Продукція > R60

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 12 15 18 21 24 27 30 33  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
R6006KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 6A Power MOSFET. R6006KND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 2.8A SOT-223-3, HIGH-SPEED
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 3886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.79 грн
10+71.25 грн
100+47.55 грн
500+35.08 грн
1000+32.01 грн
2000+29.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND4TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND4TL1ROHMDescription: ROHM - R6006KND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.8 A, 0.87 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 12.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.87ohm
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND4TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.45 грн
10+75.84 грн
100+57.69 грн
500+45.28 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 2.8A SOT-223-3, HIGH-SPEED
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND4TL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 7655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND4TL1ROHMDescription: ROHM - R6006KND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.8 A, 0.87 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 12.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.87ohm
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND4TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+102.45 грн
187+75.84 грн
246+57.69 грн
500+45.28 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+97.19 грн
153+92.85 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 6A N-CH MOSFET
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+162.21 грн
131+108.11 грн
500+104.42 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.50 грн
50+122.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 6A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.63 грн
10+150.58 грн
50+115.86 грн
100+98.20 грн
500+79.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KNXC7GROHMDescription: ROHM - R6006KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6006PND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+303.09 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006PND3FRATLRohm SemiconductorDescription: 600V 6A TO-252, AUTOMOTIVE POWER
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006PND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.99 грн
10+171.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006PND3FRATLROHM SemiconductorMOSFETs TO252 600V 6A N-CH MOSFET
на замовлення 3765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6006PND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+227.99 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006PND3FRATLRohm SemiconductorDescription: 600V 6A TO-252, AUTOMOTIVE POWER
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.95 грн
10+140.92 грн
100+97.45 грн
500+74.02 грн
1000+70.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007W.H. BradyBlack Printer Ribbon, 4.33 in W x 984 ft L, For Use with 81 Label Printer, Thermal Transfer Printers
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+32186.46 грн
3+31331.72 грн
5+30731.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6007Brady CorporationDescription: R6000 HALO FREE RIB 1"DIA 1=984'
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BradyPrinter i7100, BBP®81 Label Printers, THT 3" Core Printer
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 4.33" x 984'
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16641.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6007END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6007END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+75.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007END3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 7A Power MOSFET. Power MOSFET R6007END3 is suitable for switching power supply.
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6007END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.74 грн
10+134.05 грн
100+106.65 грн
500+84.69 грн
1000+71.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.17 грн
10+137.87 грн
100+104.64 грн
500+85.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTLROHMDescription: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+266.12 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.52 грн
10+123.18 грн
100+84.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTLROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTLROHMDescription: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+75.86 грн
191+74.41 грн
200+71.05 грн
203+67.46 грн
1000+60.54 грн
2000+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+187.10 грн
103+138.56 грн
135+105.17 грн
500+85.57 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL
Код товару: 190145
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENXROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.84 грн
10+157.15 грн
100+126.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.12 грн
50+102.61 грн
100+98.71 грн
500+78.42 грн
1000+72.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 7A N-CH MOSFET
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 7A 3rd Gen, Fast Recover
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+145.71 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+88.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.34 грн
10+188.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.78 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 96W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+244.56 грн
75+189.34 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 96W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 96W
Gate charge: 17.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+145.71 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.78 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 96W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JNJGTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 7A 3rd Gen, Fast Recover
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6007JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.06 грн
10+128.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 7A 3rd Gen, Fast Recover
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+321.57 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
на замовлення 2036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.04 грн
10+190.81 грн
100+156.36 грн
500+124.92 грн
1000+105.35 грн
2000+100.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 7A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs TO252 600V 7A N-CH MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6007KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.62 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 7A TO-252, HIGH-SPEED S
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6007KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.62 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.14 грн
10+128.16 грн
100+103.06 грн
500+79.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNJTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 7A Si MOSFET
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+266.12 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.04 грн
10+126.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNXROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 7A Si MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNXROHM - JapanMOSFET N-CH 600V 7A TO220FM TO-220-3 Full Pack R6007KNX Rohm Semiconductor TR6007knx
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+150.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+181.98 грн
142+99.95 грн
149+95.23 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.64 грн
10+100.67 грн
50+99.66 грн
100+95.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+173.50 грн
140+101.18 грн
142+100.16 грн
143+95.74 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 7A N-CH MOSFET
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.17 грн
10+158.88 грн
50+122.44 грн
100+103.88 грн
500+84.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007PCBrady CorporationDescription: R6007PC HALOGEN FREE, 4.33" X 98
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 7A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007RND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6007RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.94 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
Verlustleistung: 96W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007RND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs TO252 650V 21A N-CH MOSFET
на замовлення 5390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 7A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 100 V
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.19 грн
10+68.08 грн
25+61.77 грн
100+51.46 грн
250+48.35 грн
500+46.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007RND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6007RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.94 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
Verlustleistung: 96W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6008Brady CorporationDescription: R-6008HF 174MMX300M /O
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Printers
Accessory Type: Ribbon
Specifications: Black
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6008-00HarwinStandoffs & Spacers 8.0 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6008-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 8MM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6008ANJ
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6008ANJTL
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6008ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6008ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.41 грн
10+183.94 грн
100+147.83 грн
500+113.98 грн
1000+94.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6008ANXROHM SemiconductorMOSFETs Trans MOSFET N-CH 600V 8A
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6008ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6008FNJTLROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 12 15 18 21 24 27 30 33  [ Наступна Сторінка >> ]