44 грн
250+10.30 грн
500+8.24 грн
1000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0501EGood-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, DUAL, -180MA, -50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.2pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 150mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 530pC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0502Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, DUAL, 0.3A, 50V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.51 грн
13+23.18 грн
25+19.41 грн
100+11.54 грн
250+8.91 грн
500+7.59 грн
1000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0502Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, DUAL, 0.3A, 50V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK06002Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.3A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 580nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK06002Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.3A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 580nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 5214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.75 грн
24+12.56 грн
100+7.84 грн
500+5.43 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK3420Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V, 1Ohm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V, 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK3420Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.8A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V, 1Ohm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V, 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
16+19.59 грн
25+17.71 грн
100+11.48 грн
250+9.66 грн
500+7.85 грн
1000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFKR00801T4D(Z)TBI MotionDescription: BALL SCREW NUT 8MM DIA 1MM LEAD
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10987.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSFKR00802T3D(Z)TBI MotionDescription: BALL SCREW NUT 8MM DIA 2MM LEAD
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10233.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSFKR0082.5T3D(Z)TBI MotionDescription: BALL SCREW NUT 8MM DIA 2.5MM LEA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10233.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSFKR01002T3D(Z)TBI MotionDescription: BALL SCREW NUT 10MM DIA 2MM LEAD
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10233.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSFKR01004T3D(Z)TBI MotionDescription: BALL SCREW NUT 10MM DIA 4MM LEAD
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10233.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSFKR01202T4D(Z)TBI MotionDescription: BALL SCREW NUT 12MM DIA 2MM LEAD
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8132.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSFKW0202Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 2.5A, 20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFKW0202Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 2.5A, 20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+6.99 грн
79+3.81 грн
91+3.32 грн
108+2.61 грн
250+2.37 грн
500+2.22 грн
1000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFL1003Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2A, -100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.78W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFL1003Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2A, -100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.78W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
11+29.09 грн
25+27.10 грн
100+20.36 грн
250+18.91 грн
500+16.00 грн
1000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFL1004Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
13+24.38 грн
25+22.29 грн
100+15.56 грн
250+14.10 грн
500+11.67 грн
1000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFL1004Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.88 грн
6000+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFL2004Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775 pF @ 30 V
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.50 грн
13+23.78 грн
100+16.09 грн
500+11.80 грн
1000+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFL2004Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.27 грн
6000+9.12 грн
9000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFL65R900Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 650
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.10 грн
10+50.63 грн
100+33.38 грн
500+24.37 грн
1000+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFL65R900Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 650
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN0205Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, DUAL, -5.5A, -20V,
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.12 грн
6000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN0205Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, DUAL, -5.5A, -20V,
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.82 грн
10+37.54 грн
25+35.06 грн
100+26.31 грн
250+24.44 грн
500+20.67 грн
1000+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN0232Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET 20V 32A 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-DFN (2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 5.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Power - Max: 20W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN0232Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET 20V 32A 6DFN
Part Status: Active
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 5.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 20W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 6-DFN (2x3)
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.51 грн
16+19.67 грн
25+17.50 грн
100+14.23 грн
250+13.18 грн
500+12.55 грн
1000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN0982Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 48A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 50 V
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.81 грн
10+36.35 грн
25+32.67 грн
100+26.89 грн
250+25.09 грн
500+24.01 грн
1000+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN0982Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 48A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN0988Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 16A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 32.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.05x3.08)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 20 V
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.83 грн
10+31.78 грн
25+29.68 грн
100+22.30 грн
250+20.71 грн
500+17.52 грн
1000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN0988Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 16A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 32.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.05x3.08)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN11006Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60.00A, 60
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.15x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN11006Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60.00A, 60
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.15x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.53 грн
10000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN13010Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50.00A, 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1716 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN13010Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50.00A, 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1716 pF @ 50 V
на замовлення 9770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN2306Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 65A, 20V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 44.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.05x3.08)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN2306Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 65A, 20V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 44.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.05x3.08)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 10 V
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.92 грн
10+33.43 грн
25+27.88 грн
100+20.30 грн
250+17.39 грн
500+15.62 грн
1000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN26010Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 25.00A, 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1355 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.99 грн
10000+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN26010Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 25.00A, 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1355 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3013Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -40.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 15 V
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.61 грн
13+23.41 грн
100+14.88 грн
500+10.51 грн
1000+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3013Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -40.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3019Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -30.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
на замовлення 4016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.40 грн
16+19.59 грн
100+12.42 грн
500+8.72 грн
1000+7.78 грн
2000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3019Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -30.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3110Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50.00A, 30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3110Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50.00A, 30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3904Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3904Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 25 V
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
14+21.46 грн
25+19.15 грн
100+15.58 грн
250+14.44 грн
500+13.76 грн
1000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3906Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60A, 30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3906Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60A, 30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
11+27.22 грн
25+25.37 грн
100+19.04 грн
250+17.68 грн
500+14.96 грн
1000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  Наступна Сторінка >> ]