Продукція > IRL
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLR8726TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 3956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR8726TRPBF | International Rectifier | N-CH MOSFET 30V 86A DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLR8726TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 61A Power dissipation: 75W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 340A On-state resistance: 5.8mΩ Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 746 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR8726TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR8726TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V | на замовлення 56393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR8726TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 75W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm | на замовлення 6630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR8726TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLR8726TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR8726TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLR8726TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 498 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLR8726TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V | на замовлення 56000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR8726TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 75W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm | на замовлення 6630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR8729 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRLR8729-CN | CHIPNOBO | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 10mOhm; 80A; 49W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR8729; IRLR8729TRL; IRLR8729TR; SP001574172; SP001552874; SP001569082; IRLR8729-CN CHIPNOBO TIRLR8729 CNB кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR8729PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLR8729PBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.9mOhms 10nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLR8729PBF | International Rectifier | N-CH 30V 58A DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLR8729TR | Infineon | Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 11,9mOhm; 58A; 55W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRLR8729; IRLR8729-GURT; IRLR8729TRL; IRLR8729TR; replacement is: IPD090N03LGATMA1; IRLR8729 TIRLR8729 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR8729TR | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12mOhm; 80A; 46W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR8729; IRLR8729TRL; IRLR8729TR; SP001574172; SP001552874; SP001569082; IRLR8729TR JSMICRO TIRLR8729 JSM кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR8729TRL | Infineon | Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 11,9mOhm; 58A; 55W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRLR8729; IRLR8729-GURT; IRLR8729TRL; IRLR8729TR; replacement is: IPD090N03LGATMA1; IRLR8729 TIRLR8729 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 76 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR8729TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 58A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR8729TRLPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLR8729TRLPBF - IRLR8729 20V-30V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLR8729TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 58A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR8729TRLPBF | International Rectifier HiRel Products | IRLR8729TRLPBF | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR8729TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLR8729TRLPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 58A 8.9mOhm 30V 10nC Qg log lvl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLR8729TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 58A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLR8729TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 58A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLR8729TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR8729TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.006 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 4670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR8729TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 8.9mOhms 10nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLR8729TRPBF Код товару: 169667
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRLR8729TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR8729TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.006 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 55W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 4670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR8743 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRLR8743PBF Код товару: 31850
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D-Pak (TO-252) Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Idd, A: 113 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,0031 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 4880/39 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | у наявності: 90 шт
очікується: 5 шт
|
| ||||||||||||||||||
| IRLR8743PBF | Infineon | MOSFET N-CH 30V 160A DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLR8743PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 39nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLR8743PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR8743PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLR8743PBF | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLR8743PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR8743PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 0.0031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 160 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 135 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.9 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLR8743TR | International Rectifier | Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 3,9mOhm; 160A; 135W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRLR8743TRL; IRLR8743TR; IRLR8743; IRLR8743-GURT; IRLR8743; IRLR8743TR TIRLR8743 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 290 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR8743TR-ML | MOSLEADER | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4mOhm; 155A; 89,3W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR8743; IRLR8743TRL; IRLR8743TR; SP001558578; SP001568702; SP001552904; IRLR8743TR-ML MOSLEADER TIRLR8743 MOS кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR8743TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 160A 39nC 3.1mOhm Qg log lvl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLR8743TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 3890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR8743TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR8743TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 3100 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 135W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm | на замовлення 46504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR8743TRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 160A DPAK Транзистори | на замовлення 920 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 3890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR8743TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR8743TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 3100 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 135W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm | на замовлення 46504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V | на замовлення 6302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 39nC | на замовлення 1136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLR8743TRPBF Код товару: 184092
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRLR8743TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 160A Power dissipation: 135W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | на замовлення 1916 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR9024N | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| IRLR9343-701PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 20A IPAK FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: I-PAK (LF701) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab) Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLR9343PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 P-CH HEXFET 105mOhms 31nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLR9343PBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 55V 20A DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLR9343PBF Код товару: 55827
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRLR9343PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 20A DPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLR9343PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR9343TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 20A; 79W; -40°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR9343; IRLR9343TRL; IRLR9343TR; SP001569064; SP001567302; SP001552884; IRLR9343TR UMW TIRLR9343 UMW кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR9343TR | UMW | Description: MOSFET P-CH 55V 20A DPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR9343TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 20A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLR9343TRPBF Код товару: 201393
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRLR9343TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR9343TRPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 20, Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 50, Qg, нКл = 47 нС @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3.4 А, 10 В, Ugs(th) = ±20 В, Р, Вт = 79 Вт, Тексп, °C = -40...+175, Тип монт. = smd, TO-252AA,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт кількість в упаковці: 2000 шт | на замовлення 12 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR9343TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 20A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V | на замовлення 8827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR9343TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm | на замовлення 3940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR9343TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 23974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR9343TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 23974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR9343TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR9343TRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 55V 20A DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLR9343TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 20A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR9343TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm | на замовлення 3940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR9343TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR9343TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLR9343TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 P-CH HEXFET 105mOhms 31nC | на замовлення 4964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLS3034 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRLS3034 Код товару: 99538
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Напруга сток-витік Uds, V: 40 V Струм стоку Idd, A: 195 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 10315/108 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| IRLS3034-7P | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRLS3034-7P Код товару: 46336
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRLS3034-7PPBF | Infineon Technologies | IRLS3034-7PPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Si - Arrow.com | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLS3034-7PPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 1.4mOhms 120nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLS3034-7PPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10990 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLS3034PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms 108nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLS3034PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLS3034PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLS3034TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10990 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLS3034TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLS3034TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLS3034TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLS3034TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 711292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLS3034TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRLS3034TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 380W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm | на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLS3034TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10990 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLS3034TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

