Продукція > IRL
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 43200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ34NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 21A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 68W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ34NSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 68W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm | на замовлення 11714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V | на замовлення 23200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 43200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ34NSTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ34PBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 110A; 88W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 30A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ34PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRLZ34PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 30A, TO-220 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm directShipCharge: 25 | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ34PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ34PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 60V 30A N-CH MOSFET | на замовлення 1625 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ34PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ34PBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ34PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 N CHAN 60V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ34PBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 30A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ34S | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ34S | на замовлення 953 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLZ34SPBF | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V 5mOhms@60V 30A N-Ch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ34SPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 60V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ34SPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ34STRL | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ34STRR | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44 | Vishay | N-MOSFET 47A 55V 110W 0.028Ω CDZ44 IRLZ44N TIRLZ44 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 980 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44 | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLZ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44L | Vishay / Siliconix | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44L | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44N | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 60A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLZ44; IRLZ44-BE3; IRLZ44N; SP001568772; IRLZ44N HXY MOSFET TIRLZ44n HXY кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44N | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 10V; 22mOhm; 47A; 3,8W; -55°C~175°C; Substitute: IRLZ44N; IRLZ44N TIRLZ44n кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44N | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 10V; 22mOhm; 47A; 3,8W; -55°C~175°C; Substitute: IRLZ44N; IRLZ44N TIRLZ44n кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 39 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44N | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 35mOhm; 47A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLZ44; IRLZ44-BE3; IRLZ44N; SP001568772; IRLZ44N UMW TIRLZ44n UMW | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44N | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 10V; 22mOhm; 47A; 3,8W; -55°C~175°C; Substitute: IRLZ44N; IRLZ44N TIRLZ44n | на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44N | Infineon / IR | MOSFETs MOSFET, 55V, 41A, 22 mOhm, 32 nC Qg, Logic Level, TO-220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44N | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 10V; 22mOhm; 47A; 3,8W; -55°C~175°C; Substitute: IRLZ44N; IRLZ44N TIRLZ44n кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 550 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44N Код товару: 218294
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLZ44N-CN | CHIPNOBO | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 25mOhm; 48A; 100W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLZ44; IRLZ44-BE3; IRLZ44N; SP001568772; IRLZ44N-CN CHIPNOBO TIRLZ44n CNB кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44NL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 47A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44NLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 47A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44NPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC LogLvlAB | на замовлення 32534 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44NPBF | Vishay/IR | N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 47 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 5 В, Rds = 22 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44NPBF Код товару: 35365
5
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, V: 55 V Струм стоку Idd, A: 41 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1700/48 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT | у наявності: 735 шт
очікується: 40 шт
|
| ||||||||||||||||
| IRLZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44NPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | на замовлення 21767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 41A Power dissipation: 83W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Kind of package: tube Gate-source voltage: ±16V Gate charge: 32nC On-state resistance: 22mΩ | на замовлення 203 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 126217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44NPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm | на замовлення 43215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44NPBF | UMW | (MFET,N-CH,60V,50A,110W,TO-220AB) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 126227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44NPBF-HXY IRLZ44NPBF | HXY MOSFET | (MFET,N-CH,60V,50A,110W,TO-220AB) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44NSPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 22mOhms 32nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44NSPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44NSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44NSPBF | Infineon | MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44NSTRL | Infineon | Transistor N-MOSFET; 55V; 16V; 35mOhm; 47A; 110W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRLZ44NSTR; IRLZ44NS; IRLZ44NSTRL; IRLZ44NS-GURT; IRLZ44NS SMD; IRLZ44NSTRL TIRLZ44ns кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 65 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44NSTRL | Infineon | Transistor N-MOSFET; 55V; 16V; 35mOhm; 47A; 110W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRLZ44NSTR; IRLZ44NS; IRLZ44NSTRL; IRLZ44NS-GURT; IRLZ44NS SMD; IRLZ44NSTRL TIRLZ44ns кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 190 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44NSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm | на замовлення 1347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44NSTRLPBF Код товару: 75607
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 96800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | на замовлення 8031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 96800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44NSTRLPBF | Infineon | MOSFET N-CH 55V 47A TO-263-3 (D2PAK) Транзистори | на замовлення 195 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 41A Power dissipation: 83W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44NSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm | на замовлення 1347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC Log Lvl | на замовлення 2321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44NSTRR Код товару: 103285
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні УКТЗЕД: 8541290010 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLZ44NSTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44NSTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44NTRR | IR | TO-263 | на замовлення 81000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44PBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 361 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V | на замовлення 1059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-Chan 60V 50 Amp | на замовлення 1786 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRLZ44PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 150W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm | на замовлення 1740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44PBF Код товару: 35366
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, V: 60 V Струм стоку Idd, A: 50 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,028 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 3300/66 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRLZ44PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44PBF | Vishay/IR | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 50 А, Ptot, Вт = 150, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3300 @ 25, Qg, нКл = 66 @ 5 В, Rds = 28 мОм @ 31 A, 5 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRLZ44PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 50A, TO-220 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Through Hole euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm directShipCharge: 25 | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 43 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44PBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44PBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V | на замовлення 412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 N-CH 60V 50A | на замовлення 551 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44S | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44S | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLZ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLZ44SPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLZ44SPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

