Продукція > IPW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 11.4A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V | на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099C6 Код товару: 186494
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPW60R099C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6 | на замовлення 84 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 37.9A Power dissipation: 278W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R099C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 278W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm | на замовлення 223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 230mOhm; 37,9A; 278W; -55°C ~ 150°C; IPW60R099C6 TIPW60r099c6 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 (TO-247, Infineon) MOSFET N-ch 600V/37,9A Код товару: 88983
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
|
| |||||||||||
| IPW60R099C7 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Supplier Device Package: PG-TO247 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099C7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V | на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 110W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 110W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPW60R099CM8XKSA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099CM8XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 29A; 176W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Drain-source voltage: 600V Drain current: 29A Power dissipation: 176W Case: TO247-3 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 31nC Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099CM8XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R099CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V Verlustleistung: 176W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm | на замовлення 132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099CP Код товару: 72969
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPW60R099CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP | на замовлення 429 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099CP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3-1 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099CPA | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | на замовлення 267 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099CPA | Infineon Technologies | Description: IPW60R099 - 600V-800V N-CHANNEL Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099CPAE8222XKSA1 | Infineon Technologies | IPW60R099CPAE8222XKSA1 | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 31A Power dissipation: 255W Case: TO247-3 On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 80nC Application: automotive industry | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R099CPAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 255W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm | на замовлення 294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 25920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R099CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 255W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm | на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 Код товару: 189155
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 31A Power dissipation: 255W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 40 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099P6 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | на замовлення 122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 37.9A Power dissipation: 278W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 252 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V | на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon | TO247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099P6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 278W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm | на замовлення 352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | на замовлення 1073 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099P7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099P7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099P7 | Infineon Technologies | Description: 600V, 0.099OHM, N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 117W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 117W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V | на замовлення 476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099ZH | Infineon Technologies | Description: IPW60R099 - 600V CoolMOS N-Chann Part Status: Obsolete Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099ZH | Infineon | на замовлення 706780 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPW60R099ZHXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R099ZHXKSA1 - IPW60R099 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 101 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R105CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R | на замовлення 2160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R105CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

