Продукція > IPG

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPG20N06S4L26ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S4L26ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.04 грн
50+47.52 грн
250+39.79 грн
1000+32.98 грн
3000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L26ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 33W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 33W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L26ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L26ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 33W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L26ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S4L26ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.52 грн
250+39.79 грн
1000+32.98 грн
3000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L26ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
на замовлення 5526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.56 грн
10+68.99 грн
100+41.28 грн
500+32.45 грн
1000+29.06 грн
5000+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L26ATMA1Infineon
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L26ATMA1 IPG20N06S4L26InfineonMOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S436AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S436AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.031ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.04 грн
500+50.71 грн
1000+36.38 грн
2500+35.41 грн
5000+34.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S436AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S436AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 55536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.79 грн
10+86.08 грн
100+58.10 грн
500+43.29 грн
1000+39.67 грн
2000+37.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S436AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S436AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.031ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.92 грн
10+86.98 грн
100+66.04 грн
500+50.71 грн
1000+36.38 грн
2500+35.41 грн
5000+34.45 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S436AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 100+
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.58 грн
10+92.89 грн
100+54.33 грн
500+43.08 грн
1000+37.76 грн
2500+37.14 грн
5000+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S436AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S436AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.90 грн
10000+33.37 грн
15000+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S436AATMA1 IPG20N10S4-36AInfineonMOSFET 2N-CH 8TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L-22Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.41 грн
10+114.32 грн
100+67.65 грн
500+57.23 грн
1000+50.67 грн
2500+47.98 грн
5000+46.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L-22AInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 4816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.41 грн
10+114.32 грн
100+67.65 грн
500+57.02 грн
1000+50.53 грн
2500+47.77 грн
5000+45.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L-22AInfineon
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L-35Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
на замовлення 1513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.80 грн
10+93.68 грн
100+54.74 грн
500+44.32 грн
1000+39.76 грн
2500+38.94 грн
5000+35.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
на замовлення 10656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.97 грн
10+107.32 грн
100+73.16 грн
500+54.96 грн
1000+50.55 грн
2000+50.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L22AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 13497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.81 грн
500+45.17 грн
1000+40.87 грн
5000+40.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.41 грн
10000+43.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L22AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 13497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.66 грн
10+81.35 грн
100+60.81 грн
500+45.17 грн
1000+40.87 грн
5000+40.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.91 грн
10+100.82 грн
100+63.51 грн
500+53.09 грн
1000+49.43 грн
2500+47.77 грн
5000+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+141.13 грн
117+121.92 грн
118+120.64 грн
150+91.18 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.08 грн
10+105.60 грн
100+72.05 грн
500+54.13 грн
1000+49.79 грн
2000+49.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+92.18 грн
162+87.95 грн
181+78.44 грн
200+72.74 грн
1000+62.61 грн
2000+57.53 грн
5000+56.59 грн
10000+55.14 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L22ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 42927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+119.20 грн
250+80.46 грн
1000+55.57 грн
3000+50.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
на замовлення 7214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.13 грн
10+124.64 грн
100+74.56 грн
500+62.34 грн
1000+55.71 грн
2500+52.67 грн
5000+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.13 грн
10+121.92 грн
25+120.64 грн
100+91.18 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+100.96 грн
142+100.12 грн
182+78.31 грн
200+72.62 грн
1000+62.40 грн
2000+57.42 грн
5000+56.49 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L22ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 42342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.08 грн
50+108.73 грн
250+75.71 грн
1000+51.30 грн
3000+46.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.78 грн
10+82.56 грн
100+51.09 грн
500+42.80 грн
1000+37.55 грн
2500+37.00 грн
5000+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+112.06 грн
139+102.05 грн
171+83.02 грн
200+74.94 грн
1000+61.42 грн
2000+55.05 грн
5000+53.60 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.23 грн
10+88.92 грн
100+59.99 грн
500+44.68 грн
1000+40.95 грн
2000+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L35AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS T2
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.83 грн
500+30.81 грн
1000+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L35AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS T2
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.85 грн
14+58.07 грн
100+40.83 грн
500+30.81 грн
1000+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.45 грн
50+86.18 грн
250+59.12 грн
1000+39.56 грн
3000+35.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
на замовлення 20187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.78 грн
10+86.53 грн
100+52.33 грн
500+43.08 грн
1000+37.76 грн
2500+37.14 грн
5000+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.65 грн
10+101.34 грн
100+68.42 грн
500+50.97 грн
1000+46.72 грн
2000+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.18 грн
250+59.12 грн
1000+39.56 грн
3000+35.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+72.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 100V; 17A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 43W
Case: PG-TDSON-8-4
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG6-27390-1Sensata Technologies/AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPGH11-20845-2-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Part Status: Active
Number of Poles: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPGH11-28676-25-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Part Status: Active
Number of Poles: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPGH11-30036-1-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Number of Poles: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPGH11-30036-7Sensata-AirpaxDescription: CIR BRKR MAG-HYDR LEVER
Part Status: Active
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Actuator Type: Lever
Mounting Type: Panel Mount
Packaging: Bulk
Number of Poles: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPGH111-25450-1-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPGH1111-23259-1-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Part Status: Active
Number of Poles: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPGH1111-28676-2-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Part Status: Active
Number of Poles: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPGH266-20628-2Sensata Technologies/AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPGH66-20788-1-VSensata Technologies/AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPGH66-20788-2-VSensata Technologies/AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPGH66-20788-3-VSensata Technologies/AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPGH666-1REC4-23578-1-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Part Status: Active
Number of Poles: 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPGHB111-22761-1Sensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Number of Poles: 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPGHF666-32689-30Sensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPGSK-1316Sure-SealDescription: GASKET CIRCULAR 13/16 10PK
Packaging: Box
Accessory Type: Gasket
Part Status: Active
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+681.11 грн
10+655.73 грн
25+524.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPGSK-1316ITTIPGSK-1316
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+313.03 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4