Продукція > IRL
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLZ44ZSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IRLZ44ZSPBF Код товару: 4350
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Напруга сток-витік Uds, В: 55 В Струм стоку Idd, А: 51 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 13,5 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1620/24 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||
| IRLZ44ZSPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 24nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IRLZ44ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 6544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| IRLZ44ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IRLZ44ZSTRLPBF | Infineon | IRLZ44ZSTRLPBF MOSFET N-CH 55V 51A TO-263AB (D2PAK) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IRLZ44ZSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLZ44ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IRLZ44ZSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 51A 13.5mOhm 24nC LogLvl | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IRLZ44ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IRLZ44ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| IRLZ44ZSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLZ44ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IRLZ44ZSTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |