Продукція > IRL
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 39nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8743TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR8743TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 3100 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 135W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm | на замовлення 48685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR8743TRPBF Код товару: 184092
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR9024N | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLR9343-701PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 20A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: I-PAK (LF701) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR9343PBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 55V 20A DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR9343PBF Код товару: 55827
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRLR9343PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR9343PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 20A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR9343PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 P-CH HEXFET 105mOhms 31nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR9343TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 20A; 79W; -40°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR9343; IRLR9343TRL; IRLR9343TR; SP001569064; SP001567302; SP001552884; IRLR9343TR UMW TIRLR9343 UMW кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR9343TR | UMW | Description: MOSFET P-CH 55V 20A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR9343TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 20A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR9343TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 20A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V | на замовлення 8487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR9343TRPBF Код товару: 201393
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRLR9343TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR9343TRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 55V 20A DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR9343TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 23974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR9343TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm | на замовлення 3560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR9343TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 20A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR9343TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 23974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR9343TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 P-CH HEXFET 105mOhms 31nC | на замовлення 8677 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR9343TRPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 20, Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 50, Qg, нКл = 47 нС @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3.4 А, 10 В, Ugs(th) = ±20 В, Р, Вт = 79 Вт, Тексп, °C = -40...+175, Тип монт. = smd, TO-252AA,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт кількість в упаковці: 2000 шт | на замовлення 12 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR9343TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -20A; 79W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -20A Power dissipation: 79W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR9343TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR9343TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm | на замовлення 3560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR9343TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLS3034 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRLS3034 Код товару: 99538
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Напруга сток-витік Uds, В: 40 В Струм стоку Idd, А: 195 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,4 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 10315/108 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||
| IRLS3034-7P Код товару: 46336
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRLS3034-7P | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRLS3034-7PPBF | Infineon Technologies | IRLS3034-7PPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Si - Arrow.com | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLS3034-7PPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 1.4mOhms 120nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLS3034-7PPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10990 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLS3034PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLS3034PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLS3034PBF | Infineon | IRLS3034PBF MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLS3034PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms 108nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLS3034PBF-VB | VBSEMI | IRLS3034PBF-VB MOSFET N-CH 40V 280A TO-263(D2PAK) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLS3034TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRLS3034TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 380W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm | на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLS3034TRL7PP | Infineon | IRLS3034TRL7PP N-Channel 40 V 240A (Tc) 380W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLS3034TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLS3034TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLS3034TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLS3034TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10990 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLS3034TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 711292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLS3034TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 40V 380A 1.4mOhm 120nC | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLS3034TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRLS3034TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 380W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm | на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLS3034TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLS3034TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10990 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLS3034TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLS3034TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V | на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLS3034TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLS3034TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLS3034TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLS3034TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm | на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLS3034TRLPBF | Infineon | IRLS3034TRLPBF MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLS3034TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLS3034TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 343A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLS3034TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLS3034TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLS3034TRLPBF | UMW | IRLS3034TRLPBF MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLS3034TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V | на замовлення 9072 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLS3034TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLS3034TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm | на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLS3034TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLS3034TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLS3036 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLS3036 Код товару: 99539
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Напруга сток-витік Uds, В: 60 В Струм стоку Idd, А: 240 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,2 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 11270/110 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||
| IRLS3036-7P | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRLS3036-7P Код товару: 99540
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK-7 (TO-263-7) Напруга сток-витік Uds, В: 60 В Струм стоку Idd, А: 240 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,5 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 11270/110 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||
| IRLS3036-7PPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLS3036-7PPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLS3036-7PPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 180 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 380 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLS3036-7PPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLS3036-7PPBF | Infineon | IRLS3036-7PPBF MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLS3036-7PPBF | Infineon Technologies | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 1.9mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLS3036PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLS3036TRL | International Rectifier | N-MOSFET 240A 60V 380W 0.0019Ω IRLS3036 TIRLS3036 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 16 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V | на замовлення 1896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFETs 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLS3036TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 380W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLS3036TRL7PP | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 210A Power dissipation: 380W Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 1.9mΩ Pulsed drain current: 1kA Gate-source voltage: ±16V | на замовлення 254 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLS3036TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 380W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLS3036TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl | на замовлення 3092 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLS3036TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLS3036TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 380W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm | на замовлення 918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLS3036TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V | на замовлення 4120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLS3036TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

