Продукція > IRL

Description: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3303D1STRLHR

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3303D1STRLPBF

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3303D1STRR

Vishay / Siliconix

MOSFET Discrete Semiconductor Products

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3303D1STRR

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3303D1STRR

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3303HR

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3303L

Description: MOSFET N-CH 30V 38A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3303LPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 38A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3303LPBF

MOSFET MOSFT 30V 38A 26mOhm 17.3nC LogLvl

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3303PBF

MOSFET MOSFT 30V 34A 17.3nC 26mOhm LogLvAB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3303PBF

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRL3303PBF

Description: MOSFET N-CH 30V 38A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3303S

Description: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3303S

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRL3303SHR

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3303SPBF

MOSFET MOSFT 30V 38A 26mOhm 17.3nC LogLvl

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3303SPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3303STRL

Description: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3303STRLHR

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3303STRLPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3303STRR

Description: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3303STRRHR

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3303STRRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3402

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRL3402

Description: MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 51A, 7V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 50 шт

В кошику од. на суму грн.

IRL3402HR

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3402L

Vishay / Siliconix

MOSFET Discrete Semiconductor Products

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3402L

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 85A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 51A, 7V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 300 шт

В кошику од. на суму грн.

IRL3402L

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3402PBF

Description: MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 51A, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3402PBF

MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 52nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3402S

07+ TO-263

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRL3402S

Description: MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 51A, 7V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 250 шт

В кошику од. на суму грн.

IRL3402SPBF

Description: MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3402SPBF

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3402STRL

Description: MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3402STRLPBF

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3402STRLPBF

Description: MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3402STRR

Description: MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3402STRRPBF

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3502

Description: MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 50 шт

В кошику од. на суму грн.

IRL3502

на замовлення 72500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRL3502HR

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3502L

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 110A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 250 шт

В кошику од. на суму грн.

IRL3502L

Vishay / Siliconix

MOSFET Discrete Semiconductor Products

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3502L

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3502PBF

Trans MOSFET N-CH 20V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

на замовлення 4206 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	319.64 грн
25+	182.92 грн
100+	128.23 грн
500+	119.11 грн
1000+	106.08 грн
2500+	98.60 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IRL3502PBF

MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 8mOhms

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3502PBF

Description: MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3502S

TO-263

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRL3502S

Description: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 50 шт

В кошику од. на суму грн.

IRL3502SHR

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3502SPBF

MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 73.3nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3502SPBF

Description: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3502STRLHR

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3502STRLPBF

Description: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3502STRR

Description: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3502STRRHR

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3502STRRPBF

MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 73.3nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3502STRRPBF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3705

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRL3705N

Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705n
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 94 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	52.91 грн

Мінімальне замовлення: 20 шт

В кошику од. на суму грн.

IRL3705N

HEXFET Power MOSFET Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NL

Description: MOSFET N-CH 55V 89A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 50 шт

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NL

на замовлення 1222 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NLPBF
Код товару: 28463

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-262
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 89 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 3600/98
Монтаж: THT

товару немає в наявності

1+	45.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NLPBF

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 350 шт

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NPBF

Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 415 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	217.24 грн
10+	151.08 грн
100+	110.75 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NPBF

Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NPBF

TO-220AB Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NPBF

Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 4883 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	256.35 грн
10+	166.46 грн
100+	117.29 грн
500+	91.32 грн
1000+	74.93 грн
2000+	71.01 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NPBF

INFINEON

Description: INFINEON - IRL3705NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm

на замовлення 349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	230.85 грн
10+	147.12 грн
100+	102.42 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NPBF

Description: MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

на замовлення 2545 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	192.03 грн
10+	119.48 грн
100+	81.94 грн
500+	61.82 грн
1000+	56.97 грн
2000+	52.90 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NPBF

Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 415 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

66+	217.24 грн
94+	151.08 грн
128+	110.75 грн

Мінімальне замовлення: 66 шт

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NPBF

Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NPBF

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 65.3nC
On-state resistance: 10mΩ

на замовлення 1575 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

3+	179.73 грн
10+	108.19 грн
25+	95.61 грн
50+	87.22 грн
100+	78.83 грн
250+	69.61 грн
500+	63.74 грн
1000+	57.87 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NPBF

MOSFETs MOSFT 55V 77A 65.3nC 10mOhm LogLvAB

на замовлення 2891 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NPBF

Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	82.70 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NPBF
Код товару: 24017

4 Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 89 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 3600/98
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT

у наявності: 282 шт

195 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
67 шт - РАДІОМАГ-Львів

1+	30.00 грн
10+	27.40 грн

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NPBF

Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 4873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

86+	166.08 грн
121+	117.01 грн
500+	94.50 грн
1000+	80.74 грн
2000+	73.80 грн

Мінімальне замовлення: 86 шт

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NPBF/IR

08+;

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NS

Description: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 200 шт

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NS

IRL3705NS Транзисторы HEXFET

на замовлення 1019 шт:

термін постачання 4 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NS
Код товару: 37577

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NSPBF

D2PAK Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NSPBF

Description: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NSPBF

Infineon

D2PAK Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NSTRL

Description: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NSTRLPBF

INFINEON

Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	208.90 грн
10+	197.52 грн
50+	146.31 грн
100+	115.48 грн
250+	92.66 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NSTRLPBF

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NSTRLPBF

MOSFETs MOSFT 55V 89A 10mOhm 65.3nC LogLvl

на замовлення 822 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NSTRLPBF

Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

61+	233.34 грн
100+	179.85 грн

Мінімальне замовлення: 61 шт

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NSTRLPBF

INFINEON

Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	115.48 грн
250+	92.66 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NSTRLPBF

Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NSTRLPBF

Description: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NSTRLPBF

Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	233.36 грн
10+	233.34 грн
100+	179.85 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IRL3705NSTRR