Продукція > TP0
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TP050F223Z-B-B | на замовлення 180000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TP050F223Z-KEC | Taiyo Yuden | Description: CAP CER 0.022UF 25V Y5V AXIAL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP050F223Z-KFC | на замовлення 180000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TP050F223Z-KFC | Taiyo Yuden | Description: CAP CER 0.022UF 25V Y5V AXIAL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP050F223Z-NAC | на замовлення 180000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TP050F223Z-NAC | Taiyo Yuden | Description: CAP CER 0.022UF 25V Y5V AXIAL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP050NC | Whitman Controls, LLC | Description: TP SERIES SS TEMP PROBE 1/2NPT N Packaging: Box Temperature Range: 10°C ~ 120°C Terminal Type: Exposed Lead Wires Element Type: Thermistor Conductor Type: Non-Grounded | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TP0550F1003T5E | Royal Ohm | TP0550F1003T5E 100 кОм 100 ШТ. 0805 1 % 50ppm Резистори та cбірки постійні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0550F1201T5E | Royal Ohm | TP0550F1201T5E 1,2 кОм 100 ШТ. 0805 1 % 50ppm Резистори та cбірки постійні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0550F1622T5E | Royal Ohm | TP0550F1622T5E 16,2 кОм 100 ШТ. 0805 1 % 50ppm Резистори та cбірки постійні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0550F2002T5E | Royal Ohm | TP0550F2002T5E 20 кОм 100 ШТ. 0805 1 % 50ppm Резистори та cбірки постійні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0550F2492T5E | Royal Ohm | TP0550F2492T5E 24,9 кОм 100 ШТ. 0805 1 % 50ppm Резистори та cбірки постійні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0550F3601T5E | Royal Ohm | TP0550F3601T5E 3,6 кОм 100 ШТ. 0805 1 % TCR=50ppm Резистори та cбірки постійні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP05DA48D15 | TOPPOWER | DC-DC Converter; Isolated; Dual Output; 5W; 170mA; +/-15V; 2kV; 36V~72V; -40°C~85°C; EFF 80%; Substitute: Aimtec: AM5T-4815DZ (TP05DA48D15W Vin 18-72VDC); TP05DA48D15 (=AM5T-4815DZ) UIAM5T4815dz c кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TP0601800000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB RIS CLA 35D STACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1980 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0601800000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLOCK 6POS 35DEG 5MM PCB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1980 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0601K-T1-E3 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TP0601T | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TP0602-0238J | Premo | Description: X/Y AXIS MICRO SMD HARD FERRITE Part Status: Active Frequency: 125kHz Size / Dimension: 6.60mm L x 2.30mm W x 1.75mm H Packaging: Bag | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TP0602CAP-0238J | Premo S.L. | Description: RFID ANT 125KHZ 7.1X2.9X2.05MM Packaging: Tray Size / Dimension: 7.10mm L x 2.90mm W x 2.05mm H Frequency: 125kHz | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TP0602N2 | SILICONI | на замовлення 1550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TP0602N3 | на замовлення 5750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TP0604N2 | на замовлення 17 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TP0604N3 | на замовлення 3180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TP0604N3 | Supertex | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0604N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.43A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 1880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TP0604N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.43A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 1880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TP0604N3-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - TP0604N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 430 mA, 1.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 430mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 740mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0604N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.43A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TP0604N3-G | Microchip Technology | MOSFETs 40V 2 Ohm | на замовлення 2016 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0604N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.43A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TP0604N3-G | Microchip Technology | Description: MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 20 V | на замовлення 558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TP0604N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.43A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TP0604N3-G P002 | Microchip Technology | MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0604N3-G P003 | Microchip Technology | MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0604N3-G P005 | Microchip Technology | MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0604N3-G P013 | Microchip Technology | MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0604N3-G P014 | Microchip Technology | MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0604N3-P003 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TP0604ND | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TP0604WG | TI | 09+ SOP20 | на замовлення 1074 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0604WG-G | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TP0606 | Supertex | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0606N2 | SILICONI | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TP0606N3 | на замовлення 5750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TP0606N3 | Microchip Technology | MOSFETs 60V 3.5Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0606N3 SUPERTEX TO-92 (транзистор) Код товару: 48858
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TP0606N3-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - TP0606N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 320 mA, 3.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 320mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0606N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0606N3-G | Microchip Technology | Description: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V | на замовлення 1221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TP0606N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TP0606N3-G | Microchip Technology | MOSFETs 60V 3.5Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0606N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0606N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 67 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0606N3-G P005 | Microchip Technology | MOSFETs P-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0606N3-G P013 | Microchip Technology | MOSFETs P-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0606N3-G P014 | Microchip Technology | MOSFETs P-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0606N3-G-P002 | Microchip Technology | MOSFETs P-CH Enhancmnt Mode MOSFET | на замовлення 1788 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0606N3-G-P002 | Microchip Technology | Description: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0606N3-G-P003 | Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0606N3-G-P003 | Microchip Technology | Description: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0606N3-G-P003 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TP0606N3-G-P003 | Microchip Technology | MOSFETs P-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0606N5 | NS | 09+ . | на замовлення 320 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0610 | VISHAY | на замовлення 6380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TP0610-T1 | VISHAY | на замовлення 6200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TP0610-T1/TOUQM | IR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TP0610-T1/TOUQW | IR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TP0610-T1/TOUQZ | IR | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TP0610/TO | SILICON | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TP06107 | на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TP0610K | VISHAY | на замовлення 34000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TP0610K | TECH PUBLIC | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 360mW; -55°C~150°C; TP0610K SOT23(T/R) TECH PUBLIC TTP0610k TEC кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TP0610K-T1 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0610K-T1 | VISHAY | на замовлення 9700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TP0610K-T1 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-TP0610K-T1-GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0610K-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TP0610K-T1-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - TP0610K-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 185mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0610K-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 542861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TP0610K-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0610K-T1-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - TP0610K-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 185mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0610K-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V | на замовлення 540000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TP0610K-T1-E3 | Vishay | P-MOSFET 185mA 60V 350mW 6Ω ODPOWIEDNIK: TP0610K-T1-E3; TP0610K-T1-GE3; TP0610K SOT23 TTP0610k кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TP0610K-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23 | на замовлення 278287 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0610K-T1-E3 транзистор Код товару: 58608
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TP0610K-T1-E3-PBF | VISHAY | на замовлення 18200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TP0610K-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 44 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0610K-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TP0610K-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23 | на замовлення 16704 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0610K-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TP0610K-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - TP0610K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 185mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0610K-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 13276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TP0610K-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TP0610K-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TP0610K-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0610K-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - TP0610K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 185mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0610K-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TP0610K-T1/6K | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TP0610KL | VISHAY | TO92 10+ | на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TP0610KL (TO92) Код товару: 103304
Додати до обраних
Обраний товар
| Vishay | Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. |

