Продукція > FDA

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDA20N50ON SemiconductorFDA20N50
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+325.30 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA20N50-F109onsemi / FairchildMOSFET 500V NCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA20N50-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+215.69 грн
500+205.08 грн
1000+193.29 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA20N50-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+215.69 грн
500+205.08 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA20N50-F109ONSEMIDescription: ONSEMI - FDA20N50-F109 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA20N50-F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.34 грн
10+213.94 грн
25+213.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA20N50FONSEMIDescription: ONSEMI - FDA20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.22 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 22
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 388
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 388
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA20N50FonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 388W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+224.34 грн
67+213.29 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA20N50Fonsemi / FairchildMOSFETs 500V N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA20N50F
Код товару: 104160
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA20N50_F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA20N50_F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA2100BLVSTMicroelectronicsDescription: IC AMP CLASS D STER 120W 64TQFP
Type: Class D
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 64-TQFP-EP (10x10)
Max Output Power x Channels @ Load: 120W x 2 @ 4Ohm
Voltage - Supply: 6V ~ 35V
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Package / Case: 64-TQFP Exposed Pad
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 960 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA2100BLVSTMicroelectronicsAudio Amplifiers 2 x 180 W/1 x 300 W PWM digital input automotive power amplifier built-in diagno
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 960 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA2100BLVSTMicroelectronicsAudio Amp Speaker 1-CH Mono/2-CH Stereo 150W Class-D Automotive AEC-Q100 64-Pin TQFP Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 960 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA2100BLV
Код товару: 168054
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
у наявності: 4 шт
  • 4 шт - склад
1+396.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA2100BLVSTMicroelectronicsAudio Amp Speaker 1-CH Mono/2-CH Stereo 150W Class-D Automotive AEC-Q100 64-Pin TQFP Tray
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
480+1111.66 грн
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA2100BLVSTMicroelectronicsAudio Amp Speaker 1-CH Mono/2-CH Stereo 150W Class-D Automotive AEC-Q100 64-Pin TQFP Tray
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+1113.55 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA2100BLV-TSTMicroelectronicsAudio Amp Speaker 1-CH Mono/2-CH Stereo 150W Class-D Automotive AEC-Q100 64-Pin TQFP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA2100BLV-TSTMicroelectronicsDescription: IC AMP CLASS D STER 120W 64TQFP
Voltage - Supply: 6V ~ 35V
Type: Class D
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Package / Case: 64-TQFP Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 64-TQFP-EP (10x10)
Max Output Power x Channels @ Load: 120W x 2 @ 4Ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA2100BLV-TSTMicroelectronicsAudio Amplifiers 2 x 180 W/1 x 300 W PWM digital input automotive power amplifier built-in diagno
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA2100LVSTMicroelectronicsDescription: IC AMP DUAL BRIDGE D 64TQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA2100LVSTMicroelectronicsAudio Amplifiers 2 x 180 W/1 x 300 W PWM digital input power amplifier built-in diagnostics featu
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA2100LV-TSTMicroelectronicsAudio Amplifiers 2 x 180 W/1 x 300 W PWM digital input power amplifier built-in diagnostics featu
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA2100LV-TSTMicroelectronicsDescription: IC AMP DUAL BRIDGE D 64TQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA215LittelfuseMOSFET Driver IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA215IXYS Integrated Circuits DivisionDescription: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8DIP
Current - DC Forward (If) (Max): 100 mA
Number of Channels: 2
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 5ms, 5ms
Supplier Device Package: 8-DIP
Approval Agency: EN, IEC, TUV
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Technology: Optical Coupling
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA215CLARE
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA215IXYS Integrated CircuitsGate Drivers Photovoltaic-Output 2.5kV ISOLATION DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA215LittelfuseMOSFET Driver IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA215ECPClare1995
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA215SIXYS Integrated Circuits DivisionDescription: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD
Current - DC Forward (If) (Max): 100 mA
Number of Channels: 2
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 5ms, 5ms
Supplier Device Package: 8-SMD
Approval Agency: EN, IEC, TUV
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Technology: Optical Coupling
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Packaging: Tube
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+599.62 грн
50+377.65 грн
100+357.62 грн
500+302.34 грн
1000+291.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA215SLittelfusedual photo voltaic MOSFET driver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA215SIXYS Integrated CircuitsGate Drivers Fet Driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA215SLittelfusedual photo voltaic MOSFET driver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA215SLittelfusedual photo voltaic MOSFET driver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA215STRLittelfuseMOSFET Driver IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA215STRIXYS Integrated Circuits DivisionDescription: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Technology: Optical Coupling
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: EN, IEC, TUV
Supplier Device Package: 8-SMD
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 5ms, 5ms
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 100 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA215STRLittelfuseMOSFET Driver IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA215STRIXYS Integrated CircuitsGate Drivers MOSFET Driver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA215XCLARE
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA216CPClare1998
на замовлення 476 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA217
Код товару: 126473
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA217Littelfuse Inc.Description: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.26V
Technology: Optical Coupling
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: EN, IEC, TUV
Supplier Device Package: 8-DIP
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 2ms, 0.5ms
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 5 mA
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.02 грн
10+262.97 грн
50+209.47 грн
100+180.72 грн
250+163.77 грн
500+153.44 грн
1000+142.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA217IXYS Integrated CircuitsGate Drivers Dual Photovolatic MOSFET Driver
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA217IXYSCategory: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; DIP8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Case: DIP8
Number of channels: 2
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+285.40 грн
10+201.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA217Ixys CorporationOptocoupler Drive 1-CH 8-Pin DIP Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+383.82 грн
