Продукція > BUK

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BUK964R4-40B,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 75A; Idm: 697A; 254W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 697A
Power dissipation: 254W
Gate charge: 64nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 75A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
On-state resistance: 8.3mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R440B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R7-80E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+156.76 грн
1000+148.51 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R7-80E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 324W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.63 грн
10+208.25 грн
100+147.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R7-80E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R7-80E,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 667A; 324W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 667A
Power dissipation: 324W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R7-80E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK964R7-80E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0045 ohm, SOT-404, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1
Verlustleistung: 324
Bauform - Transistor: SOT-404
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R7-80E,118NexperiaMOSFET BUK964R7-80E/SOT404/D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R7-80E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 324W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R8-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9710 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R8-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R8-60E,118NexperiaMOSFET BUK964R8-60E/SOT404/D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R8-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9710 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.79 грн
10+146.58 грн
100+102.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R8-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.62 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK965R4-40E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
377+93.82 грн
500+84.44 грн
1000+77.87 грн
Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK965R4-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4483 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.9 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK965R4-40E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
377+93.82 грн
500+84.44 грн
1000+77.87 грн
Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK965R4-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4483 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
442+50.81 грн
Мінімальне замовлення: 442 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK965R4-40E,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
377+93.82 грн
500+84.44 грн
1000+77.87 грн
Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK965R4-40E,118NexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK965R8-100ENexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK965R8-100E транзистор
Код товару: 197349
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK965R8-100E,118NexperiaMOSFETs BUK965R8-100E/SOT404/D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK965R8-100E,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 105A; Idm: 591A; 349W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 591A
Power dissipation: 349W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 133nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK965R8-100E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17460 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK965R8-100E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK965R8-100E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17460 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9660-100APHILIPS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9660-100ANexperia USA Inc.Description: PFET, 26A I(D), 100V, 0.067OHM,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9660-100A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9660-100A,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9660-100A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9660100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK966R5-60E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK966R5-60E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0059 ohm, SOT-404, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182
Bauform - Transistor: SOT-404
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK966R5-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK966R5-60E,118NexperiaMOSFETs SOT404 N-CH 60V 75A
на замовлення 8035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK966R5-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+76.03 грн
1600+68.00 грн
2400+65.34 грн
4000+58.52 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK966R5-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.04 грн
10+138.20 грн
100+95.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9675-100A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1704 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.68 грн
10+99.03 грн
100+67.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9675-100A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 49600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+185.04 грн
500+166.19 грн
1000+153.22 грн
10000+131.84 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9675-100A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1704 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+52.50 грн
1600+46.66 грн
2400+44.68 грн
4000+39.83 грн
5600+38.60 грн
8000+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9675-100A,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 92A; 98W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 98W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 188mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate charge: 24.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9675-100A,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9675-100A,118 - MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9675-100A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9675-100A,118NexperiaMOSFETs BUK9675-100A/SOT404/D2PAK
на замовлення 5217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9675-100A/C1JNXP USA Inc.Description: TRANS N-CH LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9675-100A118NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK9675-100A - POWE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9675-55A,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9675-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 20 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9675-55A,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+146.15 грн
500+132.01 грн
1000+121.40 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9675-55A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9675-55A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9675-55A,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 14A; Idm: 81A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 81A
Power dissipation: 62W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9675-55A,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9675-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 20 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9675-55A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 282369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+146.15 грн
500+132.01 грн
1000+121.40 грн
10000+104.29 грн
100000+80.90 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9675-55A,118NexperiaMOSFETs BUK9675-55A/SOT404/D2PAK
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9675-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 20A D2PAK
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 6814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.52 грн
10+85.37 грн
50+64.20 грн
100+53.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9675-55A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+118.09 грн
164+86.30 грн
280+50.53 грн
500+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9675-55A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9675-55A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 26060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+146.15 грн
500+132.01 грн
1000+121.40 грн
10000+104.29 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9675-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 20A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+44.26 грн
1600+39.18 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9675-55A118Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK9675-55A 20A, 55
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 62W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 282369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
595+37.09 грн
Мінімальне замовлення: 595 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9675-55A118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9675-55A118 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9675-55A118NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK9675-55A 20A, 55
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 62W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
595+37.09 грн
Мінімальне замовлення: 595 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9675100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK967555
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK967555A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK968R3-40E,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+50.45 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK968R3-40E,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.9 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
на замовлення 4809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+29.30 грн
Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK968R3-40E,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+50.45 грн
1000+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK968R3-40E,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK969R0-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.55 грн
10+115.78 грн
100+79.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK969R0-60E,118NexperiaMOSFETs SOT404 N-CH 60V 75A
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK969R0-60E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK969R0-60E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.008 ohm, SOT-404, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137
Bauform - Transistor: SOT-404
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK969R0-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+62.65 грн
1600+55.88 грн
2400+53.61 грн
4000+47.92 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK969R3-100E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+172.08 грн
500+155.58 грн
1000+142.61 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK969R3-100E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+172.08 грн
500+155.58 грн
1000+142.61 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK969R3-100E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK969R3-100E,118NexperiaMOSFETs SOT404 100V 100A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK972855A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK973555A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9775-55PH09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9775-55A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK977555
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK977555A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK98150-55NexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK98150-55
на замовлення 6490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK98150-55 /T3NXP SemiconductorsMOSFETs TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK98150-55,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 5V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-73
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK98150-55,135NexperiaMOSFETs TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK98150-55/CUNexperia USA Inc.Description: MOSFET 55V 5.5A
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK98150-55/CU,135NexperiaBUK98150-55/CU,135
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2738+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 2738 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK98150-55/CU135Nexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK98150-55/CUFNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 5V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK98150-55/CUFNexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK98150-55/CUFNexperiaBUK98150-55/CU/SC-73/DONTUSE R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK98150-55/CUFNXPТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK98150-55135NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK98150-55ANexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK98150-55ANXPSOT223 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK98150-55A,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-73
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]