Продукція > R60
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| R6007JNJGTL | ROHM | Description: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.78 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 94 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6007JNJGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007JNJGTL | ROHM | Description: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.78 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007JNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 7A 3rd Gen, Fast Recover | на замовлення 1855 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007JNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM | на замовлення 2036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007JNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6007JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 46W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 600V 7A TO-252, HIGH-SPEED S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6007KND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6007KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.62 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 78W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007KND3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO252 600V 7A N-CH MOSFET | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 600V 7A TO-252, HIGH-SPEED S Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6007KND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6007KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.62 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 78W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 90 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6007KNJTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V 7A Si MOSFET | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS | на замовлення 592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6007KNX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM | на замовлення 442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6007KNX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6007KNX | ROHM - Japan | MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM TO-220-3 Full Pack R6007KNX Rohm Semiconductor TR6007knx кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007KNX | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V 7A Si MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6007KNX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6007KNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220FM Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007KNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 600V 7A N-CH MOSFET | на замовлення 1986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007KNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007PC | Brady Corporation | Description: R6007PC HALOGEN FREE, 4.33" X 98 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6007RND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 7A TO-252, PRESTOMOS WITH I Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3.5A, 15V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 100 V | на замовлення 3012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007RND3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO252 650V 21A N-CH MOSFET | на замовлення 5390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007RND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 7A TO-252, PRESTOMOS WITH I Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3.5A, 15V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 100 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007RND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6007RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.73 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007RND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6007RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.73 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6008 | Brady Corporation | Description: R-6008HF 174MMX300M /O Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Printers Accessory Type: Ribbon Specifications: Black | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6008-00 | Harwin Inc. | Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 8MM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6008-00 | Harwin | Standoffs & Spacers 8.0 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER | на замовлення 1044 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6008ANJ | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6008ANJTL | на замовлення 360 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6008ANX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6008ANX | ROHM Semiconductor | MOSFETs Trans MOSFET N-CH 600V 8A | на замовлення 477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6008ANX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6008ANX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM | на замовлення 1234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6008FNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6008FNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS | на замовлення 1751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6008FNJTL | ROHM Semiconductor | MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6008FNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6008FNX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6008FNX | ROHM Semiconductor | MOSFETs Trans MOSFET N-CH 600V 8A | на замовлення 487 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6008FNX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM | на замовлення 777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009 | W.H. Brady | Printer Ribbon Black Side Out | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009 | Brady Corporation | Description: R6009 HALOGEN FREE, 4.33" X 500' Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009-00 | HARWIN | Description: HARWIN - R6009-00 - Leiterplattenbefestigung, doppelseitiger Einrasthalter, Nylon 6.6, 9.5mm x 4mm tariffCode: 74152900 Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6) productTraceability: No SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) rohsCompliant: YES Leiterplattenbefestigung: Doppelseitiger Einrasthalter euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Höhe: 9.5mm usEccn: EAR99 Außenbreite: 4mm Produktpalette: - | на замовлення 3414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009-00 | Harwin Inc. | Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 9.5MM Part Status: Active Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm) Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm) Mounting Panel Thickness: 0.063" (1.60mm) Mounting Hole Diameter: 0.157" (4.00mm) Holding Type: Snap Fit Between Board Height: 0.374" (9.50mm) Length - Overall: 0.681" (17.30mm) Material: Nylon Mounting Type: Snap Lock Packaging: Bulk | на замовлення 3936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009-00 | Harwin | Standoffs & Spacers 9.5 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER | на замовлення 3364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009END3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009END3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6009END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009END3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009END3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Low Noise | на замовлення 2241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009END3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6009END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009END3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009ENJTL | ROHM Semiconductor | MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | на замовлення 772 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009ENJTL | ROHM | Description: ROHM - R6009ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.535 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.535ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 64 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009ENJTL | ROHM | Description: ROHM - R6009ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.535 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.535ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LPTS Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009ENX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220FM Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) | на замовлення 397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009ENX | ROHM Semiconductor | MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET | на замовлення 429 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009ENXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6009ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.535 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.535ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009ENXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009ENXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 600V 9A N-CH MOSFET | на замовлення 3689 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6009JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 45 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009JND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6009JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JND3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Fast Recover | на замовлення 2396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JNJGTL | ROHM | Description: ROHM - R6009JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 87 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009JNJGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JNJGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Part Status: Active Supplier Device Package: LPTS Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JNJGTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Fast Recover | на замовлення 983 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JNJGTL | ROHM | Description: ROHM - R6009JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JNJGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 31 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009JNJGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JNJGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V Power Dissipation (Max): 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V | на замовлення 1899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Fast Recover | на замовлення 1957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 1585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6009JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 53W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 600V 9A TO-252, HIGH-SPEED S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 600V 9A TO-252, HIGH-SPEED S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009KND3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFET MOSFET 600V NCH 9A TO-252 | на замовлення 4979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009KNJTL | ROHM | Description: ROHM - R6009KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.535 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 94W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.535ohm | на замовлення 902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009KNJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 29 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009KNJTL | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 600V 9A Si MOSFET | на замовлення 353 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009KNJTL | ROHM | Description: ROHM - R6009KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.535 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 94W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.535ohm | на замовлення 902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009KNJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 49 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009KNX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V | на замовлення 247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009KNX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009KNX | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 600V 9A Si MOSFET | на замовлення 488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|