Продукція > GC2
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GC283 | COOPER INTERCONNECT | Description: COOPER INTERCONNECT - GC283 - Audio-/Video-Steckverbinder, DIN, 6 Kontakt(e), Stecker, Panelmontage, Lötanschluss tariffCode: 85366990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kontaktanschluss: Lötanschluss isCanonical: Y Ausführung: Stecker Steckverbindermontage: Panelmontage Anzahl der Kontakte: 6Kontakt(e) SVHC: Lead (21-Jan-2025) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Steckverbindermaterial: Metallgehäuse | на замовлення 1925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GC283-17N | Eaton | Conn Audio RCP Solder Cup ST Panel Mount 1 Port | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GC283-2 | Eaton | Conn Audio RCP Solder Cup ST Panel Mount 1 Port | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GC283-21 | Eaton | Conn Audio RCP Solder Cup ST Panel Mount 1 Port | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GC283-7TSR | Eaton | Conn Audio RCP Solder Cup ST Panel Mount 1 Port | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GC283-7TSR-2 | Eaton | Conn Audio RCP Solder Cup ST | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GC283-7TSR2 | Eaton | Conn Audio RCP Solder Cup ST | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GC2860011 | Diodes Incorporated | Crystals Crystal Metal Can 49S/SMD T&R 1K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GC2860011 | Diodes Incorporated | Description: CRYSTAL 28.6363MHZ 18PF Frequency: 28.6363 MHz ESR (Equivalent Series Resistance): 30 Ohms Operating Mode: Fundamental Frequency Tolerance: ±30ppm Frequency Stability: ±50ppm Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: MHz Crystal Load Capacitance: 18pF Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GC2860013 | Diodes Incorporated | Crystals Crystal Metal Can 49S/SMD T&R 1K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GC2860013 | Diodes Incorporated | Description: CRYSTAL 28.63636MHZ 16PF Frequency: 28.63636 MHz ESR (Equivalent Series Resistance): 40 Ohms Operating Mode: Fundamental Frequency Tolerance: ±30ppm Frequency Stability: ±30ppm Operating Temperature: -20°C ~ 70°C Type: MHz Crystal Load Capacitance: 16pF Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GC2X100MPS06-227 | GeneSiC SEMICONDUCTOR | Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 100Ax2; SOT227B; screw Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Load current: 100A x2 Semiconductor structure: double independent Features of semiconductor devices: MPS Case: SOT227B Max. forward voltage: 1.5V Max. load current: 200A Max. forward impulse current: 0.64kA Kind of package: tube Reverse recovery time: 10ns Type of semiconductor module: diode Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GC2X100MPS06-227 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 650V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GC2X100MPS06-227 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD SCHOT 650V 209A SOT227 Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 209A (DC) Diode Configuration: 2 Independent Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GC2X10MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A x2 Max. forward impulse current: 80A Case: TO247-3 Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.5V Max. load current: 20A Mounting: THT Features of semiconductor devices: MPS Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: common cathode; double | на замовлення 13 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GC2X10MPS12-247 | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 20A TO-247-3 | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GC2X10MPS12-247 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE ARR SIC 1200V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GC2X10MPS12-247 | GENESIC | Description: GENESIC - GC2X10MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 100 A, 80 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 80nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: MPS productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GC2X15MPS12-247 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE ARR SIC 1200V 75A TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 75A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GC2X15MPS12-247 | GENESIC | Description: GENESIC - GC2X15MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 150 A, 132 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 132nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150A SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: MPS productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GC2X15MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 15A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 120A Kind of package: tube Max. load current: 30A Features of semiconductor devices: MPS | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GC2X15MPS12-247 | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 30A TO-247-3 SiC Schottky MPS | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GC2X20MPS12-247 | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 40A TO-247-3 SiC Schottky MPS | на замовлення 132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GC2X20MPS12-247 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE ARR SIC 1200V 90A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 90A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GC2X50MPS06-227 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 650V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GC2X50MPS06-227 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD SCHOT 650V 104A SOT227 Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 104A (DC) Diode Configuration: 2 Independent Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GC2X50MPS06-227 | GeneSiC SEMICONDUCTOR | Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 50Ax2; SOT227B; screw Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Load current: 50A x2 Semiconductor structure: double independent Features of semiconductor devices: MPS Case: SOT227B Max. forward voltage: 1.5V Max. load current: 100A Max. forward impulse current: 0.32kA Kind of package: tube Reverse recovery time: 10ns Type of semiconductor module: diode Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GC2X5MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; tube Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 5A x2 Max. forward impulse current: 40A Case: TO247-3 Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.5V Max. load current: 10A Mounting: THT Features of semiconductor devices: MPS Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: common cathode; double | на замовлення 28 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GC2X5MPS12-247 | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode | на замовлення 141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GC2X5MPS12-247 | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GC2X5MPS12-247 | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-247-3 SiC Schottky MPS | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GC2X5MPS12-247 | GENESIC | Description: GENESIC - GC2X5MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 54 A, 44 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 44nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 54A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: MPS productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GC2X5MPS12-247 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE ARR SIC 1200V 27A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 27A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GC2X5MPS12-247 | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GC2X8MPS12-247 | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GC2X8MPS12-247 | GENESIC | Description: GENESIC - GC2X8MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 80 A, 66 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 66nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: MPS productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GC2X8MPS12-247 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE ARR SIC 1200V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GC2X8MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; tube Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 8A x2 Max. forward impulse current: 60A Case: TO247-3 Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.5V Max. load current: 16A Mounting: THT Features of semiconductor devices: MPS Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: common cathode; double | на замовлення 9 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|

