Продукція > IRL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 43 44 45 46 47 48
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRLZ44SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+166.23 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.01 грн
50+142.53 грн
100+129.25 грн
500+99.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 N-CH 60V 50A
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.23 грн
50+165.29 грн
100+156.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44STRLPBFVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44STRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) SMD-220 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 N-CH 60V 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44STRRPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.01 грн
10+183.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZJSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6mOhm; 110A; 358W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLZ44Z; SP001577132; IRLZ44Z JSMICRO TIRLZ44z JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+46.53 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44Z
Код товару: 99544
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 51 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1620/24
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+21.00 грн
10+17.90 грн
100+12.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 51A 13.5mOhm 24nC LogLvl
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZPBF
Код товару: 113451
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 51 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1620/24
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.50 грн
10+18.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+75.62 грн
520+68.06 грн
1000+62.76 грн
10000+53.96 грн
Мінімальне замовлення: 468 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLZ44ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 51A 24nC 13.5mOhm LogLvAB
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZPBF..INFINEONDescription: INFINEON - IRLZ44ZPBF.. - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0135 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 51
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 80
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZSIR
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZSPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 24nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZSPBF
Код товару: 4350
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 51 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1620/24
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+25.00 грн
10+22.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 51A 13.5mOhm 24nC LogLvl
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 51A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 51A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLZ44ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
403+87.87 грн
500+79.09 грн
Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZSTRLPBFInfineonMOSFET N-CH 55V 51A TO-263AB (D2PAK) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLZ44ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
403+87.87 грн
500+79.09 грн
1000+72.93 грн
Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 43 44 45 46 47 48