Продукція > PDT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PDTD114ET-QVL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PDTD114ET-Q/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD114ET215 | NXP USA Inc. | Description: 500 MA 50V NPN RESISTOR-EQUIPP Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD114ETR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Resistors Included: R1 and R2 Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 225 MHz Power - Max: 320 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD114ETR | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 460mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD114ETR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 320 mW Frequency - Transition: 225 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD114ETR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD114ETR - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 30740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD114ETR | Nexperia | Digital Transistors 50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 kohm, R2 = 10 kohm | на замовлення 10026 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD114ETR | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 460mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD114ETVL | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 460mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD114ETVL | Nexperia | Digital Transistors 50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 kohm, R2 = 10 kohm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD114ETVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 320 mW Frequency - Transition: 225 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD114EU | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| PDTD114EU-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PDTD114EU-Q/SOT323/SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 225 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD114EU-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD114EU115 | NXP | Description: NXP - PDTD114EU115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 28286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD114EU115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 225 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 28286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD114EU135 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Qualification: AEC-Q101 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 225 MHz Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-323 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Resistors Included: R1 and R2 Package / Case: SC-70, SOT-323 Part Status: Active Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD114EU135 | NXP | Description: NXP - PDTD114EU135 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 30287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD114EUF | Nexperia | Digital Transistors SOT323 50V .5A NPN RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD114EUF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 225 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD114EUF | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 425mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD114EUF | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD114EUF - RF TRANSISTOR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD114EUF | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 425mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 30287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD114EUX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 225 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD114EUX | Nexperia | Digital Transistors SOT323 50V .5A NPN RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD114EUX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 225 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD114EUX | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 425mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 28286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123EK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Resistors Included: R1 and R2 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SMT3; MPAK DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD123EQA147 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Qualification: AEC-Q101 Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 210 MHz Power - Max: 940 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: DFN1010D-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Packaging: Bulk | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123EQA147 | NXP | Description: NXP - PDTD123EQA147 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123EQAZ | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 940mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 29900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123EQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 29900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123EQAZ | Nexperia | Digital Transistors PDTD123EQA/SOT1215/DFN1010D-3 | на замовлення 4901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123EQAZ | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 940mW Automotive 3-Pin DFN-D EP | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123EQAZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD123EQAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123EQAZ | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 940mW Automotive 3-Pin DFN-D EP | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123EQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN Resistors Included: R1 and R2 Qualification: AEC-Q101 Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 210 MHz Power - Max: 325 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: DFN1010D-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD123ES,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD123ET | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD123ET,215 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.25W Current gain: 40 Collector-emitter voltage: 50V Base-emitter resistor: 2.2kΩ Base resistor: 2.2kΩ Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Case: SOT23; TO236AB Type of transistor: NPN Mounting: SMD | на замовлення 2574 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123ET,215 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD123ET,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123ET,215 | NXP/Nexperia/We-En | Транзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, hFE = 40 @ 50 мA, 5 В, Icutoff-max = 500 нА, R1, кОм = 2,2, R2, кОм = 2,2, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 2,5 мA, 50 мА, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори К кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD123ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123ET,215 | Nexperia | Digital Transistors PDTD123ET/SOT23/TO-236AB | на замовлення 434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123ET,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Resistors Included: R1 and R2 Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD123ET,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Resistors Included: R1 and R2 Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD123ET-QR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PDTD123ET-Q/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD123ET-QR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD123ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123ET-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PDTD123ET-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD123ET-QR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD123ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123EU-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PDTD123EU-Q/SOT323/SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD123EU-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PDTD123EU-Q/SOT323/SC-70 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD123EU115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Qualification: AEC-Q101 Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 225 MHz Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-323 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Bulk | на замовлення 24860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123EU115 | NXP | Description: NXP - PDTD123EU115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 24860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123EU135 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 225 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8036 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD123EU135 | NXP | Description: NXP - PDTD123EU135 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123EUF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 225 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD123EUF | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD123EUF - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123EUF | Nexperia | Digital Transistors SOT323 50V .5A NPN RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD123EUF | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 425mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 49270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123EUF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 225 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 49270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123EUF | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 425mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123EUX | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 425mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 24860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123EUX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 225 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD123EUX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD123EUX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD123EUX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD123EUX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 500 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - HF-Transistor: SC-70 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTD1xxxU Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD123EUX | Nexperia | Digital Transistors SOT323 50V .5A NPN R ET | на замовлення 1824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123TK | на замовлення 3470 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTD123TK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3; MPAK Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD123TS,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD123TT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123TT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD123TT,215 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123TT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123TT,215 | Nexperia | Digital Transistors PDTD123TT/SOT23/TO-236AB | на замовлення 313 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123TT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 Only | на замовлення 2840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123TT,215 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123TT,215 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123TT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD123TT,215 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 66968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123TT-QR | Nexperia | Digital Transistors PDTD123TT-Q/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD123TT-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PDTD123TT-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD123YK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3; MPAK Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD123YQA | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD123YQA - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, AEC-Q101, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70 hazardous: true Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500 usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50 euEccn: NLR Verlustleistung: 325 Bauform - Transistor: SOT-1215 Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD123YQA | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD123YQA - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, AEC-Q101, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 500 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - HF-Transistor: SOT-1215 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.22 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD123YQA147 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD123YQAZ | NXP Semiconductors | Description: TRANS PREBIAS 50V 500MA Packaging: Bulk | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123YQAZ | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 940mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123YQAZ | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 940mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123YQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN Packaging: Bulk Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 325 mW Frequency - Transition: 210 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 29800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123YQAZ | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 940mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123YQAZ | Nexperia | Digital Transistors SOT1215 50V .5A NPN RET | на замовлення 4881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123YQAZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD123YQAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123YQAZ | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 940mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123YQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 325 mW Frequency - Transition: 210 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD123YS,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTD123YT | Nexperia | NPN 50V 500mA 250mW +res. 2.2k+10k PDTD123YT,215 PDTD123YT TPDTD123yt кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123YT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123YT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4115990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTD123YT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2750 шт В кошику од. на суму грн. |

