Продукція > STD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 53  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STD93003T4
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD940-2GlenairCircular MIL Spec Backshells
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD9410ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD946-117GlenairCircular MIL Spec Backshells
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD946-118GlenairCircular MIL Spec Backshells
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD946-119GlenairCircular MIL Spec Backshells
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD946-129Glenair650HS010NF15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD946-129GlenairCircular MIL Spec Backshells
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD946-129Glenair650HS010NF15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD946-144GlenairCircular MIL Spec Backshells
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD946-170GlenairCircular MIL Spec Backshells
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD946-192GlenairCircular MIL Spec Backshells
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD946-215GlenairCircular MIL Spec Backshells
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD946-222GlenairCircular MIL Spec Backshells
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD946-302GlenairCircular MIL Spec Backshells
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N04ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N2LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 25V 80A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1817 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±22V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.25 грн
10+100.16 грн
100+68.15 грн
500+51.08 грн
1000+46.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N2LH5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 25V 25V - 0.0037
на замовлення 2153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N2LH5
на замовлення 27600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N2LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 25V 80A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1817 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±22V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N3LH6STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N3LLH6STM
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N3LLH6STMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N4F3ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N4F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.78 грн
5000+68.44 грн
10000+66.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N4F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N4F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 5428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.28 грн
10+98.80 грн
100+70.48 грн
500+54.36 грн
1000+50.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N4F3STMicroelectronicsMOSFETs N Ch 40V 5.4mOhm 80A
на замовлення 3616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N4F3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD95N4F3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 5800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 3633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.73 грн
500+74.65 грн
1000+63.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N4F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N4F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+79.16 грн
5000+75.48 грн
10000+73.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N4F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N4LF3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD95N4LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.87 грн
50+112.17 грн
100+92.66 грн
500+78.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N4LF3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.36 грн
10+109.59 грн
100+75.13 грн
500+56.67 грн
1000+56.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N4LF3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD95N4LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.66 грн
500+78.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N4LF3STMMOSFET N-Ch, 40V, 80A, DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N4LF3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N4LF3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N4LF3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 40 Volt 80 Amp
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD95NF04
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD95NH02LST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD95NH02L-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD95NH02L-1STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD95NH02LL
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD95NH02LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD95NH02LT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 24 Volt 80 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD95NH02LT4STTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD95P3LLH6AGSTMDPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD95P3LLH6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.38 грн
10+132.09 грн
100+105.12 грн
500+83.47 грн
1000+70.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD95P3LLH6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD95P3LLH6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade P-channel -30 V, 5 mOhm typ., -80 A, STripFET H6 Power MOSFET i
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD95P3LLH6AGSTMicroelectronicsP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 80 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6250 @25, Qg, нКл = 113 @ 10 В, Rds = 6,9 мОм @ 40 A, 10 В, Ugs(th) = 2.5 В @ 250 мкA, Р, Вт = 104, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-252-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD96N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD96N3LLH6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD96N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VI DeepGATE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.74 грн
11+77.38 грн
100+51.70 грн
500+37.74 грн
1000+33.86 грн
5000+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD96N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD96N3LLH6STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30V 0.0037 Ohm 80A STripFET VI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD96N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.60 грн
10+64.61 грн
100+43.10 грн
500+31.77 грн
1000+28.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD96N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD96N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD96N3LLH6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD96N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VI DeepGATE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.70 грн
500+37.74 грн
1000+33.86 грн
5000+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD96N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD96N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD98705
на замовлення 32670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD98705FB
на замовлення 62800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD98707
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD991-3GlenairCircular MIL Spec Backshells
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD991-5GlenairSTD991-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD991-5GlenairCircular MIL Spec Backshells
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD9916LST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD992-3GlenairCircular MIL Spec Backshells
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD992-4GlenairCircular MIL Spec Backshells
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD9HN65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 2.5A, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD9HN65M2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 650 V, 0.71 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 2199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD9HN65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD9HN65M2STMMOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD9N10STTO-252/D-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD9N10STMicroelectronicsMOSFET RO 511-STD10NF10 TO-252 N-CH 100V 9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD9N10-1ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD9N10-T4
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD9N10-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD9N10ET4
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD9N10LST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD9N10LT4STMTO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD9N10T4ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD9N40M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD9N40M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 400 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD9N40M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.73 грн
10+67.10 грн
100+44.68 грн
500+32.91 грн
1000+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD9N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD9N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.54 грн
12+68.36 грн
100+50.56 грн
500+34.12 грн
1000+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD9N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD9N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.61 грн
142+99.82 грн
185+76.85 грн
200+69.22 грн
500+55.56 грн
1000+48.80 грн
2500+48.69 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD9N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD9N60M2STMicroelectronics
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD9N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD9N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.56 грн
500+34.12 грн
1000+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD9N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 100 V
на замовлення 3616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.30 грн
10+67.70 грн
100+45.32 грн
500+33.51 грн
1000+30.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD9N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD9N60M2STMMOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD9N60M2
Код товару: 108710
Додати до обраних Обраний товар
STMicroelectronicsТранзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 53  [ Наступна Сторінка >> ]