Продукція > BUK

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BUK963R1-40E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+142.61 грн
1000+132.01 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK963R1-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK963R1-40E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+142.61 грн
1000+132.01 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK963R1-40E,118NexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK963R1-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK963R2-40BNexperia USA Inc.Description: PFET, 100A I(D), 40V, 0.0035OHM,
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK963R2-40B,118NexperiaMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK963R2-40B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 222A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+116.81 грн
500+105.12 грн
1000+96.94 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK963R2-40B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10502 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK963R2-40B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 222A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK963R240B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK963R3-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13490 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+102.37 грн
1600+92.04 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK963R3-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13490 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.31 грн
10+180.24 грн
100+126.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK963R3-60E,118NexperiaMOSFETs SOT404 N-CH 60V 120A
на замовлення 6986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK963R3-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9640
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9640-100ANexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9640-100APHILIPS09+
на замовлення 326 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9640-100A,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9640-100A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 39 A, 0.039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9640-100A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3072 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+59.03 грн
1600+52.57 грн
2400+50.39 грн
4000+45.00 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9640-100A,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 159A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 159A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 615 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+139.99 грн
10+97.28 грн
25+88.06 грн
100+81.35 грн
250+77.16 грн
500+70.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9640-100A,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 61522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+150.86 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9640-100A,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9640-100A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 39 A, 0.039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9640-100A,118
Код товару: 179942
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9640-100A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3072 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.93 грн
10+110.05 грн
100+75.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9640-100A,118NexperiaMOSFETs BUK9640-100A/SOT404/D2PAK
на замовлення 3219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9640-100A/C1,118NexperiaBUK9640-100A/C1,118
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+115.33 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9640-100A/C1,118Nexperia USA Inc.Description: BUK9640-100A - N-CHANNEL TRENCHM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3072 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9640-100A/C1,118NexperiaBUK9640-100A/C1,118
на замовлення 10636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+115.33 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9640-100A118NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK9640-100A - POWE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9640100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R1-40E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R1-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.25 грн
10+137.60 грн
100+94.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R1-40E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+132.01 грн
500+119.04 грн
1000+110.00 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R1-40E,118NexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R1-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R1-40E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+132.01 грн
500+119.04 грн
1000+110.00 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R1-40E,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 75A; Idm: 609A; 182W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 609A
Power dissipation: 182W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R1-40E118Rochester Electronics, LLCDescription: NOW NEXPERIA BUK964R1-40E - POWE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-55BNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-55B
Код товару: 179529
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-55BPHILIPSTO-263
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-55B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 191A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+372.45 грн
100+353.59 грн
500+334.73 грн
1000+305.73 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-55B,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-55B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 191A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+372.45 грн
100+353.59 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-55B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK964R2-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-55B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10220 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-55B,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; Idm: 765A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 765A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-55B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 191A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+372.45 грн
100+353.59 грн
500+334.73 грн
1000+305.73 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-55B,118NexperiaMOSFETs BUK964R2-55B/SOT404/D2PAK
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-55B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK964R2-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-55B/CNXP USA Inc.Description: N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+107.39 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-55B/CNXP SemiconductorsBUK964R2-55B/C
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+143.79 грн
500+135.54 грн
1000+128.47 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11380 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-60E,118NexperiaMOSFET BUK964R2-60E/SOT404/D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+256.94 грн
500+242.80 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+256.94 грн
500+242.80 грн
1000+229.83 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-60E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK964R2-60E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00346 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 263
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 263
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00346
Rds(on)-Prüfspannung: 5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00346
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+256.94 грн
500+242.80 грн
1000+229.83 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-80E,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 732A; 349W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 732A
Power dissipation: 349W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 123nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-80E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-80E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17130 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.45 грн
10+220.77 грн
50+172.32 грн
100+147.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-80E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK964R2-80E,118 - MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-80E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17130 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+128.07 грн
2400+111.88 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-80E,118NexperiaMOSFETs SOT404 N-CH 80V 120A
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-80E118NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK964R2-80E - POWE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R255B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R4-40B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK964R4-40B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 75
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 254
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R4-40B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 174A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+152.04 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R4-40B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7124 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.71 грн
10+166.13 грн
100+132.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R4-40B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 174A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+84.65 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R4-40B,118NexperiaMOSFETs BUK964R4-40B/SOT404/D2PAK
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R4-40B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 174A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+152.04 грн
1000+140.26 грн
10000+120.47 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R4-40B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7124 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+116.20 грн
1600+94.94 грн
2400+90.20 грн
5600+81.46 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R4-40B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 174A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+152.04 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R4-40B,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 75A; Idm: 697A; 254W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 697A
Power dissipation: 254W
Gate charge: 64nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 75A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
On-state resistance: 8.3mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R4-40B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 174A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R4-40B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 174A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+84.43 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R440B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R7-80E,118NexperiaMOSFET BUK964R7-80E/SOT404/D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R7-80E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R7-80E,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 667A; 324W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 667A
Power dissipation: 324W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R7-80E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 324W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.63 грн
10+208.25 грн
100+147.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R7-80E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK964R7-80E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0045 ohm, SOT-404, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1
Verlustleistung: 324
Bauform - Transistor: SOT-404
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R7-80E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 324W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R7-80E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+156.76 грн
1000+148.51 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R8-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R8-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.62 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R8-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9710 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.79 грн
10+146.58 грн
100+102.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R8-60E,118NexperiaMOSFET BUK964R8-60E/SOT404/D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R8-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9710 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK965R4-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4483 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.9 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK965R4-40E,118NexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK965R4-40E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
377+93.82 грн
500+84.44 грн
1000+77.87 грн
Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK965R4-40E,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
377+93.82 грн
500+84.44 грн
1000+77.87 грн
Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK965R4-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4483 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
442+50.81 грн
Мінімальне замовлення: 442 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK965R4-40E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
377+93.82 грн
500+84.44 грн
1000+77.87 грн
Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK965R8-100ENexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK965R8-100E транзистор
Код товару: 197349
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK965R8-100E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17460 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]