Продукція > TP0

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TP0550F2492T5E 24,9 кОм 100 ШТ.Royal Ohm0805 1 % 50ppm Резистори та cбірки постійні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP0550F3601T5E 3,6 кОм 100 ШТ.Royal Ohm0805 1 % TCR=50ppm Резистори та cбірки постійні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP05DA48D15TOPPOWERDC-DC Converter; Isolated; Dual Output; 5W; 170mA; +/-15V; 2kV; 36V~72V; -40°C~85°C; EFF 80%; Substitute: Aimtec: AM5T-4815DZ (TP05DA48D15W Vin 18-72VDC); TP05DA48D15 (=AM5T-4815DZ) UIAM5T4815dz c
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+568.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0601800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB RIS CLA 35D STACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1980 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0601800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLOCK 6POS 35DEG 5MM PCB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1980 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0601K-T1-E3
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0601T
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0602-0238JPremoDescription: X/Y AXIS MICRO SMD HARD FERRITE
Part Status: Active
Frequency: 125kHz
Size / Dimension: 6.60mm L x 2.30mm W x 1.75mm H
Packaging: Bag
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+543.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP0602CAP-0238JPremo S.L.Description: RFID ANT 125KHZ 7.1X2.9X2.05MM
Packaging: Tray
Size / Dimension: 7.10mm L x 2.90mm W x 2.05mm H
Frequency: 125kHz
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+461.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP0602N2SILICONI
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0602N3
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0604N2
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0604N3SupertexТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP0604N3
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0604N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET P-CH Si 40V 0.43A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+158.99 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0604N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET P-CH Si 40V 0.43A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+113.17 грн
138+103.18 грн
146+97.72 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0604N3-GMicrochip TechnologyMOSFETs 40V 2 Ohm
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.00 грн
25+99.24 грн
100+78.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0604N3-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 20 V
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.17 грн
25+92.17 грн
100+83.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0604N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET P-CH Si 40V 0.43A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.17 грн
25+103.18 грн
100+97.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0604N3-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - TP0604N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 430 mA, 1.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 740mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.00 грн
25+114.37 грн
100+107.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0604N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET P-CH Si 40V 0.43A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+79.23 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0604N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET P-CH Si 40V 0.43A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0604N3-G P002Microchip TechnologyMOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP0604N3-G P003Microchip TechnologyMOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0604N3-G P005Microchip TechnologyMOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP0604N3-G P013Microchip TechnologyMOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP0604N3-G P014Microchip TechnologyMOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0604N3-P003
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0604ND
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0604WGTI09+ SOP20
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0604WG-G
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0606SupertexТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP0606N2SILICONI
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0606N3
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0606N3Microchip TechnologyMOSFETs 60V 3.5Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP0606N3 SUPERTEX TO-92 (транзистор)
Код товару: 48858
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP0606N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0606N3-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.32 грн
25+64.89 грн
100+59.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0606N3-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - TP0606N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 320 mA, 3.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.37 грн
25+69.83 грн
100+63.71 грн
1000+57.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0606N3-GMicrochip TechnologyMOSFETs 60V 3.5Ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0606N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0606N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+124.49 грн
250+104.48 грн
500+101.69 грн
1000+95.59 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0606N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0606N3-G P005Microchip TechnologyMOSFETs P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP0606N3-G P013Microchip TechnologyMOSFETs P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP0606N3-G P014Microchip TechnologyMOSFETs P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP0606N3-G-P002Microchip TechnologyDescription: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0606N3-G-P002Microchip TechnologyMOSFETs P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.57 грн
25+68.99 грн
100+54.05 грн
1000+48.25 грн
4000+48.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0606N3-G-P003
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0606N3-G-P003Microchip TechnologyTrans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0606N3-G-P003Microchip TechnologyDescription: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0606N3-G-P003Microchip TechnologyMOSFETs P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0606N5NS09+ .
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610VISHAY
на замовлення 6380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610-T1VISHAY
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610-T1/TOUQMIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610-T1/TOUQWIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610-T1/TOUQZIR
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610/TOSILICON
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP06107
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610KVISHAY
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610KTECH PUBLICTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 360mW; -55°C~150°C; TP0610K SOT23(T/R) TECH PUBLIC TTP0610k TEC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-TP0610K-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1VISHAY
на замовлення 9700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 542861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.37 грн
11+28.34 грн
100+18.21 грн
500+13.00 грн
1000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
695+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 695 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - TP0610K-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.66 грн
500+13.01 грн
1000+11.11 грн
5000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
на замовлення 540000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.06 грн
6000+9.75 грн
9000+9.29 грн
15000+8.23 грн
21000+7.94 грн
30000+7.66 грн
75000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 278287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.24 грн
23+13.89 грн
100+11.25 грн
500+10.56 грн
1000+9.87 грн
3000+9.80 грн
6000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - TP0610K-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.26 грн
51+16.03 грн
100+14.66 грн
500+13.01 грн
1000+11.11 грн
5000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-E3 6K.VishayP-MOSFET 185mA 60V 350mW 6Ω ODPOWIEDNIK: TP0610K-T1-E3; TP0610K-T1-GE3; TP0610K SOT23 TTP0610k
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-E3 транзистор
Код товару: 58608
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-E3-PBFVISHAY
на замовлення 18200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.97 грн
21+37.64 грн
500+30.93 грн
1000+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - TP0610K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.97 грн
28+29.24 грн
100+18.85 грн
500+13.61 грн
1000+11.05 грн
5000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 16704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.63 грн
15+21.20 грн
100+14.64 грн
500+12.84 грн
1000+11.25 грн
3000+8.28 грн
6000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.37 грн
11+28.34 грн
100+18.21 грн
500+13.00 грн
1000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+37.59 грн
500+30.89 грн
1000+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.91 грн
36+21.57 грн
50+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - TP0610K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.85 грн
500+13.61 грн
1000+11.05 грн
5000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.06 грн
6000+9.75 грн
9000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
932+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1/6K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610KLVISHAYTO92 10+
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610KL (TO92)
Код товару: 103304
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610KL-TR1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 270MA TO226AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-226AA (TO-92)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610LVishayТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610LVISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610LVishay / SiliconixMOSFETs 60V 0.18A 0.8W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610L-TLP
на замовлення 43080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610NVISHAY
на замовлення 24200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610N2SILICONI
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610N3
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610ND
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610TVishay / SiliconixMOSFET 60V 0.12A 0.36W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610TSupertexТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]