Продукція > Jan

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
JAN1N5546CUR-1/TRMicrosemiZener Diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5546D-1MicrosemiZener Diodes Voltage Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5546D-1Microsemi HI-REL [MIL]Description: DIODE ZENER 33V 500MW DO35
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5546D-1/TRMicrosemiZener Diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5546DUR-1Microchip TechnologyDescription: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA
Tolerance: ±1%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: DO-213AA
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 29.7 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5546DUR-1MicrosemiZener Diodes Voltage Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5546DUR-1/TRMicrosemiZener Diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5550Microchip TechnologyDescription: DIODE STANDARD 200V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Qualification: MIL-PRF-19500/420
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+374.86 грн
100+335.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5550SemtechMIL 3A FAST RECTIFIER POWER DISCR 1N5550
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5550Microchip / MicrosemiRectifiers 220V 3A Std Rectifier THT
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5550/TRMicrochip / MicrosemiRectifiers Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5550USMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5550US/TRMicrochip / MicrosemiRectifiers 220V 3A Std Rectifier SQ SMT TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5551Microchip TechnologyRectifier Diode Switching 400V 5A 2000ns 2-Pin Case E Bag
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+535.83 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5551Microchip TechnologyDescription: DIODE STANDARD 400V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Qualification: MIL-PRF-19500/420
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+374.86 грн
100+335.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5551Microchip TechnologyRectifier Diode Switching 400V 5A 2000ns 2-Pin Case E Bag
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+535.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5551Microchip / MicrosemiRectifiers 440V 3A Std Rectifier THT
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5551Microchip TechnologyRectifier Diode Switching 400V 5A 2000ns 2-Pin Case E Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5551/TRMicrochip / MicrosemiRectifiers 440V 3A Std Rectifier THT TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5551/TRMicrochip TechnologyDescription: DIODE STANDARD 400V 3A B AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Qualification: MIL-PRF-19500/420
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5551USMicrochip TechnologyDescription: DIODE STANDARD 400V 3A D5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Qualification: MIL-PRF-19500/420
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5551USMicrochip / MicrosemiRectifiers 440V 3A Std Rectifier SQ SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5551US/TRMicrochip / MicrosemiRectifiers 440V 3A Std Rectifier SQ SMT TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5551US/TRMicrochip TechnologyDescription: DIODE STANDARD 400V 3A D5B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Qualification: MIL-PRF-19500/420
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5552MICROSEMIEStandard Rectifier (trr more than 500ns) 1N5552
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5552Microchip TechnologyDescription: DIODE STANDARD 600V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: MIL-PRF-19500/420
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.87 грн
100+286.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5552Microchip / MicrosemiRectifiers 660V 3A Std Rectifier THT
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5552/TRMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: MIL-PRF-19500/420
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5552/TRMicrochip / MicrosemiRectifiers 660V 3A Std Rectifier THT TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5552USMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A D-5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: MIL-PRF-19500/420
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5552USMicrosemiRectifiers Std Rectifier
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5552US/TRMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A D-5B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: MIL-PRF-19500/420
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5552US/TRMicrochip / MicrosemiRectifiers 660V 3A Std Rectifier SQ SMT TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5553Microchip / MicrosemiRectifiers 880V 3A Std Rectifier THT
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5553Semtech CorporationDescription: DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 92pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: Axial
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5553Microchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5553/TRMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5553/TRMicrochip / MicrosemiRectifiers Rectifier
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5553USMicrochip / MicrosemiRectifiers Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5553USMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A D-5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5553US/TRMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A D-5B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5553US/TRMicrochip / MicrosemiRectifiers Rectifier
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5554SemtechESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A STD 1KV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5554Microchip / MicrosemiRectifiers 1100V 3A Std Rectifier THT
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5554MICROSEMIB/VOIDLESS HERMETICALLY SEALED STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS 1N5554
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5554Microchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Qualification: MIL-PRF-19500/420
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5554/TRMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 1KV 3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1 V
Qualification: MIL-PRF-19500/420
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5554/TRMicrochip / MicrosemiRectifiers Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5554USMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 1KV 5A D-5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Qualification: MIL-PRF-19500/420
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5554USMicrochip / MicrosemiRectifiers Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5554US/TRMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 1KV 5A D-5B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1 V
Qualification: MIL-PRF-19500/420
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5554US/TRMicrochip / MicrosemiRectifiers Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5555Microchip TechnologyDescription: TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC DO13
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-202AA, DO-13, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 32A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.5V
