Продукція > IRL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRL3303HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303LPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 38A 26mOhm 17.3nC LogLvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 34A 17.3nC 26mOhm LogLvAB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303PBFIR
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303SHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303SPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 38A 26mOhm 17.3nC LogLvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303STRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303STRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 51A, 7V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 85A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 51A, 7V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402LVishay / SiliconixMOSFET Discrete Semiconductor Products
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402LInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402PBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 52nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 51A, 7V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 51A, 7V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402SPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402STRLPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402STRRPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502LInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502LVishay / SiliconixMOSFET Discrete Semiconductor Products
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 110A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 8mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502PBFInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 20V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+319.64 грн
25+182.92 грн
100+128.23 грн
500+119.11 грн
1000+106.08 грн
2500+98.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502SHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502SPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 73.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502STRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502STRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502STRRPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 73.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NInternational RectifierHEXFET Power MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705n
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NL
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NLPBF
Код товару: 28463
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-262
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 89 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,01 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3600/98
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+45.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBF
Код товару: 24017
7 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 89 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,01 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3600/98
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 214 шт
  • 75 шт - склад
  • 26 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 63 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 6 шт
  • 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+30.00 грн
10+27.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+193.17 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 6964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.47 грн
10+99.56 грн
50+75.31 грн
100+63.33 грн
500+50.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3705NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+220.55 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+70.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+193.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
388+91.35 грн
500+82.21 грн
1000+75.82 грн
10000+65.18 грн
Мінімальне замовлення: 388 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+166.18 грн
10+83.03 грн
25+72.12 грн
50+69.61 грн
100+66.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 77A 65.3nC 10mOhm LogLvAB
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBF/IRIR08+;
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NS
Код товару: 37577
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSIRL3705NS Транзисторы HEXFET
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSPBFInternational RectifierD2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSPBFInfineonIRL3705NSPBF D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+233.08 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 89A 10mOhm 65.3nC LogLvl
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+103.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705PBFIRTO-220AB
на замовлення 4939 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705Z
Код товару: 99526
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 75 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 8 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2880/40
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+23.50 грн
10+21.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log Lvl
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.