Продукція > RN2
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RN2107MFV,L3F(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2107MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | на замовлення 7158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2107MFV,L3F(CT | Toshiba | Digital Transistors 10kohm 47kohm 0.1A SOT-723 50V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 29 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2107MFV,L3XHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM Package / Case: SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistors Included: R1 and R2 Qualification: AEC-Q101 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: VESM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2107MFV,L3XHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723) | на замовлення 15965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2107MFV,L3XHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: VESM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) Resistors Included: R1 and R2 Qualification: AEC-Q101 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2107TE85L | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN2107TE85L(YH) | на замовлення 37005 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN2108 | TOSHIBA | 00+ | на замовлення 483010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2108(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM | на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2108(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2108(TE85L) | TOSHIBA | SOT416 | на замовлення 28068 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2108,LF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package | на замовлення 8899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2108,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2108,LF(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2108,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2108,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2108,LF(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2108,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2108,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2108,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2108,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM, | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2108/TE85L | TOSHIBA | 04+ SOT-523 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2108/Y1 | на замовлення 15200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN2108ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Part Status: Active Supplier Device Package: CST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2108CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2108CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2108CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2108MFV(TPL3) | Toshiba | Digital Transistors 100mA -50volts 3Pin 22K x 47Kohms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2108MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2108MFV,L3F | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2109 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN2109(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2109(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2109(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2109,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2109,LF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package | на замовлення 7399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2109,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2109,LXHF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2109,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 47 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SSM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2109,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 47 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SSM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2109ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: CST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 9900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2109CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2109CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2109CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2109F | TOSHIBA | SOT23 | на замовлення 3900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2109MFV(TL3,T) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor PNP 47kohm -100mA -50V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2109MFV(TPL3) | Toshiba | Digital Transistors 100mA -50volts 3Pin 47K x 22Kohms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2109MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2109MFV,L3F | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor PNP -.1A -50V 47kohm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 23 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2110 | TOSHIBA | на замовлення 14920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| RN2110(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN PNP SSM -50V -100A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2110(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN PNP SSM -50V -100A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2110(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN PNP SSM -50V -100A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2110(TE85L,F) | Toshiba | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 100mW 3-Pin SSM T/R | на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2110(TE85L,F) | Toshiba | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 100mW 3-Pin SSM T/R | на замовлення 787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 782 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2110,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2110,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2110,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2110,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 22 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2110,LXGF(CT | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2110,LXHF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2110ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3 Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Part Status: Active Supplier Device Package: CST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2110ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3 Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Part Status: Active Supplier Device Package: CST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2110CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2110CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2110CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2110F | TOSHIBA | SOT23 | на замовлення 3700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2110MFV | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN2110MFV(TPL3) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 4.7Kohms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2110MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2110MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VESM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2110MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VESM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 7945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2110MFV,L3F | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2111 | TOSHIBA | 00+ | на замовлення 720010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2111(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN PNP SSM -50V -100A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2111(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN PNP SSM -50V -100A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2111(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN PNP SSM -50V -100A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2111(TE85L) | TOSHIBA | SOT423-YM | на замовлення 933000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2111(TE85L)SOT416-YM | TOSHIBA | на замовлення 933000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| RN2111,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM | на замовлення 8968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2111,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2111,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM | на замовлення 8968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2111,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 22 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2111,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2111,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2111,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) | на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2111,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K, | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2111,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2111/TE85L | TOSHIBA | SOT-523 04+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2111/YM | TOSHIBA | 09+ | на замовлення 72018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2111ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3 Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Part Status: Active Supplier Device Package: CST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2111ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3 Supplier Device Package: CST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Cut Tape (CT) Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Part Status: Active | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2111CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2111CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2111F | TOSHIBA | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2111FV | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN2111MFV(TPL3) | Toshiba | Digital Transistors 100mA -50volts 3Pin 10Kohms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2111MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2111MFV,L3F | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2111MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM Resistors Included: R1 Only Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: VESM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2111MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM Resistors Included: R1 Only Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: VESM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 7450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2111SOT416-YM | TOSHIBA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

