Продукція > IRL
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLZ34SPBF | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V 5mOhms@60V 30A N-Ch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ34STRL | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ34STRR | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44 | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLZ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44 | Vishay | N-MOSFET 47A 55V 110W 0.028Ω CDZ44 IRLZ44N TIRLZ44 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 980 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44L | Vishay / Siliconix | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44L | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44N Код товару: 218294
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRLZ44N | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 10V; 22mOhm; 47A; 3,8W; -55°C~175°C; Substitute: IRLZ44N; IRLZ44N TIRLZ44n кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44N | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 35mOhm; 47A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLZ44; IRLZ44-BE3; IRLZ44N; SP001568772; IRLZ44N UMW TIRLZ44n UMW кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44N | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 10V; 22mOhm; 47A; 3,8W; -55°C~175°C; Substitute: IRLZ44N; IRLZ44N TIRLZ44n кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 1419 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44N | Infineon / IR | MOSFETs MOSFET, 55V, 41A, 22 mOhm, 32 nC Qg, Logic Level, TO-220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44N | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 10V; 22mOhm; 47A; 3,8W; -55°C~175°C; Substitute: IRLZ44N; IRLZ44N TIRLZ44n кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44N | UMW | IRLZ44NPBF (MFET,N-CH,60V,50A,110W,TO-220AB) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44NL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 47A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44NLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 47A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 41A Power dissipation: 83W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | на замовлення 3195 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44NPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC LogLvlAB | на замовлення 66893 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44NPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm | на замовлення 40276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44NPBF | Vishay/IR | N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 47 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 5 В, Rds = 22 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44NPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | на замовлення 43599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44NPBF Код товару: 35365
6
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, В: 55 В Струм стоку Idd, А: 41 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,022 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1700/48 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT | товару немає в наявності
очікується: 1000 шт
|
| ||||||||||||||
| IRLZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 233496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 233502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44NPBF-HXY | HXY MOSFET | IRLZ44NPBF-HXY IRLZ44NPBF (MFET,N-CH,60V,50A,110W,TO-220AB) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44NSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44NSPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44NSPBF | Infineon | MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44NSPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 22mOhms 32nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44NSTRL | Infineon | Transistor N-MOSFET; 55V; 16V; 35mOhm; 47A; 110W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRLZ44NSTR; IRLZ44NS; IRLZ44NSTRL; IRLZ44NS-GURT; IRLZ44NS SMD; IRLZ44NSTRL TIRLZ44ns кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 65 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44NSTRL | Infineon | Transistor N-MOSFET; 55V; 16V; 35mOhm; 47A; 110W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRLZ44NSTR; IRLZ44NS; IRLZ44NSTRL; IRLZ44NS-GURT; IRLZ44NS SMD; IRLZ44NSTRL TIRLZ44ns кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 190 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 72350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44NSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44NSTRLPBF Код товару: 75607
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRLZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 124000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC Log Lvl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44NSTRLPBF | Infineon | MOSFET N-CH 55V 47A TO-263-3 (D2PAK) Транзистори | на замовлення 170 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 124000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44NSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 41A Power dissipation: 83W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44NSTRR Код товару: 103285
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні УКТЗЕД: 8541290010 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRLZ44NSTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44NSTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44NTRR | IR | TO-263 | на замовлення 81000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-Chan 60V 50 Amp | на замовлення 869 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V | на замовлення 4705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRLZ44PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 50A, TO-220 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Through Hole euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 150W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm directShipCharge: 25 | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44PBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 1111 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44PBF Код товару: 35366
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, В: 60 В Струм стоку Idd, А: 50 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,028 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3300/66 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRLZ44PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44PBF | Vishay/IR | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 50 А, Ptot, Вт = 150, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3300 @ 25, Qg, нКл = 66 @ 5 В, Rds = 28 мОм @ 31 A, 5 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 1111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRLZ44PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 150W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm | на замовлення 1680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44PBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 N-CH 60V 50A | на замовлення 551 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44PBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V | на замовлення 412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44S | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLZ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44S | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44SPBF | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Gate charge: 66nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44SPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44SPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44SPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO263 N-CH 60V 50A | на замовлення 5117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44SPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V | на замовлення 2664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44SPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44STRL | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44STRLPBF | Vishay / Siliconix | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44STRR | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44STRRPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO263 N-CH 60V 50A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44STRRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44STRRPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V | на замовлення 3821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44STRRPBF | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Gate charge: 66nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44STRRPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44STRRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) SMD-220 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44Z Код товару: 99544
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, В: 55 В Струм стоку Idd, А: 51 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 13,5 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1620/24 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRLZ44Z | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6mOhm; 110A; 358W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLZ44Z; SP001577132; IRLZ44Z JSMICRO TIRLZ44z JSM кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44ZL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44ZLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44ZLPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 55V 51A 13.5mOhm 24nC LogLvl | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 51A 24nC 13.5mOhm LogLvAB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 22060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLZ44ZPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLZ44ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44ZPBF Код товару: 113451
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Напруга сток-витік Uds, В: 55 В Струм стоку Idd, А: 51 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 13,5 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1620/24 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRLZ44ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44ZPBF.. | INFINEON | Description: INFINEON - IRLZ44ZPBF.. - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0135 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 51 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 80 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44ZS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLZ44ZS | IR | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

