Продукція > BD4

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BD434SonsemiBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD434SON SemiconductorTrans GP BJT PNP 22V 4A 36000mW 3-Pin TO-126 Bag
на замовлення 3785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
948+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 948 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD434STUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 22V 4A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 22 V
Power - Max: 36 W
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD434STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 22V 4A 36000mW 3-Pin TO-126 Rail
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
842+42.04 грн
1000+38.76 грн
Мінімальне замовлення: 842 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD434STUONSEMIDescription: ONSEMI - BD434STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1069 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD435LUGUANG ELECTRONICCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 4A; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 4A
Case: TO126
Mounting: THT
Frequency: 3MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD435STMTRANS NPN EPITAX 4A 32V SOT-32 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD435onsemiBipolar Transistors - BJT Medium Power NPN Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD435STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 32V 4A SOT-32-3
Power - Max: 36 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-32-3
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD435CDILNPN 4A 32V 36W 3MHz BD435 TBD435
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD435onsemiDescription: TRANS NPN 32V 4A TO-126
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 36 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD435STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD435 (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 3527
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Гранична частота fT: 3 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 32 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 32 В
Струм колектора Ic, А: 4 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 40
Монтаж: THT
у наявності: 4 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+12.50 грн
10+10.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD435-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 32V 4A TO126
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD435GonsemiDescription: TRANS NPN 32V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 36 W
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
704+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 704 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD435GONSEMIDescription: ONSEMI - BD435G - TRANS, NPN, 32V, 4A, 150DEG C, 36W
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD435GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 22V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD435GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 32V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+39.26 грн
376+37.71 грн
392+36.17 грн
500+33.68 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD435GonsemiDescription: TRANS NPN 32V 4A TO-126
Power - Max: 36 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD435GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 32V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.60 грн
20+39.26 грн
25+37.71 грн
100+34.88 грн
500+31.18 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD435SON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD435SON SemiconductorTrans GP BJT NPN 32V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD435SonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD435SonsemiDescription: TRANS NPN 32V 4A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 36 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD435SONSEMIDescription: ONSEMI - BD435S - BD435S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1975 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD435STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD435STUonsemiDescription: TRANS NPN 32V 4A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 36 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD435STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 32V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1920 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD436CDILТранзистор: PNP; биполярный; 32В; 4А; 36Вт; TO126 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD436importPNP 4A 32V 36W 3MHz Replacement: BD442 BD436 TBD436
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
150+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD436BD436 Прочие компоненты
на замовлення 5161 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD436STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 32V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD436STMTO-126 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD436STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD436onsemiDescription: TRANS PNP 32V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 36 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD436CDILPNP 4A 32V 36W 3MHz Replacement: BD442 BD436 TBD436
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD436LUGUANG ELECTRONICCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 4A; TO126
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 4A
Case: TO126
Mounting: THT
Frequency: 3MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD436CDILТранзистор PNP, Uceo, В = 32, Ic = 4 А, ft, МГц = 3, Icutoff-max = 100 мкА, Р, Вт = 36, Тексп, °C = 150,... Транзистори Корпус: TO-126 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD436onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 32V 36W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD436STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 32V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD436
Код товару: 32488
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD436STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 32V 4A SOT-32-3
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
Power - Max: 36 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-32-3
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD436(LEGACY FAIRCHILD)onsemionsemi PNP/4A/32V TO-126
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD436-ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS, IGBT & Power Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD436-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD436-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 32V 4A TO-126
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD436-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD436-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD436GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD436GonsemiDescription: TRANS PNP 32V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 36 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD436GONSEMIDescription: ONSEMI - BD436G - BD436G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD436GonsemiDescription: TRANS PNP 32V 4A TO-225-3
Power - Max: 36 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TO-225-3
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+33.31 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD436SONSEMIDescription: ONSEMI - BD436S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 4 A, 36 W, TO-126, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 36
Übergangsfrequenz ft: 3
Bauform - Transistor: TO-126
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 32
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD436Sonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD436SON SemiconductorTrans GP BJT PNP 32V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD436SonsemiBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD436SonsemiDescription: TRANS PNP 32V 4A TO-126-3
Power - Max: 36 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TO-126-3
