Продукція > NVD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVD5862NT4G-VF01onsemiDescription: NFET DPAK 60V 98A 5.7MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5863NL
на замовлення 27600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5863NLT4GON SemiconductorMOSFET NFET 60V 73A 8.2MOHM
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5863NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5863NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5863NLT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 14.9A/82A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5863NLT4G-VF01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 60V 73A 8.2MOHM
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5865NLonsemionsemi NFET DPAK 60V 34A 18MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5865NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/46A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5865NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/46A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5865NLT4GonsemiMOSFET NFET 60V 34A 18MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5867NLonsemionsemi NFET DPAK 60V 18A 43MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5867NLT4GonsemiMOSFET NFET 60V 18A 43MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5867NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/22A DPAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5867NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5867NLT4G-TB01onsemiMOSFET NFET DPAK 60V 22A 39MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5867NLT4G-TB01onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/22A DPAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5890Nonsemionsemi NFET DPAK 40V 100A 3.7MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5890NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5890NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+103.26 грн
500+92.93 грн
1000+85.71 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5890NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5890NLT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 40V 123A 3.7MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5890NLT4G-VF01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 40V 123A 3.7MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5890NLT4G-VF01onsemiDescription: NFET DPAK 40V 123A 3.7MOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5890NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5890NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+77.68 грн
204+69.59 грн
229+61.91 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5890NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.68 грн
11+69.59 грн
100+61.91 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5890NT4GON SemiconductorMOSFET 8-64MHZ 3.3V GP EMI
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5890NT4G-VF01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 40V 100A 3.7MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5890NT4G-VF01onsemiDescription: POWER MOSFET 40V, 123A, 3.7 MOHM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C434NT4GON SemiconductorMOSFET T6 40V SL IN DPAK
на замовлення 3654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C434NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C434NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 163 A, 1700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C434NT4GonsemiMOSFETs T6 40V SL IN DPAK
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C434NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C434NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 163 A, 0.0017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C446NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C446NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 101W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C446NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 101A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.14 грн
10+128.46 грн
100+88.84 грн
500+69.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C446NT4GonsemiMOSFETs T6 40V SL DPAK
на замовлення 3463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C446NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C446NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 101W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C446NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 101A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C454NLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C454NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 84 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C454NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/84A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 70µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.60 грн
10+108.46 грн
100+86.35 грн
500+68.57 грн
1000+58.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C454NLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C454NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 84 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C454NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/84A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 70µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C454NLT4GonsemiMOSFETs T6 40V DPAK EXP
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C454NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 19A/82A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.33 грн
10+110.05 грн
100+79.53 грн
500+63.36 грн
1000+58.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C454NT4GonsemiMOSFETs T6 40V DPAK EXP
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C454NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 19A/82A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C460NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/73A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C460NLT4GON SemiconductorMOSFET T6 40V DPAK EXP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C460NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/73A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C460NLT4GonsemiMOSFETs T6 40V DPAK EXP
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C460NT4GonsemiMOSFETs T6 40V DPAK EXP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C464NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C464NLT4GonsemiMOSFETs T6 40V DPAK EXP
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C464NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Reel
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+16.93 грн
46+16.76 грн
100+16.00 грн
250+14.67 грн
500+13.94 грн
1000+13.80 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C464NLT4GON SemiconductorMOSFET T6 40V DPAK EXP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C464NT4GonsemiMOSFETs T6 40V SL DPAK
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C464NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 16A/59A DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C464NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.78 грн
13+61.98 грн
25+60.19 грн
100+41.02 грн
250+36.12 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C464NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C464NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 59 A, 0.0048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C464NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C464NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 59 A, 0.0048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C464NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 16A/59A DPAK
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C464NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C478NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/45A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.30 грн
10+92.01 грн
100+65.36 грн
500+50.26 грн
1000+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C478NLT4GonsemiMOSFETs T6 40V DPAK EXP
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C478NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/45A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C478NLT4GON SemiconductorMOSFET T6 40V DPAK EXP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C478NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C478NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 43 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C478NT4GON SemiconductorMOSFET T6 40V DPAK EXP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C478NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C478NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 43 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C486NLT4GonsemiMOSFETs T6 40V DPAK EXP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C486NT4GonsemiMOSFETs T6 40V DPAK EXP
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C632NLonsemi T6 60V LL DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C632NLT4GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 155A, 2.5mohm DPAK 2500 tape and reel
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C632NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 29A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C632NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 29A/155A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLonsemi T6 60V LL DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.79 грн
10+164.35 грн
25+162.65 грн
100+131.75 грн
250+120.72 грн
500+101.99 грн
1000+100.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.0041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 72W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 292500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+186.79 грн
87+162.65 грн
104+131.75 грн
250+120.72 грн
500+101.99 грн
1000+100.78 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4GonsemiMOSFETs T6 60V LL DPAK
на замовлення 3353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 294425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.17 грн
10+160.01 грн
100+111.93 грн
500+85.73 грн
1000+79.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C668NLT4GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL DPAK
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C668NLT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 49A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C668NLT4GonsemiMOSFETs T6 60V LL DPAK
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C668NLT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 49A DPAK
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C684NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 38A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.71 грн
10+96.69 грн
100+76.97 грн
500+61.12 грн
1000+51.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C684NLT4GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL DPAK
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C684NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 38A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C688NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.01 грн
10+107.86 грн
50+81.89 грн
100+69.01 грн
500+55.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C688NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.15 грн
5000+43.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C688NLT4GonsemiMOSFET T6 60V LL DPAK
на замовлення 8340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6414ANT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 100V 34A 38MO
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6414ANT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 34A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6414ANT4G-VF01onsemiMOSFET NFET DPAK 100V 34A 38MO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6414ANT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6415ANLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.