Продукція > FDS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 15 18 21 24 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступність_PRICE_WITHOUT_VAT
FDS4410A_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V,10A,SINGLE NCH LOGIC LEVEL POWER TRENCH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410NLFAIRCHILD
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4416FSC09+ SO-8
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4420FSC09+ SO-8
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4420AFSCSOP-8
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4425-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435onsemiMOSFETs SO-8 P-CH -30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435(LF)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+126.07 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 21520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+180.73 грн
500+163.01 грн
1000+150.02 грн
10000+128.71 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 P-CH -30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4435A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+107.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435A-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435ANL
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435A_NL
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+45.18 грн
387+36.64 грн
500+31.37 грн
1000+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZON-SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC FDS4435BZ-F085 FDS4435BZ TFDS4435bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+25.64 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.31 грн
500+24.68 грн
1000+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.91 грн
8+52.85 грн
10+46.04 грн
50+31.41 грн
100+26.84 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.52 грн
16+48.20 грн
100+38.16 грн
500+31.03 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZonsemiMOSFETs 30V.PCH POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.38 грн
10+48.98 грн
100+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZONS/FAIMOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 17212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.76 грн
50+51.06 грн
100+34.31 грн
500+24.68 грн
1000+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
на замовлення 43976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.89 грн
10+46.29 грн
100+30.30 грн
500+22.00 грн
1000+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ
Код товару: 45479
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
УКТЗЕД: 8504 40 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+52.94 грн
500+33.91 грн
2500+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.27 грн
5000+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ-F085onsemi / FairchildMOSFET 30V P-Chan PowerTrench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ-GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZNLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435FDS4435AFDS4435BZFAICHILD
на замовлення 329000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435NLFAIRCHILD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435_NLFAIRCHILD
на замовлення 450000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4450-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4463
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4463-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4463NLFAIRCHILD
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465ONS/FAIP-Channel 20V 13.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.07 грн
5000+43.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465ON-SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC FDS4465-F085 FDS4465 TFDS4465
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+72.34 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465onsemi / FairchildMOSFETs SO-8
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.78 грн
10+87.33 грн
100+54.12 грн
500+44.25 грн
1000+41.35 грн
2500+38.66 грн
5000+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4465 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
506+61.05 грн
Мінімальне замовлення: 506 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+138.71 грн
5+101.38 грн
10+88.91 грн
50+63.98 грн
100+62.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+115.62 грн
250+95.50 грн
500+75.16 грн
1000+71.93 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.20 грн
10+102.61 грн
100+69.78 грн
500+52.28 грн
1000+48.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET SO-8SNGLPCH20V/8V
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465-GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465-NLFDS
на замовлення 89000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465-PGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4465. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.5 A, 8500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.11 грн
10+84.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4465. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.5 A, 8500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465NLFAIRCHILD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465_F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465_NLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465_SN00187onsemiDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 13.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4467FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4467-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4467NLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4470 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 795 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+92.47 грн
169+84.09 грн
170+80.84 грн
173+73.24 грн
250+68.76 грн
500+67.21 грн
1000+65.67 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.5A; 2.5W; SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 12.5A
Drain-source voltage: 40V
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.28 грн
5+103.04 грн
25+91.41 грн
100+83.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V
на замовлення 6091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.13 грн
10+107.99 грн
100+85.97 грн
500+68.26 грн
1000+57.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4470 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.5 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+202.96 грн
10+153.03 грн
100+130.47 грн
500+97.22 грн
1000+80.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.92 грн
10+82.58 грн
25+81.89 грн
50+78.19 грн
100+71.40 грн
250+67.58 грн
500+66.62 грн
1000+65.67 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4470 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.5 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
на замовлення 5649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.37 грн
500+75.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+126.39 грн
500+113.82 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470onsemi / FairchildMOSFETs SO-8
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.88 грн
10+121.47 грн
25+93.89 грн
100+73.18 грн
250+68.69 грн
500+59.23 грн
1000+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470NLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470_Qonsemi / FairchildMOSFET SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
On-state resistance: 21mΩ
Drain current: 10.8A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 45A
Gate charge: 41nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2233 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+71.59 грн
8+58.50 грн
25+51.60 грн
100+46.37 грн
500+43.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480onsemiMOSFETs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480ONS/FAIMOSFET SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480-NLFAIRSOP8
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480NLFAIRCHILD
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480SNLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480_F095onsemi / FairchildArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480_NL
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480_Qonsemi / FairchildMOSFETs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4485FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+61.80 грн
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 15 18 21 24 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]