Продукція > BUK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK964R8-60E,118 | Nexperia | MOSFET BUK964R8-60E/SOT404/D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK964R8-60E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 234W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9710 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK964R8-60E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK964R8-60E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 234W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9710 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK965R4-40E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4483 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK965R4-40E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK965R4-40E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4483 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.9 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK965R4-40E,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK965R4-40E,118 | Nexperia | MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK965R4-40E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK965R8-100E | Nexperia | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK965R8-100E транзистор Код товару: 197349
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| BUK965R8-100E,118 | Nexperia | MOSFETs DPAK 100V 120A N-CH TRNCH | на замовлення 3030 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK965R8-100E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 5V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17460 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK965R8-100E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK965R8-100E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 5V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17460 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9660-100A | PHILIPS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| BUK9660-100A | Nexperia USA Inc. | Description: PFET, 26A I(D), 100V, 0.067OHM, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9660-100A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9660-100A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9660-100A,118 | Nexperia | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9660100A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK966R5-60E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK966R5-60E,118 | Nexperia | MOSFETs SOT404 N-CH 60V 75A | на замовлення 8035 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK966R5-60E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 182W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK966R5-60E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 182W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK966R5-60E,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK966R5-60E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0059 ohm, SOT-404, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 75 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1 euEccn: NLR Verlustleistung: 182 Bauform - Transistor: SOT-404 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9675-100A,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 49600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9675-100A,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9675-100A,118 - MOSFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9675-100A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1704 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 11017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9675-100A,118 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 92A; 98W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 16A Pulsed drain current: 92A Power dissipation: 98W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 188mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate charge: 24.3nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9675-100A,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9675-100A,118 | Nexperia | MOSFETs BUK9675-100A/SOT404/D2PAK | на замовлення 5217 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9675-100A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1704 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9675-100A/C1J | NXP USA Inc. | Description: TRANS N-CH LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9675-100A118 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BUK9675-100A - POWE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 834 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9675-55A,118 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 14A; Idm: 81A; 62W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 14A Pulsed drain current: 81A Power dissipation: 62W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9675-55A,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 282369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9675-55A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 20A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9675-55A,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9675-55A,118 | Nexperia | MOSFETs BUK9675-55A/SOT404/D2PAK | на замовлення 1778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9675-55A,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9675-55A,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9675-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 20 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm | на замовлення 1317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9675-55A,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 26060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9675-55A,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9675-55A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 20A D2PAK Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V | на замовлення 6814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9675-55A,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9675-55A,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9675-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 20 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9675-55A,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9675-55A118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9675-55A118 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9675-55A118 | Nexperia USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BUK9675-55A 20A, 55 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 62W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk | на замовлення 282369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9675-55A118 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BUK9675-55A 20A, 55 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 62W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9675100A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK967555 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK967555A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK968R3-40E,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK968R3-40E,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK968R3-40E,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.9 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | на замовлення 4809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK968R3-40E,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK969R0-60E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK969R0-60E,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK969R0-60E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.008 ohm, SOT-404, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 75 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1 euEccn: NLR Verlustleistung: 137 Bauform - Transistor: SOT-404 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK969R0-60E,118 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 333A; 137W Mounting: SMD Case: D2PAK; SOT404 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 29.8nC On-state resistance: 19.8mΩ Gate-source voltage: ±10V Drain current: 59A Drain-source voltage: 60V Power dissipation: 137W Pulsed drain current: 333A Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK969R0-60E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK969R0-60E,118 | Nexperia | MOSFETs SOT404 N-CH 60V 75A | на замовлення 1510 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK969R3-100E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK969R3-100E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11650 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK969R3-100E,118 | Nexperia | MOSFETs SOT404 100V 100A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK969R3-100E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK969R3-100E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11650 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK972855A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK973555A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9775-55 | PH | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9775-55A | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK977555 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK977555A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK98150-55 | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK98150-55 | на замовлення 6490 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK98150-55 /T3 | NXP Semiconductors | MOSFETs TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK98150-55,135 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 5V Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SC-73 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK98150-55,135 | Nexperia | MOSFETs TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK98150-55/CU | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 55V 5.5A Part Status: Active Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK98150-55/CU,135 | Nexperia | BUK98150-55/CU,135 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK98150-55/CU135 | Nexperia USA Inc. | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK98150-55/CUF | NXP | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK98150-55/CUF | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 5V Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK98150-55/CUF | Nexperia | BUK98150-55/CU/SC-73/DONTUSE R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK98150-55/CUF | Nexperia | MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK98150-55135 | NXP USA Inc. | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK98150-55A | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK98150-55A | NXP | SOT223 08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK98150-55A,135 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SC-73 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK98150-55A,135 | Nexperia | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK98150-55A,135 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK98150-55A,135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.5 A, 0.137 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 5.5 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 8 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.137 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.5 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK98150-55A,135 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK98150-55A,135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.5 A, 0.137 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 5.5 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 8 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.137 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.5 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK98150-55A/CU,135 | Nexperia USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BUK98150-55A - POWE Part Status: Active Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK98150-55A/CU135 | Nexperia USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BUK98150-55A - POWE Part Status: Active Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK98150-55A/CUF | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK98150-55A/CUF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.5 A, 0.137 ohm, SC-73, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 8W Bauform - Transistor: SC-73 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK98150-55A/CUF | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK98150-55A/CUF | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 3A Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 8W Case: SC73; SOT223 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 276mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK98150-55A/CUF | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 340000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

