Продукція > 2SA

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 48 54 60 65  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SA201000LPANASONICSOT-23
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2011-TD-EON Semiconductor2SA2011-TD-E
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1611+21.91 грн
10000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 1611 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2011-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2011-TD-E - 2SA2011 - BIPOLAR PNP TRANSISTOR, 6A 12V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2011-TD-EonsemiDescription: BIP PNP 6A 12V
Packaging: Bulk
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+13.43 грн
Мінімальне замовлення: 1567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2012onsemionsemi BIP PNP 5A 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2012-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 30V 5A PCP
Power - Max: 3.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 420MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 30mA, 1.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2012-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 5A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+39.31 грн
361+39.14 грн
363+38.97 грн
411+33.12 грн
413+30.51 грн
500+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2012-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 30V
на замовлення 11330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2012-TD-EONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 5A; 3.5W; SOT89
Mounting: SMD
Collector current: 5A
Power dissipation: 3.5W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 200...560
Frequency: 350MHz
Polarisation: bipolar
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2012-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 30V 5A PCP
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 420MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 30mA, 1.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 3.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2012-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 5A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.66 грн
20+39.31 грн
25+39.14 грн
50+37.58 грн
100+30.67 грн
250+29.29 грн
500+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2012-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2012-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 350
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013onsemi BIP PNP 4A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TDSANYO
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-EONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Collector current: 4A
Power dissipation: 1.3W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Frequency: 360MHz
Polarisation: bipolar
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-EOn SemiconductorTRANS PNP 50V 4A SOT89-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 4A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.04 грн
10+41.02 грн
100+26.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1380+25.57 грн
10000+22.80 грн
100000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 1380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 50V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-EONN
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 4A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E
Код товару: 161290
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1380+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 1380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2014
Код товару: 155135
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2014-PEN-TD
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2014-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2014-TD-E - 2SA2014 - BIPOLAR PNP TRANSISTOR, 9A 15V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2014-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 15V 9A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
841+33.57 грн
1000+30.95 грн
Мінімальне замовлення: 841 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2014-TD-EonsemiDescription: BIP PNP 9A 15V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 1110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2014-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 15V 9A 1300mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2015-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2015-TD-E - 2SA2015 - BIPOLAR PNP TRANSISTOR, 8A 30V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2015-TD-EON Semiconductor2SA2015-TD-E
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
765+46.15 грн
1000+42.56 грн
10000+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2015-TD-EonsemiDescription: BIP PNP 8A 30V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
807+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 807 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016onsemionsemi BIP PNP 7A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-E
Код товару: 175899
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 7A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.78 грн
2000+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2016-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
238+59.44 грн
500+46.04 грн
1000+37.30 грн
3000+34.05 грн
Мінімальне замовлення: 238 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-EOn SemiconductorTRANS PNP 50V 7A SOT89-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-EONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 7A; 1.3W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 290MHz
на замовлення 713 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+80.18 грн
10+47.65 грн
50+35.57 грн
100+31.52 грн
200+31.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 7A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
на замовлення 8834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.50 грн
10+50.18 грн
100+33.03 грн
500+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2016-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+32.00 грн
2000+29.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 7A 50V
на замовлення 2199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+32.00 грн
2000+29.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP TRANSISTORS,SOT-89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - 2SA2016-TP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2016-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - 2SA2016-TP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018ROHMSOT-523
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3HZGTLROHMDescription: ROHM - 2SA2018E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3HZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
551+27.85 грн
1000+14.58 грн
2000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 551 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3HZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+26.60 грн
100+16.74 грн
500+11.98 грн
1000+9.77 грн
3000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3HZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1398+10.09 грн
1446+9.77 грн
2500+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 1398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3HZGTLROHMDescription: ROHM - 2SA2018E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3HZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
531+26.60 грн
844+16.74 грн
1136+12.43 грн
1290+10.55 грн
3000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 531 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.70 грн
16+19.13 грн
100+12.12 грн
500+8.53 грн
1000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3HZGTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP, SOT-416, -12V -500mA, Low frequency transistor
на замовлення 5734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.06 грн
19+16.23 грн
100+10.20 грн
500+7.12 грн
1000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3TLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3TLROHMDescription: ROHM - 2SA2018E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3TLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3TLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP, SOT-416, -12V -0.5A, Low VCE(sat) Transistor
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3TLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+21.49 грн
100+13.38 грн
500+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3TLROHMDescription: ROHM - 2SA2018E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018E3TLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018TLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 414 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018TLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 12V 0.5A
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018TLROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 0.5A; 150mW; SC75A,SOT416
Mounting: SMD
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 270...680
Frequency: 260MHz
Polarisation: bipolar
Case: SC75A; SOT416
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 5886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.43 грн
13+23.30 грн
100+14.83 грн
500+10.48 грн
1000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018TLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 45695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+30.78 грн
100+19.46 грн
500+14.00 грн
1000+11.42 грн
3000+9.24 грн
6000+8.21 грн
9000+7.44 грн
15000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018TLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1226+11.52 грн
1267+11.14 грн
2500+10.81 грн
5000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 1226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018TLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 45695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
629+28.88 грн
1000+26.91 грн
2000+18.53 грн
3000+17.51 грн
12000+12.43 грн
24000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018TLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 45695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
459+30.80 грн
725+19.47 грн
971+14.54 грн
1103+12.34 грн
3000+9.63 грн
6000+8.22 грн
9000+7.45 грн
15000+7.14 грн
21000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018TLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 45695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+30.80 грн
100+19.47 грн
500+14.02 грн
1000+11.42 грн
3000+9.25 грн
6000+8.22 грн
9000+7.45 грн
15000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2018TLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 4593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1226+11.52 грн
1267+11.14 грн
2500+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 1226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA202NECCAN
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2022SANYO
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2022Sanyo ElectricTrans GP BJT PNP 50V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220ML
на замовлення 5107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
842+41.95 грн
1000+38.68 грн
Мінімальне замовлення: 842 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2022SanyoDescription: TRANS PNP 50V 7A TO-220ML
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 125mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 290MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+33.27 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2023onsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-126ML
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 26400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
761+28.70 грн
Мінімальне замовлення: 761 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2023ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2023 - 2SA2023, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2023SANYOTO-126F
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2029ROHM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2029ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2029 FS6T2L QROHMSOT23/SOT323
на замовлення 3405 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2029 T2L QROHMSOT23/SOT323
на замовлення 6953 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2029 T2lQROHM
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2029-R-TPMicro Commercial CoDescription: TRANSISTOR PNP SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2029-S-TPMicro Commercial CoDescription: TRANSISTOR PNP SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2029FHAT2LQRohm SemiconductorGeneral Purpose Transistor Automotive AEC-Q101
на замовлення 4919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2565+5.50 грн
2646+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 2565 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2029FHAT2LQRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 0.15A VMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VMT3
Frequency - Transition: 140MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 48 54 60 65  [ Наступна Сторінка >> ]