Продукція > RFP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RFP3008B&K PrecisionRF Test Equipment 8 GHz RF Power Sensor, Real-Time
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP3018B&K PrecisionRF Test Equipment 18 GHz RF Power Sensor, Real-Time
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP3018B&K PRECISIONDescription: B&K PRECISION - RFP3018 - HF-Leistungssensor, 50MHz bis 18GHz, -34dBm bis +20dBm, 100000 Messwerte/s, N-Stecker, RFP3000
Prüffrequenz: 50MHz bis 18GHz
Messgeschwindigkeit: 100000 Messwerte/s
Leistungsmessbereich: -34dBm bis +20dBm
HF-Steckverbinder: N-Stecker
Produktpalette: RFP3000
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP3018B&K PrecisionDescription: RF SENSOR RFM3000 SERIES
Part Status: Active
Tool Type: RF Sensor
For Use With/Related Products: RFM3000 Series
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP3040B&K PRECISIONDescription: B&K PRECISION - RFP3040 - HF-Leistungssensor, 50MHz bis 40GHz, -34dBm bis +20dBm, 100000 Messwerte/s, 2.92mm-Stecker
Prüffrequenz: 50MHz bis 40GHz
Messgeschwindigkeit: 100000 Messwerte/s
Leistungsmessbereich: -34dBm bis +20dBm
HF-Steckverbinder: 2.92mm-Stecker
Produktpalette: RFP3000
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP3040B&K PrecisionDescription: RF SENSOR RFM3000 SERIES
Part Status: Active
Tool Type: RF Sensor
For Use With/Related Products: RFM3000 Series
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP3055
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFP3055onsemi / FairchildMOSFET Power MOSFET N-Ch 60V/12a/0.150 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP3055onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP3055LEonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 8A, 5V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP3055LEFairchild
на замовлення 16595 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFP30N06LEonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 30A, 5V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP30N06LE
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFP30N06LEonsemiMOSFETs TO-220AB N-Ch Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP30N06LE_NLonsemi / FairchildMOSFET PWR MOS 60V/30A/0.047 OHM N-CH LOGIC-LVL ESD RATED TO-220A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP30N06LE_Qonsemi / FairchildMOSFET TO-220AB N-Ch Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP30N6LER4541Harris CorporationDescription: 30A, 60V, LOGIC LEVEL N CHANNEL
Packaging: Bulk
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
666+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 666 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP30P05onsemi / FairchildMOSFETs TO-220AB P-Ch Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP30P05onsemiDescription: MOSFET P-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP30P05ONS/FAIP-кан. MOSFET 60V, 27A, 0.07Ом, 120Вт, TO-220AB (HEXFET) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP30P05INTERSIL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFP30P06FSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFP30P06onsemi / FairchildMOSFET TO-247 P-Ch Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP30P06onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 30A TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP3118B&K PrecisionRF Test Equipment 18 GHz RF Power Sensor, Real-Time
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP3118B&K PrecisionDescription: RF SENSOR RFM3000 SERIES
Part Status: Active
Tool Type: RF Sensor
For Use With/Related Products: RFM3000 Series
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP3118B&K PRECISIONDescription: B&K PRECISION - RFP3118 - HF-Leistungssensor, 50MHz bis 18GHz, -50dBm bis +20dBm, 100000 Messwerte/s, N-Stecker, RFP3000
Prüffrequenz: 50MHz bis 18GHz
Messgeschwindigkeit: 100000 Messwerte/s
Leistungsmessbereich: -50dBm bis +20dBm
HF-Steckverbinder: N-Stecker
Produktpalette: RFP3000
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP3140B&K PrecisionDescription: RF SENSOR RFM3000 SERIES
Part Status: Active
Tool Type: RF Sensor
For Use With/Related Products: RFM3000 Series
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP3140B&K PrecisionRF Test Equipment 40 GHz RF Power Sensor, Real-Time
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP3N45Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP3N45
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFP40-100
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFP40-100RE
на замовлення 255 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFP40-33
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFP40N10ONS/FAIMOSFET Transistor, N-Channel, 40A, 100V, TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP40N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP40N10
Код товару: 56479
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
1+35.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RFP40N10onsemiMOSFETs TO-220AB N-Ch Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP40N10LEonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP40N10LEFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 40A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP40N10LE9ARenesas / IntersilMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP40N10S5001Harris CorporationDescription: 40A, 100V, 0.04OHM, N CHANNEL, M
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP40N10_F102Fairchild SemiconductorDescription: 40A, 100V, 0.04OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP40N10_NLonsemi / FairchildMOSFET PWR MOS 100V/40A/0.040 OHM N-CH TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP40N10_Qonsemi / FairchildMOSFET TO-220AB N-Ch Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP40P06
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFP4232PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP425BPRINT-RITEDescription: PRINT-RITE - RFP425B - Farbfilm, kompatibel, schwarz - ersetzt Panasonic KX-FA52
Verbrauchsmaterialtyp: Kompatibel
Druckermarke: Panasonic
Typennummer Originalpatrone: KX-FA52
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFP42N03
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFP42N03LFAIRCHILDTO-220
