Продукція > NSB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NSBA115TDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA115TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EDXV6T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 3759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EDXV6T1GonsemiDescription: NSBA123 - 50V DUAL PNP BIPOLAR D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EF3onsemi PNP DIGITAL TRANSISTOR (B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EF3T5GonsemiDigital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5912+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 5912 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA123EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6086+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 6086 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA123JDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6onsemiDescription: DUAL PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA123JDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 164737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 164737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 7212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1G
на замовлення 481 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA123JDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 943798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 7678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA123JF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 472000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
на замовлення 472000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7592+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 7592 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
на замовлення 133500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6086+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 6086 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA123TDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 133500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA123TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7592+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 7592 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123YMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
15+20.38 грн
100+12.94 грн
500+9.12 грн
1000+8.14 грн
2000+7.31 грн
5000+6.31 грн
10000+5.77 грн
50000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA124EDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA124EDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T1Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6010 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA124EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 500mW; SOT563; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 60...100
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 4000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 7350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA124EDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T5Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6010 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 293500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3523+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 3523 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA124EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 293500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EF3T5GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 297mW; SOT1123; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 297mW
Case: SOT1123
Current gain: 60...100
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 8000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
на замовлення 7489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EMXWTBGonsemiDigital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
15+20.38 грн
100+12.94 грн
500+9.12 грн
1000+8.14 грн
2000+7.31 грн
5000+6.31 грн
10000+5.77 грн
50000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA124XDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XDXV6T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 500mW; SOT563; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 80...130
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 4000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 DUALL 22/47
на замовлення 6222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XF3T5GonsemiDigital Transistors PNP DIGITAL TRANSISTOR (BRT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA124XF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XF3T5GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 297mW; SOT1123; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 297mW
Case: SOT1123
Current gain: 80...130
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 8000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDP6T5GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143EDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 4537 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 45500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1872+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 1872 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 7776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 456000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4034+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 4034 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 304000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 152000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.17 грн
16000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
15+20.38 грн
100+12.94 грн
500+9.12 грн
1000+8.14 грн
2000+7.31 грн
5000+6.31 грн
10000+5.77 грн
50000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EMXWTBGonsemiDigital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143TDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 4537 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1872+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 1872 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143TDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143TDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T5onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 4537 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3692+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 3692 шт
В кошику  од. на суму  грн.