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD436STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 32V 4A 36000mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
814+43.50 грн
Мінімальне замовлення: 814 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD436STUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD436STUonsemiDescription: TRANS PNP 32V 4A TO-126-3
Power - Max: 36 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126-3
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD436STUONSEMIDescription: ONSEMI - BD436STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 4 A, 36 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BD436
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD436STUonsemiBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD436STU_NLonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP/4A/32V TO-126
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD436S_NLonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Silicon Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD436TonsemiDescription: TRANS PNP 32V 4A TO-126
Power - Max: 36 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD436TonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 32V 36W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD436TGONSEMIDescription: ONSEMI - BD436TG - BD436TG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 69389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD436TGonsemiDescription: TRANS PNP 32V 4A TO-126
Power - Max: 36 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
на замовлення 69389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+33.55 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD436TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 32V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Tube
на замовлення 68739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
842+42.04 грн
1000+38.76 грн
10000+34.57 грн
Мінімальне замовлення: 842 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD436TGonsemiDescription: TRANS PNP 32V 4A TO-126
Power - Max: 36 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD436TGonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 32V 36W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD437STMTRANS NPN 45V 4A SOT32-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD437LUGUANG ELECTRONICCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 4A; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 4A
Case: TO126
Mounting: THT
Frequency: 3MHz
на замовлення 10075 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
45+10.66 грн
75+5.95 грн
100+5.37 грн
500+4.78 грн
2500+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD437STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 45V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD437STTransistor NPN; 130; 36W; 45V; 4A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD437-ST; BD437 TBD437sgs
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD437onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 45V 36W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD437BD437 Микросхемы Supervisors mP Supervisors
на замовлення 4777 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD437STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 45V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 89010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
627+22.57 грн
646+21.92 грн
701+20.20 грн
1000+18.30 грн
2000+16.01 грн
4000+14.99 грн
10000+14.44 грн
24000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 627 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD437
Код товару: 113406
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Гранична частота fT: 3 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 45 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 45 В
Струм колектора Ic, А: 4 А
Монтаж: THT
товару немає в наявності
3+8.00 грн
10+7.20 грн
100+6.50 грн
1000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD437LGETRANS NPN 45V 4A TO-126 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD437LGETransistor NPN; 85; 1,25W; 45V; 4A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BD437-LGE; BD437 TBD437
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD437BD437 Микросхемы Supervisors mP Supervisors
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD437MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BD437 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 36 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 85hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 36W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD437STMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 4A; 36W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 4A
Power dissipation: 36W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
на замовлення 422 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.99 грн
12+36.98 грн
50+31.53 грн
100+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD437STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 45V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 89029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.84 грн
34+22.50 грн
100+21.85 грн
500+19.41 грн
1000+16.89 грн
2000+15.32 грн
4000+14.94 грн
10000+14.39 грн
24000+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD437STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 45V 4A SOT-32-3
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.14 грн
50+40.55 грн
100+36.00 грн
500+26.30 грн
1000+23.89 грн
2000+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD437STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
на замовлення 6676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD437On SemiconductorTRANS NPN 45V 4A TO-126 Транзистори
на замовлення 3 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
3+260.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD437 (LGE)
Код товару: 130229
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Гранична частота fT: 3 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 45 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 45 В
Струм колектора Ic, А: 4 А
Монтаж: THT
у наявності: 3 шт
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3+8.00 грн
10+7.20 грн
100+6.50 грн
1000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD437-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 45V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD437GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD437GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 36 W
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.03 грн
10+64.23 грн
100+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD437GONSEMIDescription: ONSEMI - BD437G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 4 A, 36 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 85hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD437GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 4A; 36W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 4A
Power dissipation: 36W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
Current gain: 85...375
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD437GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 45V 36W NPN
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD437SONSEMIDescription: ONSEMI - BD437S - TRANSISTOR, NPN, 45V, 4A, TO-126-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 106600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD437Sonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD437SonsemiDescription: TRANS NPN 45V 4A TO-126-3
на замовлення 105100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
791+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 791 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD437SFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 45V 4A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 36 W
на замовлення 3403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
791+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 791 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD437SONS/FAINPN, 45V, 4A, TO-126 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.