Продукція > IDH
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDH16G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 34A PGTO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 34A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V | на замовлення 3595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH16G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 34A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH16G65C6XKSA1 Код товару: 150355
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDH16G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 34A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH16G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 34A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH16G65C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; PG-TO220-2; 97W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 65A Leakage current: 123µA Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.17...1.37mm Power dissipation: 97W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH16G65C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH16G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 21.5 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 21.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH16G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 7546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH16G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 34A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH16S60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 600V 16A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH16S60CAKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH16S60CAKSA1 - IDH16S60C - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 12385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH16S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 16A TO220-2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 650pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V | на замовлення 12385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G120C5 | Infineon technologies | на замовлення 49 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDH20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 5349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE | на замовлення 998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 1.2KV 56A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1050pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 56A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 123 µA @ 1200 V | на замовлення 483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; PG-TO220-2; 330W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 0.168kA Leakage current: 8.5µA Power dissipation: 330W Kind of package: tube | на замовлення 486 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G120C5XKSA1 | Infineon | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 56A TO220-2 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 5349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G120C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH20G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 56 A, 82 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 82nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 56A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH20G65C5 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; PG-TO220-2; 157W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Max. forward voltage: 1.8V Max. forward impulse current: 119A Leakage current: 4.1µA Power dissipation: 157W Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.17...137mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH20G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH20G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2 Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Current - Average Rectified (Io): 20A Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V | на замовлення 728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH20G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 29nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 151 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G65C6 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH20G65C6 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 41A PGTO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 41A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V | на замовлення 2577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 1707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G65C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH20G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 41 A, 26.8 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 41A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH20G65C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; PG-TO220-2; 108W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 6G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 79A Leakage current: 153µA Power dissipation: 108W Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.17...1.37mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH20G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH20G65C6XKSA1 IDH20G65C6 | Infineon | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH30E120 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDHDA12 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER DA SERIES Compatible Tools: IDB-12 Tool Type: Die Head For Use With/Related Products: DA Series IDC Connectors Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDHDBDC12 | JST Sales America Inc. | Description: TOOL HEADER ADAPTER FOR IDB-12 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDHDDDS12 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER DD/DS SERIES Packaging: Bulk For Use With/Related Products: DD/DS Series IDC Connectors Tool Type: Die Head Compatible Tools: IDB-12 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDHDR12 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER DR SERIES Compatible Tools: IDB-12 Tool Type: Die Head For Use With/Related Products: DR Series IDC Connectors Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDHHR12 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER HR SERIES Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Rectangular IDC Connectors, 24 AWG Tool Type: Die Head Compatible Tools: IDB-12 Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDHKR12 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER KR SERIES Part Status: Active Compatible Tools: IDB-12 Tool Type: Die Head For Use With/Related Products: KR Series IDC Connectors Packaging: Bulk | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDHNR12 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER NR SERIES Packaging: Bulk For Use With/Related Products: NR Series IDC Connectors Tool Type: Die Head Compatible Tools: IDB-12 Part Status: Active | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDHPREMKIT1PK | Intel | Development Software | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDHSR20 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER SR SERIES Part Status: Active Compatible Tools: IDB-12 Tool Type: Die Head For Use With/Related Products: Rectangular IDC Connectors, 30 AWG Packaging: Box | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDHSSR20 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER SSR SERIES Compatible Tools: IDB-12 Tool Type: Die Head For Use With/Related Products: Rectangular IDC Connectors, 32 AWG Packaging: Bulk | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDHVR12 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER VR SERIES Compatible Tools: IDB-12 Tool Type: Die Head For Use With/Related Products: VR Series IDC Connectors Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDHZR(F)20 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER ZR SERIES Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Rectangular IDC Connectors, 28-30 AWG Tool Type: Die Head Compatible Tools: IDB-12 Part Status: Active | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