50+298.40 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA217SLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - FDA217S - Optokoppler, 2 Kanäle, DIP, Oberflächenmontage, 8 Pin(s), 3.75 kV
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA217SIXYS Integrated CircuitsGate Drivers Dual Photovolatic MOSFET Driver
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA217SLittelfuseOptocoupler Drive 2-CH 8-Pin DIP SMD Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+194.43 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA217SLittelfuseOptocoupler Drive 2-CH 8-Pin DIP SMD Tube
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+194.43 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA217SIxys CorporationOptocoupler Drive 2-CH 8-Pin DIP SMD Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+323.91 грн
50+290.64 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA217SLittelfuse Inc.Description: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD
Current - DC Forward (If) (Max): 5 mA
Number of Channels: 2
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 2ms, 0.5ms
Supplier Device Package: 8-SMD
Approval Agency: EN, IEC, TUV
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Technology: Optical Coupling
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.26V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Packaging: Tube
на замовлення 22678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.23 грн
10+275.35 грн
50+260.31 грн
100+211.71 грн
250+200.86 грн
500+180.23 грн
1000+149.51 грн
2500+142.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA217STRLittelfuseOptocoupler Drive 2-CH 8-Pin DIP SMD T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA217STRLittelfuse Inc.Description: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Technology: Optical Coupling
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.26V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - DC Forward (If) (Max): 5 mA
Number of Channels: 2
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 2ms, 0.5ms
Supplier Device Package: 8-SMD
Approval Agency: EN, IEC, TUV
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+171.10 грн
2000+156.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA217STRIXYS Integrated CircuitsGate Drivers Dual Photovolatic MOSFET Driver
на замовлення 18525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA217STRLittelfuse Inc.Description: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD
Current - DC Forward (If) (Max): 5 mA
Number of Channels: 2
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 2ms, 0.5ms
Supplier Device Package: 8-SMD
Approval Agency: EN, IEC, TUV
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Technology: Optical Coupling
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.26V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.50 грн
10+280.10 грн
25+264.81 грн
100+215.36 грн
250+204.32 грн
500+183.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N40FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.14 грн
10+205.28 грн
120+197.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N40FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 235W
Drain-source voltage: 400V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO3PN
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 0.19Ω
Drain current: 13.8A
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+263.72 грн
10+218.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N40FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+286.45 грн
120+279.85 грн
270+278.53 грн
510+255.86 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N40FonsemiMOSFETs 400V N-Channel
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N40FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N40FonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 23A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+366.04 грн
30+198.36 грн
60+179.98 грн
120+154.38 грн
510+131.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N40FONSEMIDescription: ONSEMI - FDA24N40F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 23 A, 0.15 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N40FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+312.95 грн
69+207.94 грн
120+203.87 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N40F
Код товару: 117173
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-3PN
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Idd, А: 23 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,19 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2280/46
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N40FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N50
Код товару: 152194
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N50onsemi / FairchildMOSFETs UniFET 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+189.10 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N50FonsemiMOSFETs N-Ch
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N50FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 96A
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+293.53 грн
10+231.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N50FonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 25 V
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.10 грн
30+202.89 грн
60+184.23 грн
120+158.15 грн
510+134.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N50F
Код товару: 162370
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA2712ONSEMIDescription: ONSEMI - FDA2712 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA2712FAIRCHILDFDA2712
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+1105.55 грн
100+1050.15 грн
500+994.76 грн
1000+905.82 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA2712Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 64A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10175 pF @ 25 V
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+748.23 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA2712FAIRCHILDFDA2712
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+1105.55 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA2712FAIRCHILDFDA2712
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+1105.55 грн
100+1050.15 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+494.75 грн
120+419.32 грн
270+378.27 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50onsemiMOSFETs UniFET 500V
на замовлення 1442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+382.94 грн
10+244.89 грн
30+208.82 грн
60+206.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50
Код товару: 85154
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDA28N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 28 A, 0.155 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 310W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
на замовлення 3277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5140 pF @ 25 V
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.29 грн
30+226.13 грн
60+205.72 грн
120+176.94 грн
510+152.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+316.81 грн
10+272.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50FONSEMIDescription: ONSEMI - FDA28N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 28 A, 0.14 ohm, TO-3PN
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 28
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50FonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5387 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50Fonsemi / FairchildMOSFETs 500V 28A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+316.81 грн
52+272.40 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA33N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 33A TO3PN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PN
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.44 грн
30+153.47 грн
120+131.55 грн
510+109.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA33N25onsemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA33N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+152.00 грн
10+146.72 грн
25+143.23 грн
100+129.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.