Продукція > NTP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTP53121G0JHKZNXP SemiconductorsNFC/RFID Tag and Transponder IC 13560kHz 2KByte 16-Pin XQFN T/R
на замовлення 11169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+68.91 грн
12+68.12 грн
25+67.35 грн
100+64.19 грн
250+58.74 грн
500+55.73 грн
1000+55.05 грн
3000+54.38 грн
6000+53.72 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53121G0JHKZNXP USA Inc.Description: RFID NTAG5 XQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-XFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 13.56MHz
Interface: I2C
Type: RFID Reader
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.62V ~ 5.5V
Standards: ISO 15693, NFC
Supplier Device Package: 16-XQFN (1.8x2.6)
Part Status: Active
Size / Dimension: 0.071" L x 0.102" W (1.80mm x 2.60mm)
Memory Type: Read/Write
Writable Memory: 16kb (User)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+58.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53121G0JTTZNXP USA Inc.Description: NTAG
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53121G0JTTZNXP SemiconductorsNFC/RFID Tag and Transponder IC 13560kHz 2KByte 16-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53121G0JTTZNXP SemiconductorsInterface - Specialised NTAG 5 link
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53121G0JTTZNXP SemiconductorsNFC/RFID Tag and Transponder IC 13560kHz 2KByte 16-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53121G0JTTZNXP USA Inc.Description: NTAG
на замовлення 3294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.92 грн
10+98.88 грн
25+93.32 грн
100+80.37 грн
250+76.06 грн
500+73.00 грн
1000+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53121G0JTZNXP SemiconductorsInterface - Specialised NTAG 5 link
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53121G0JTZNXP USA Inc.Description: NTAG
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53121G0JTZNXPDescription: NXP - NTP53121G0JTZ - NFC-Tag, NTAG 5 Link, I2C, 1.62-5.5V Versorgung, -40-105°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Programmierbarer Speicher: 2kB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
HF-Primärfunktion: NFC-Tag
Frequenz, min.: 13.553MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.62V
Stromverbrauch: 138µA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RFID-IC-Typ: Lesen, Schreiben
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Frequenz, max.: 13.567MHz
Normen / Standards: ISO/IEC 15693
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53121G0JTZNXP SemiconductorsNFC/RFID Tag and Transponder IC 13560kHz 2KByte 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53121G0JTZNXP SemiconductorsNFC/RFID Tag and Transponder IC 13560kHz 2KByte 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53121G0JTZNXP USA Inc.Description: NTAG
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.92 грн
10+98.88 грн
25+93.32 грн
100+80.37 грн
250+76.06 грн
500+73.00 грн
1000+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53121G0JTZ.NXPDescription: NXP - NTP53121G0JTZ. - RFID, READ/WRITE, 13.56MHZ, SOIC-8
tariffCode: 0
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
RF Primary Function: NFC Tag
Programmierbarer Speicher: 2KB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Frequenz, min.: 13.553MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.62V
Stromverbrauch: 138µA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
RFID-IC-Typ: Read, Write
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsleistung: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Frequenz, max.: 13.567MHz
Normen / Standards: ISO/IEC 15693
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 105°C
directShipCharge: 25
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53121G0JUAVNXP USA Inc.Description: NTAG
Packaging: Bulk
Frequency: 13.56MHz
Memory Type: Read/Write
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Standards: ISO 15693, NFC
Writable Memory: 16kb (User)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53321G0JHKNXP USA Inc.Description: RFID NTAG5 XQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Size / Dimension: 0.071" L x 0.102" W (1.80mm x 2.60mm)
Frequency: 13.56MHz
Memory Type: Read/Write
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Standards: ISO 15693, NFC
Writable Memory: 16kb (User)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53321G0JHKNXP USA Inc.Description: RFID NTAG5 XQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Size / Dimension: 0.071" L x 0.102" W (1.80mm x 2.60mm)
Frequency: 13.56MHz
Memory Type: Read/Write
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Standards: ISO 15693, NFC