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFP42N03LHarris CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 42A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 42A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 63600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+88.60 грн
Мінімальне замовлення: 243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP45N02LHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+48.79 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP45N03
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFP45N03L
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFP45N03LHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 41855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+70.62 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP45N03SM
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFP45N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP45N06
на замовлення 5658 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFP45N06LEonsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP45N06LEHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
430+52.04 грн
Мінімальне замовлення: 430 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP45N06_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP4N05Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 6728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
566+39.70 грн
Мінімальне замовлення: 566 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP4N05Lonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP4N05LFairchild SemiconductorDescription: 4A, 50V, 0.8OHM, N-CHANNEL MOSFE
Packaging: Bulk
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
523+40.88 грн
Мінімальне замовлення: 523 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP4N05LONSEMIDescription: ONSEMI - RFP4N05L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
629+47.04 грн
Мінімальне замовлення: 629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP4N06Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+31.68 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP4N100
на замовлення 5747 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFP4N35Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP4N40Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
371+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50-30AMZ
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFP500Brady CorporationDescription: (RFP) RFP500, PAD, 15"X19", LGT,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N03
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N05HARRISRFP50N05
на замовлення 6402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.58 грн
500+115.16 грн
1000+106.21 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N05
на замовлення 33200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N05HARRISRFP50N05
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.58 грн
500+115.16 грн
1000+106.21 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N05HARRISRFP50N05
на замовлення 3398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.58 грн
500+115.16 грн
1000+106.21 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N05Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250nA
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 14764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+89.94 грн
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N05HARRISRFP50N05
на замовлення 3611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.58 грн
500+115.16 грн
1000+106.21 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N05LonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 50A TO220-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N05LonsemiMOSFETs 50V/50a/0.022Ohm NCh Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N05L_NLonsemi / FairchildMOSFET PWR MOS 50V/50A/0.022 OHM N-CH LOGIC-LVL TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N05L_Qonsemi / FairchildMOSFET 50V/50a/0.022Ohm NCh Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06
Код товару: 182601
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 50 A
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06HARRISRFP50N06
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+150.02 грн
500+134.66 грн
1000+124.03 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+117.17 грн
10+105.53 грн
50+88.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+150.02 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06onsemiMOSFETs TO-220AB N-CH POWER
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.01 грн
10+104.00 грн
100+80.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06
Код товару: 182599
Додати до обраних Обраний товар
HarrisТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 50 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+44.00 грн
10+39.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+105.79 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06HARRISRFP50N06
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+150.02 грн
500+134.66 грн
1000+124.03 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06ONSEMIDescription: ONSEMI - RFP50N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 131W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.97 грн
10+108.73 грн
100+94.23 грн
500+86.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06ONS/FAITO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+150.02 грн
500+134.66 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06
Код товару: 25146
Додати до обраних Обраний товар
FSТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 50 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+35.50 грн
10+31.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.70 грн
50+97.13 грн
100+87.61 грн
500+66.55 грн
1000+61.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+91.24 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06HARRISRFP50N06
на замовлення 8046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+150.02 грн
500+134.66 грн
1000+124.03 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06LE
Код товару: 189268
Додати до обраних Обраний товар
JSMICROТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 50 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+49.00 грн
10+44.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]