Продукція > IPW

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPW60R099C6FKSA1 (TO-247, Infineon) MOSFET N-ch 600V/37,9A
Код товару: 88983
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
1+174.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099C7Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099C7Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+489.10 грн
30+269.46 грн
60+245.37 грн
120+211.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099C7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 110W; PG-TO247-3
Transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ C7
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+527.91 грн
30+296.04 грн
120+245.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CM8XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPW60R099CM8XKSA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.64 грн
30+208.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CM8XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW60R099CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 176W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CM8XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 29A; 176W; TO247-3
Transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 176W
Gate charge: 31nC
Technology: CoolMOS™
Drain current: 29A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Application: automotive industry
Gate-source voltage: 20V
Case: TO247-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+527.91 грн
48+296.04 грн
120+245.03 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CP
Код товару: 72969
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3-1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPAInfineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPAInfineon TechnologiesDescription: IPW60R099 - 600V-800V N-CHANNEL
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPAE8222XKSA1Infineon TechnologiesIPW60R099CPAE8222XKSA1
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+605.81 грн
100+575.17 грн
500+545.70 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPAFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+816.20 грн
10+504.98 грн
100+423.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPAFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+493.84 грн
100+469.09 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPAFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+493.84 грн
100+469.09 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPAFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+429.49 грн
480+380.46 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPAFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+429.49 грн
480+380.46 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPAFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPAFKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPAFKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW60R099CPAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 255W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPAFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+478.99 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPAFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+874.22 грн
28+517.18 грн
100+429.37 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPAFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+656.05 грн
30+369.97 грн
60+338.80 грн
120+293.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPAFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; TO247-3
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: TO247-3
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80nC
Application: automotive industry
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+593.38 грн
2+509.06 грн
5+442.81 грн
10+394.17 грн
20+375.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPAFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+437.64 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPAFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+872.23 грн
10+516.00 грн
100+428.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1
Код товару: 189155
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+460.42 грн
36+396.87 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW60R099CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 255W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+460.42 грн
30+396.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+649.78 грн
30+364.41 грн
60+333.29 грн
120+288.21 грн
510+248.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO247-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+521.12 грн
5+418.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+469.25 грн
30+404.37 грн
120+379.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+470.32 грн
35+405.30 грн
120+380.69 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P6Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+415.42 грн
30+225.76 грн
120+187.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 278W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P6
Drain current: 37.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO247-3
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+318.69 грн
10+243.21 грн
20+211.34 грн
30+194.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+586.39 грн
43+330.74 грн
120+274.56 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.35 грн
30+215.37 грн
120+198.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+233.15 грн
67+214.26 грн
120+197.31 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P6XKSA1InfineonTO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+586.39 грн
30+330.74 грн
120+274.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P7Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+549.26 грн
27+525.66 грн
50+505.63 грн
100+471.03 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P7Infineon TechnologiesDescription: 600V, 0.099OHM, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.88 грн
30+218.18 грн
120+180.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+551.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+562.46 грн
45+316.55 грн
120+262.46 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P7XKSA1Infineon
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+565.36 грн
30+318.18 грн
120+263.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.61 грн
30+205.89 грн
120+204.92 грн
510+195.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+208.61 грн
69+205.89 грн
120+204.92 грн
510+195.64 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P7XKSA1InfineonMOSFET N-CH 600V 31A TO247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099ZHInfineon
на замовлення 706780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099ZHInfineon TechnologiesDescription: IPW60R099 - 600V CoolMOS N-Chann
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099ZHXKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R099ZHXKSA1 - IPW60R099 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R105CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R105CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R105CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+334.56 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R105CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+415.82 грн
50+351.70 грн
100+295.13 грн
200+271.14 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R105CFD7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW60R105CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.089 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R105CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R105CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120C7Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.56 грн
30+211.11 грн
120+175.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120CM8XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW60R120CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 131W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+288.24 грн
76+187.45 грн
120+159.07 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+288.24 грн
30+187.45 грн
120+159.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120CM8XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPW60R120CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 400 V
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.44 грн
30+152.84 грн
120+125.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120P7Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]