Продукція > SPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPP02N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP02N60C3IN | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP02N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 1.8A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP02N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER_LEGACY Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | на замовлення 73020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP02N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER_LEGACY Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP02N60C3XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SPP02N60C3XKSA1 - SPP02N60 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER M tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP02N60S5 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V | на замовлення 5264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP02N60S5 | INFINEON | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP02N60S5 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 1.8A TO220-3 CoolMOS S5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP02N60S5HKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 1.8A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP02N80C3 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP02N80C3 | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPP02N80C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 2A TO220-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP02N80C3 Код товару: 47201
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPP02N80C3 | Infineon | N-MOSFET 800V 2A TO220 CoolMOS Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP02N80C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP02N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP02N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO220-3 Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP02N80C3XKSA1 SPP02N80C3 | Infineon | MOSFET N-CH 800V 2A TO220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP0332B | Essentra | Conduit Fittings & Accessories STRAIGHT PULL PLUG:EPDM BLACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP0335A | Essentra | Conduit Fittings & Accessories STRAIGHT PULL PLUG:SILICON NATURAL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP0388B | Essentra | Conduit Fittings & Accessories STRAIGHT PULL PLUG:EPDM BLACK | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP03N60C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 3.2A TO220-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP03N60C3 | Infineon Technologies | Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V | на замовлення 81011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP03N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP03N60C3HKSA1 Код товару: 113411
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, V: 650 V Струм стоку Idd, A: 3,2 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 400/13 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| SPP03N60C3HKSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 650V 3.2A TO220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP03N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP03N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Order Manufacturer Part Number SPP03N60C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP03N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 24665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP03N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 3.2A TO220-3 | на замовлення 173 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP03N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER_LEGACY Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V | на замовлення 624418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP03N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 521907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP03N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER_LEGACY Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP03N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 76000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP03N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP03N60S5 Код товару: 23827
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, V: 600 V Струм стоку Idd, A: 3,2 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 420/ - Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| SPP03N60S5 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP03N60S5 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V | на замовлення 29235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP03N60S5 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 3.2A TO220-3 CoolMOS S5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP03N60S5HKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP03N60S5HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 3.2A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP03N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER_LEGACY Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP03N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP03N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP03N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 29828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP03N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP03N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP03N60S5XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SPP03N60S5XKSA1 - SPP03N60 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 9505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP03N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 9505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP03N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER_LEGACY Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V | на замовлення 49697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP03N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP03N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 17130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP03N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP0445C | Essentra | Conduit Fittings & Accessories STRAIGHT PULL PLUG:EPDM BLACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP0468A | Essentra | Conduit Fittings & Accessories STRAIGHT PULL PLUG:SILICON NATURAL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP04N06C2 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP04N50C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 4.5A TO220-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP04N50C3 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP04N50C3HKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 560V 4.5A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP04N50C3XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPP04N50C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 4.5 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 560 Dauer-Drainstrom Id: 4.5 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 50 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP04N50C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 560V 4.5A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP04N50C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER_LEGACY Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP04N60C2 | Infineon Technologies | SPP04N60C2 | на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP04N60C2 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V | на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP04N60C2 | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP04N60C3 | Infineon technologies | на замовлення 448 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPP04N60C3 Код товару: 25397
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPP04N60C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 4.5A TO220-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP04N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Order Manufacturer Part Number SPP04N60C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP04N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP04N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP04N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP04N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 4.5A TO220-3 | на замовлення 1057 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP04N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP04N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP04N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP04N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP04N60C3XKSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP04N60C3XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPP04N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.5 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP04N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP04N60E3 | на замовлення 130 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP04N60S5 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V | на замовлення 42120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP04N60S5 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 41600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP04N60S5 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 600V 4.5A TO220-3 CoolMOS S5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP04N60S5 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP04N60S5 | INFINEON | 99+ SOP4 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP04N60S5BKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP04N80C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3 | на замовлення 885 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP04N80C3 | Infineon | Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4А; 63Вт; TO220; CoolMOS™ Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP04N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4A Power dissipation: 63W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 229 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP04N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES Код товару: 214685
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPP04N80C3XK | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP04N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP04N80C3XKSA1 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 4A; 63W; -55°C ~ 150°C; SPP04N80C3 TSPP04n80c3 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP04N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP04N80C3XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPP04N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP04N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP04N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP04N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