Writable Memory: 16kb (User)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53321G0JHKZNXP SemiconductorsNFC/RFID Tag and Transponder IC 13560kHz 2KByte 16-Pin XQFN T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+68.00 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53321G0JHKZNXPDescription: NXP - NTP53321G0JHKZ - RFID, NTAG 5 Link, AES, 2kB, 13.553MHz bis 13.567MHz, XQFN-16
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: XQFN
Programmierbarer Speicher: 2kB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: XQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 13.553MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.62V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
RFID-IC-Typ: Lesen, Schreiben
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Frequenz, max.: 13.567MHz
Normen / Standards: ISO/IEC 15693
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 3544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53321G0JHKZNXP SemiconductorsNFC/RFID Tag and Transponder IC 13560kHz 2KByte 16-Pin XQFN T/R
на замовлення 5896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
421+84.10 грн
500+80.51 грн
1000+76.04 грн
Мінімальне замовлення: 421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53321G0JHKZNXP USA Inc.Description: NTAG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-XFQFN
Size / Dimension: 0.071" L x 0.102" W (1.80mm x 2.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 13.56MHz
Memory Type: Read/Write
Interface: I2C
Type: RFID Reader
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.62V ~ 5.5V
Standards: ISO 15693, NFC
Supplier Device Package: 16-XQFN (1.8x2.6)
Writable Memory: 16kb (User)
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+60.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53321G0JHKZNXP SemiconductorsNFC/RFID Tag and Transponder IC 13560kHz 2KByte 16-Pin XQFN T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+68.00 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53321G0JHKZ
Код товару: 206989
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53321G0JHKZNXPDescription: NXP - NTP53321G0JHKZ - RFID, NTAG 5 Link, AES, 2kB, 13.553MHz bis 13.567MHz, XQFN-16
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: XQFN
Programmierbarer Speicher: 2kB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: XQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 13.553MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.62V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
RFID-IC-Typ: Lesen, Schreiben
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Frequenz, max.: 13.567MHz
Normen / Standards: ISO/IEC 15693
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 3544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53321G0JHKZNXP SemiconductorsNFC/RFID Tag and Transponder IC 13560kHz 2KByte 16-Pin XQFN T/R
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+94.65 грн
169+84.04 грн
187+75.79 грн
200+70.92 грн
500+65.25 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53321G0JHKZNXP SemiconductorsInterface - Specialised NTAG 5 link with AES
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53321G0JHKZNXP SemiconductorsNFC/RFID Tag and Transponder IC 13560kHz 2KByte 16-Pin XQFN T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
421+84.10 грн
500+80.51 грн
1000+76.04 грн
Мінімальне замовлення: 421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53321G0JHKZNXP USA Inc.Description: NTAG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-XFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 13.56MHz
Interface: I2C
Type: RFID Reader
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.62V ~ 5.5V
Standards: ISO 15693, NFC
Supplier Device Package: 16-XQFN (1.8x2.6)
Part Status: Active
Size / Dimension: 0.071" L x 0.102" W (1.80mm x 2.60mm)
Memory Type: Read/Write
Writable Memory: 16kb (User)
на замовлення 4004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.06 грн
10+86.65 грн
25+78.74 грн
100+65.73 грн
250+61.84 грн
500+59.50 грн
1000+56.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53321G0JTTZNXP SemiconductorsNFC/RFID Tag and Transponder IC 13560kHz 2KByte 16-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53321G0JTTZNXP USA Inc.Description: NTAG
на замовлення 6825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.41 грн
10+88.54 грн
25+80.40 грн
100+67.14 грн
250+63.16 грн
500+60.77 грн
1000+57.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53321G0JTTZNXP SemiconductorsInterface - Specialised NTAG 5 link with AES
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53321G0JTTZNXP USA Inc.Description: NTAG
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.76 грн
5000+59.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53321G0JTZNXP SemiconductorsInterface - Specialised The factory is currently not accepting orders for this part.
