Продукція > IPW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 31A Power dissipation: 255W Case: TO247-3 On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 80nC Application: automotive industry | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R099CPAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | на замовлення 766 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 17520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 Код товару: 189155
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 31A Power dissipation: 255W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 26 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R099CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099P6 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon | TO247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R099P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 37.9A Power dissipation: 278W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 64 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099P6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | на замовлення 1207 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V | на замовлення 431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R099P7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R099P7 | Infineon Technologies | Description: 600V, 0.099OHM, N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R099P7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 117W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 117W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon | на замовлення 420 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW60R099ZH | Infineon | на замовлення 706780 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW60R099ZH | Infineon Technologies | Description: IPW60R099 - 600V CoolMOS N-Chann Part Status: Obsolete Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R099ZHXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R099ZHXKSA1 - IPW60R099 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 101 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R105CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R | на замовлення 2160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R105CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R105CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R105CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.089 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R105CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 191 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R105CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R105CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R105CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R120C7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R120CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPW60R120CM8XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.3A, 10V Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 400 V | на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R120CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R120CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor | на замовлення 1038 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R120CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R120CM8XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R120CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 131W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R120CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R120P7 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R120P7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R120P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 95W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Power dissipation: 95W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of channel: enhancement | на замовлення 45 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R125C6 Код товару: 182612
2
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Напруга сток-витік Uds, V: 650 V Струм стоку Idd, A: 30 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2127/96 Монтаж: THT | у наявності: 13 шт
|
| |||||||||||||
| IPW60R125C6 | Infineon technologies | на замовлення 27 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW60R125C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6 | на замовлення 181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R125C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R125C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R125C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R125C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R125C6FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R125C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 219W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm | на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R125C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6 | на замовлення 164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R125C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 219W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R125C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R125C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R125C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R125C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V | на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R125C6FKSA1 IPW60R125C6 | Infineon | MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R125CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 92W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm | на замовлення 113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

