Продукція > Jan
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JAN1N5551US | Microchip / Microsemi | Rectifiers 440V 3A Std Rectifier SQ SMT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5551US | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 400V 3A D5B Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: D-5B Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V Qualification: MIL-PRF-19500/420 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5551US/TR | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 400V 3A D5B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: D-5B Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V Qualification: MIL-PRF-19500/420 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5551US/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 440V 3A Std Rectifier SQ SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5552 | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 600V 3A B AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/420 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5552 | Microchip / Microsemi | Rectifiers 660V 3A Std Rectifier THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5552 | MICROSEMI | EStandard Rectifier (trr more than 500ns) 1N5552 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5552/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 600V 3A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Qualification: MIL-PRF-19500/420 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 148 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5552/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 660V 3A Std Rectifier THT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 148 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5552US | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 600V 3A D-5B Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: D-5B Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Qualification: MIL-PRF-19500/420 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5552US | Microsemi | Rectifiers Std Rectifier | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5552US/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 660V 3A Std Rectifier SQ SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5552US/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 600V 3A D-5B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: D-5B Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Qualification: MIL-PRF-19500/420 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5553 | Semtech Corporation | Description: DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: Axial Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Supplier Device Package: Axial Current - Average Rectified (Io): 5A Capacitance @ Vr, F: 92pF @ 5V, 1MHz Technology: Standard | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5553 | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: B, Axial Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: B, Axial Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 104 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5553 | Microchip / Microsemi | Rectifiers 880V 3A Std Rectifier THT | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| JAN1N5553/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 102 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5553/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 800V 3A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: B, Axial Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: B, Axial Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 102 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5553US | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 800V 3A D-5B Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: D-5B Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5553US | Microchip / Microsemi | Rectifiers Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5553US/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5553US/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 800V 3A D-5B Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: D-5B Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SQ-MELF, E Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5554 | Microchip / Microsemi | Rectifiers 1100V 3A Std Rectifier THT | на замовлення 104 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| JAN1N5554 | MICROSEMI | B/VOIDLESS HERMETICALLY SEALED STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS 1N5554 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5554 | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL Qualification: MIL-PRF-19500/420 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Grade: Military Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: B, Axial Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: B, Axial Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 104 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5554 | Semtech | ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A STD 1KV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5554/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1 V Qualification: MIL-PRF-19500/420 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 102 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5554/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5554US | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A D-5B Qualification: MIL-PRF-19500/420 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Grade: Military Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: D-5B Current - Average Rectified (Io): 5A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SQ-MELF, E Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5554US | Microchip / Microsemi | Rectifiers Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5554US/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A D-5B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: D-5B Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1 V Qualification: MIL-PRF-19500/420 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5554US/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5555 | Microchip / Microsemi | ESD Protection Diodes / TVS Diodes 47.5V 32A Uni-Directional TVS | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| JAN1N5555 | Microchip Technology | Description: TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC DO13 Packaging: Bulk Package / Case: DO-202AA, DO-13, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 32A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.5V Supplier Device Package: DO-13 (DO-202AA) Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 33V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Power Line Protection: No Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/500 | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| JAN1N5555/TR | Microchip Technology | Description: UNI-DIRECTIONAL TVS Power Line Protection: No Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V Voltage - Breakdown (Min): 33V Unidirectional Channels: 1 Supplier Device Package: DO-13 (DO-202AA) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.5V Current - Peak Pulse (10/1000µs): 32A Applications: General Purpose Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TA) Type: Zener Mounting Type: Through Hole Package / Case: DO-13 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5556 | Microchip Technology | Description: TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC DO13 Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 63.5V Voltage - Breakdown (Min): 43.7V Unidirectional Channels: 1 Supplier Device Package: DO-13 (DO-202AA) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40.3V Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24A Applications: General Purpose Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Type: Zener Mounting Type: Through Hole Package / Case: DO-202AA, DO-13, Axial Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/500 Grade: Military Part Status: Active Power Line Protection: No Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5556 | Microchip / Microsemi | ESD Suppressors / TVS Diodes Hi Rel TVS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5556 | MICROSEMI | DO13-2/Diode TVS Single Uni-Dir 40.3V 1.5KW 1N5556 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5556/TR | Microchip Technology | Description: UNI-DIRECTIONAL TVS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-13 Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TA) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40.3V Supplier Device Package: DO-13 (DO-202AA) Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 43.7V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 63.5V Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Power Line Protection: No Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5557 | Sensitron Semiconductors | TVS Diode Single Uni-Dir 49V 1.5KW 2-Pin DO-13 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5557 | Microchip Technology | Diode TVS Single Uni-Dir 49V 1.5KW 2-Pin DO-13 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5557 | Microchip / Microsemi | ESD Protection Diodes / TVS Diodes 78.5V 19A Uni-Directional TVS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5557 | Microchip Technology | Diode TVS Single Uni-Dir 49V 1.5KW 2-Pin DO-13 Bag | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| JAN1N5557/TR | Microchip / Microsemi | ESD Suppressors / TVS Diodes Hi Rel TVS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5558 | Microsemi Corporation | Description: TVS DIODE 175V 265V DO13 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5558 | Microchip / Microsemi | ESD Suppressors / TVS Diodes Hi Rel TVS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5558/TR | Microchip / Microsemi | Microchip Technology Uni-Directional TVS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5610 | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: TVS DIODE 30.5VWM 47.6VC G-PKG | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5611 | Microchip Technology | Description: TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC G AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: G, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40.3V Supplier Device Package: G, Axial Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 43.7V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 63.5V Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Power Line Protection: No Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/434 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5612 | Microsemi Corporation | Description: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5614 | MICROSEMI | A/STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIER (TRR MORE THAN 500NS) 1N5614 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5614 | Semtech | Zener Diodes D MET 1A STD 200V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5614 | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | на замовлення 152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5614 | Semtech | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE JAN1N5614 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5614/TR | Microsemi | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5614US | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5614US | Microchip / Microsemi | Rectifiers Rectifier | на замовлення 107 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| JAN1N5614US | MICROSEMI | A_SQ._MELF 1N5614 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5614US | Microsemi | Rectifiers Std Rectifier | на замовлення 194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5614US/TR | Microsemi | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5615 | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Qualification: MIL-PRF-19500/429 Grade: Military Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: A, Axial Current - Average Rectified (Io): 1A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: A, Axial Packaging: Bulk | на замовлення 139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| JAN1N5615 | Microchip / Microsemi | Rectifiers UFR,FRR | на замовлення 107 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| JAN1N5615 | Semtech Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 2A AXIAL Qualification: MIL-PRF-19500/429 Grade: Military Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: Axial Current - Average Rectified (Io): 2A Capacitance @ Vr, F: 27pF @ 5V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: Axial Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5615/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: A, Axial Current - Average Rectified (Io): 1A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: A, Axial Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: MIL-PRF-19500/429 Grade: Military | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 169 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5615/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers UFR,FRR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 169 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5615US | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A Qualification: MIL-PRF-19500/429 Grade: Military Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Supplier Device Package: D-5A Current - Average Rectified (Io): 1A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SQ-MELF, A Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5615US | Microchip / Microsemi | Rectifiers UFR,FRR | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| JAN1N5615US/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Supplier Device Package: D-5A Current - Average Rectified (Io): 1A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SQ-MELF, A Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: MIL-PRF-19500/429 Grade: Military | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5615US/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers UFR,FRR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5616 | Semtech Corporation | Description: D MET 1A STD 400V Packaging: Bulk Part Status: Discontinued at Digi-Key | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5616 | Microsemi | Rectifier Diode Switching 400V 1A 2000ns 2-Pin Case A Bag | на замовлення 2388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| JAN1N5616 | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Supplier Device Package: A, Axial Current - Average Rectified (Io): 1A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: A, Axial Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 175 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5616 | Semtech | Rectifier Diode Switching 400V 2A 2000ns 2-Pin Case G-2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5616 | Microchip / Microsemi | Rectifiers Rectifier | на замовлення 179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| JAN1N5616 | Sensitron Semiconductors | Rectifier Diode Switching 400V 1A 2000ns 2-Pin Case 102 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5616/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 400V 1A Std Rectifier THT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 169 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5616/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A A AXIAL Current - Average Rectified (Io): 1A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: A, Axial Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Supplier Device Package: A, Axial | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 169 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5616US | Microchip / Microsemi | Rectifiers 400V Std Rectifier SQ SMT | на замовлення 117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| JAN1N5616US | Sensitron Semiconductors | Rectifier Diode Switching 400V 1A 2000ns 2-Pin MELF-1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5616US | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A D-5A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Supplier Device Package: D-5A Current - Average Rectified (Io): 1A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SQ-MELF, A Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 108 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5616US | Microsemi | Rectifier Diode Switching 400V 1A 2000ns 2-Pin A-MELF Bag | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| JAN1N5616US/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A D-5A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Supplier Device Package: D-5A Current - Average Rectified (Io): 1A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SQ-MELF, A Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 106 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5616US/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 106 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5617 | Microchip / Microsemi | Rectifiers UFR,FRR | на замовлення 232 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| JAN1N5617 | Semtech | Rectifier Diode Switching 400V 2A 150ns 2-Pin Case G-2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5617 | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V Qualification: MIL-PRF-19500/429 Grade: Military Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: A, Axial Current - Average Rectified (Io): 1A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: A, Axial Packaging: Bulk | на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| JAN1N5617 | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns 2-Pin Case A Bag | на замовлення 14091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| JAN1N5617 | Sensitron Semiconductors | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns 2-Pin Case 102 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5617 diod Код товару: 173349
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JAN1N5617/TR | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns 2-Pin Case A T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 169 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5617/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers UFR,FRR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 169 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5617US | Sensitron Semiconductors | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns 2-Pin MELF-1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5617US | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5617US | Microchip / Microsemi | Rectifiers UFR,FRR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5617US | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns 2-Pin A-MELF Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5617US/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers UFR,FRR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5618 | MICROSEMI | A/1 A, SILICON, SIGNAL DIODE JAN1N5618 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5618 | Semtech Corporation | Description: D MET 1A STD 600V Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5618 | Semtech | TO204/1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE POWER DISCR 1N5618 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5618 | Microchip / Microsemi | Rectifiers 600V 1A Std Rectifier THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |

