Продукція > NSB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NSBA143EDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA143EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 45500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA143EF3T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-1123 PBRT TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA143EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 456000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA143EF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA143EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 304000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA143EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 152000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA143EF3T5G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 297mW; SOT1123; R1: 4.7kΩ Case: SOT1123 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: PNP Collector current: 0.1A Power dissipation: 297mW Current gain: 15...27 Collector-emitter voltage: 50V Quantity in set/package: 8000pcs. Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA143EMXWTBG | onsemi | Digital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3 | на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA143EMXWTBG | onsemi | Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT) Packaging: Bulk Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 450 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA143TDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA143TDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA143TDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA143TDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA143TDXV6T1 | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NSBA143TDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA143TDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual PNP | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA143TDXV6T1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 500mW; SOT563; 4.7kΩ Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: PNP x2 Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.5W Current gain: 160...250 Collector-emitter voltage: 50V Quantity in set/package: 4000pcs. Base resistor: 4.7kΩ Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA143TDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA143TDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA143TDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA143TDXV6T5 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA143TDXV6T5 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 56000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA143TDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 56000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA143TDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 104000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA143TDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA143TDXV6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA143TF3T5G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 297mW; SOT1123; 4.7kΩ Case: SOT1123 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: PNP Collector current: 0.1A Power dissipation: 297mW Current gain: 160...250 Collector-emitter voltage: 50V Quantity in set/package: 8000pcs. Base resistor: 4.7kΩ Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA143TF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 150580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA143TF3T5G | onsemi | Digital Transistors PNP DIGITAL TRANSISTOR (BRT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA143TF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA143TF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA143TF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA143TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 364271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA143ZDP6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA143ZDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 408mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 160000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA143ZDP6T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA143ZDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 160000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA143ZDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 408mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA143ZDXV6 | Rochester Electronics, LLC | Description: DUAL PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSIS | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA143ZDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA143ZDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 43990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA143ZDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA143ZDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 43990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA143ZDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 162500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA143ZDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA143ZDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 162500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA143ZDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors Dual PNP Bipolar Digital Transistor (BRT) | на замовлення 3841 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA143ZDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA143ZDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA143ZF3 | onsemi | onsemi SOT-1123 PBRT TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA143ZF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 624000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA143ZF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA143ZF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 624000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA143ZF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA143ZF3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR | на замовлення 7876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA144EDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 408mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA144EDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA144EDP6T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-963 DUAL PBRT | на замовлення 9714 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA144EDP6T5G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 269mW; SOT963; R1: 47kΩ Case: SOT963 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: PNP x2 Collector current: 0.1A Power dissipation: 269mW Current gain: 80...140 Collector-emitter voltage: 50V Quantity in set/package: 8000pcs. Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA144EDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 408mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA144EDP6T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA144EDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 449603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA144EDXV6T1 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NSBA144EDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA144EDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA144EDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased Power - Max: 357mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA144EDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA144EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA144EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA144EDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA144EDXV6T1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 500mW; SOT563; R1: 47kΩ Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: PNP x2 Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.5W Current gain: 80...140 Collector-emitter voltage: 50V Quantity in set/package: 4000pcs. Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA144EDXV6T1G | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA144EDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA144EDXV6T5 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA144EDXV6T5 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA144EDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 357mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhm Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm Supplier Device Package: SOT-563 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA144EDXV6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA144EDXV6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR TR | на замовлення 6964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA144EDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 357mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhm Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm Supplier Device Package: SOT-563 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA144EF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA144EF3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 867833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA144EF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 16000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA144EF3T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRNSTR | на замовлення 7950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA144EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA144EMXWTBG | onsemi | Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT) Packaging: Bulk Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 450 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA144EMXWTBG | onsemi | Digital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3 | на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA144TF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA144TF3T5G | onsemi | Digital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA144TF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA144TF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA144TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA144TF3T5G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 297mW; SOT1123; 47kΩ Case: SOT1123 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: PNP Collector current: 0.1A Power dissipation: 297mW Current gain: 120...250 Collector-emitter voltage: 50V Quantity in set/package: 8000pcs. Base resistor: 47kΩ Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA144WDP6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA144WDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 408mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA144WDP6T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA144WDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA144WDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 408mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA144WDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA144WDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA144WDXV6T1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 500mW; SOT563; R1: 47kΩ Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: PNP x2 Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.5W Current gain: 80...140 Collector-emitter voltage: 50V Quantity in set/package: 4000pcs. Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA144WDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors SOT-563 DUAL 47/22 K OHM | на замовлення 3679 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA144WDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA144WF3T5G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 297mW; SOT1123; R1: 47kΩ Case: SOT1123 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: PNP Collector current: 0.1A Power dissipation: 297mW Current gain: 80...140 Collector-emitter voltage: 50V Quantity in set/package: 8000pcs. Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA144WF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 288000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBA144WF3T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-1123 PBRT TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA144WF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBA144WF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA144WF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 296000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC113EDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Supplier Device Package: SOT-563 Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms Resistor - Base (R1): 1kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 500mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC113EDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC113EDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC113EDXV6T1 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NSBC113EDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Supplier Device Package: SOT-563 Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms Resistor - Base (R1): 1kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 500mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Bulk | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC113EDXV6T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC113EDXV6T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC113EDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistor | на замовлення 2838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC113EDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC113EF3T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR (B | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