Supplier Device Package: DO-13 (DO-202AA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/500
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2911.73 грн
100+2603.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5555Microchip / MicrosemiESD Protection Diodes / TVS Diodes 47.5V 32A Uni-Directional TVS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5555/TRMicrochip TechnologyDescription: UNI-DIRECTIONAL TVS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-13
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TA)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 32A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.5V
Supplier Device Package: DO-13 (DO-202AA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5556Microchip / MicrosemiESD Suppressors / TVS Diodes Hi Rel TVS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5556MICROSEMIDO13-2/Diode TVS Single Uni-Dir 40.3V 1.5KW 1N5556
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5556Microchip TechnologyDescription: TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC DO13
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-202AA, DO-13, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40.3V
Supplier Device Package: DO-13 (DO-202AA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 43.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 63.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Military
Part Status: Active
Qualification: MIL-PRF-19500/500
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5556/TRMicrochip TechnologyDescription: UNI-DIRECTIONAL TVS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-13
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TA)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40.3V
Supplier Device Package: DO-13 (DO-202AA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 43.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 63.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5557Microchip TechnologyDiode TVS Single Uni-Dir 49V 1.5KW 2-Pin DO-13 Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5557Microchip TechnologyDiode TVS Single Uni-Dir 49V 1.5KW 2-Pin DO-13 Bag
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5757.23 грн
5+4598.73 грн
10+4292.86 грн
20+3948.54 грн
50+3422.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5557Microchip / MicrosemiESD Protection Diodes / TVS Diodes 78.5V 19A Uni-Directional TVS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5557Sensitron SemiconductorsTVS Diode Single Uni-Dir 49V 1.5KW 2-Pin DO-13
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5557/TRMicrochip / MicrosemiESD Suppressors / TVS Diodes Hi Rel TVS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5558Microsemi CorporationDescription: TVS DIODE 175V 265V DO13
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5558Microchip / MicrosemiESD Suppressors / TVS Diodes Hi Rel TVS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5558/TRMicrochip / MicrosemiMicrochip Technology Uni-Directional TVS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5610Microsemi HI-REL [MIL]Description: TVS DIODE 30.5VWM 47.6VC G-PKG
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5611Microchip TechnologyDescription: TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC G AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: G, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40.3V
Supplier Device Package: G, Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 43.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 63.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/434
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5612Microsemi CorporationDescription: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5614MICROSEMIA/STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIER (TRR MORE THAN 500NS) 1N5614
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5614Microsemi HI-REL [MIL]Description: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5614SemtechZener Diodes D MET 1A STD 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5614Semtech1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE JAN1N5614
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5614/TRMicrosemiRectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5614USMICROSEMIA_SQ._MELF 1N5614
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5614USMicrochip / MicrosemiRectifiers Rectifier
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5614USMicrosemi HI-REL [MIL]Description: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5614USMicrosemiRectifiers Std Rectifier
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5614US/TRMicrosemiRectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5615Microchip / MicrosemiRectifiers UFR,FRR
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5615Semtech CorporationDescription: DIODE GEN PURP 200V 2A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 27pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
Qualification: MIL-PRF-19500/429
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5615Microchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
Qualification: MIL-PRF-19500/429
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.73 грн
100+266.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5615/TRMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
Qualification: MIL-PRF-19500/429
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5615/TRMicrochip / MicrosemiRectifiers UFR,FRR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5615USMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Grade: Military
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V
Qualification: MIL-PRF-19500/429
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5615USMicrochip / MicrosemiRectifiers UFR,FRR
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5615US/TRMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Grade: Military
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V
Qualification: MIL-PRF-19500/429
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5615US/TRMicrochip / MicrosemiRectifiers UFR,FRR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5616Microchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5616MicrosemiRectifier Diode Switching 400V 1A 2000ns 2-Pin Case A Bag
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+674.41 грн
10+579.01 грн
100+477.16 грн
500+413.35 грн
1000+331.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5616Microchip / MicrosemiRectifiers Rectifier
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5616SemtechRectifier Diode Switching 400V 2A 2000ns 2-Pin Case G-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5616Semtech CorporationDescription: D MET 1A STD 400V
Packaging: Bulk
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5616Sensitron SemiconductorsRectifier Diode Switching 400V 1A 2000ns 2-Pin Case 102
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5616/TRMicrochip / MicrosemiRectifiers 400V 1A Std Rectifier THT TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5616/TRMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 400V 1A A AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5616USSensitron SemiconductorsRectifier Diode Switching 400V 1A 2000ns 2-Pin MELF-1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5616USMicrosemiRectifier Diode Switching 400V 1A 2000ns 2-Pin A-MELF Bag
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+537.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5616USMicrochip / MicrosemiRectifiers 400V Std Rectifier SQ SMT
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.