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53321G0JTZNXP SemiconductorsNFC/RFID Tag and Transponder IC 13560kHz 2KByte 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53321G0JTZNXP USA Inc.Description: NTAG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 13.56MHz
Interface: I2C
Type: RFID Reader
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.62V ~ 5.5V
Standards: ISO 15693, NFC
Supplier Device Package: 8-SO
Size / Dimension: 0.154" L x 0.193" W (3.90mm x 4.90mm)
Memory Type: Read/Write
Writable Memory: 16kb (User)
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.73 грн
10+90.80 грн
25+85.71 грн
100+73.80 грн
250+69.82 грн
500+67.02 грн
1000+63.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53321G0JTZNXP SemiconductorsNFC/RFID Tag and Transponder IC 13560kHz 2KByte 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53321G0JTZNXP USA Inc.Description: NTAG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 13.56MHz
Interface: I2C
Type: RFID Reader
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.62V ~ 5.5V
Standards: ISO 15693, NFC
Supplier Device Package: 8-SO
Size / Dimension: 0.154" L x 0.193" W (3.90mm x 4.90mm)
Memory Type: Read/Write
Writable Memory: 16kb (User)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53321G0JTZNXPDescription: NXP - NTP53321G0JTZ - NFC-Tag, NTAG 5 Link, I2C, 1.62-5.5V Versorgung, -40-105°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Programmierbarer Speicher: 2kB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
HF-Primärfunktion: NFC-Tag
Frequenz, min.: 13.553MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.62V
Stromverbrauch: 138µA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RFID-IC-Typ: Lesen, Schreiben
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Frequenz, max.: 13.567MHz
Normen / Standards: ISO/IEC 15693
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP53321G0JTZ.NXPDescription: NXP - NTP53321G0JTZ. - RFID, READ/WRITE, 13.56MHZ, SOIC-8
tariffCode: 0
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
RF Primary Function: NFC Tag
Programmierbarer Speicher: 2KB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Frequenz, min.: 13.553MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.62V
Stromverbrauch: 138µA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
RFID-IC-Typ: Read, Write
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsleistung: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Frequenz, max.: 13.567MHz
Normen / Standards: ISO/IEC 15693
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 105°C
directShipCharge: 25
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5404NRGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+156.76 грн
1000+148.51 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5404NRGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/167A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 167A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 32 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5404NRGonsemiMOSFETs NFET TO220 40V 136A 3.5mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5404NRGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+156.76 грн
1000+148.51 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5404NRGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/167A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 167A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 32 V
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+126.79 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5404NRGONSEMIDescription: ONSEMI - NTP5404NRG - NTP5404NRG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5411NGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5411NG
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5412NGONSEMIDescription: ONSEMI - NTP5412NG - NTP5412NG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5412NGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 0 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5426NGONSEMIDescription: ONSEMI - NTP5426NG - NTP5426NG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 32464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5426NGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
на замовлення 38714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+121.02 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5426NGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5860NGON SemiconductorMOSFET NFET TO220 60V 2.5A 300
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5860NGonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 60
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 5926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+193.92 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5860NGONSEMIDescription: ONSEMI - NTP5860NG - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5860NLGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 220A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+66.00 грн
289+49.03 грн
500+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5860NLGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 220A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5860NLGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 220A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.72 грн
25+66.00 грн
100+49.03 грн
500+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5862NGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+137.90 грн
500+123.76 грн
1000+114.46 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5862NGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 98A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5862NGONSEMIDescription: ONSEMI - NTP5862NG - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5862NGonsemiMOSFETs 60V T2 TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5862NGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 98A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+73.92 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5862NGON SemiconductorMOSFET 60V T2 TO220
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5863NGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5864NGON SemiconductorMOSFET NFETSO8FL60V17A39M OHM
на замовлення 8759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5864NGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 63A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5D0N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 15A/139A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 97A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 532µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 75 V
на замовлення 93697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.93 грн
50+185.04 грн
100+179.19 грн
500+153.01 грн
1000+148.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5D0N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 63200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+222.25 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5D0N15MCONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 139A; Idm: 818A; 214W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 139A
Pulsed drain current: 818A
Power dissipation: 214W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5D0N15MCOn SemiconductorMOSFET N-CH 150V 15A/139A TO-220 Транзистори
на замовлення 7 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5D0N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP5D0N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTP5D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 5000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP60N06
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP60N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP60N06onsemiMOSFETs 60V 60A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP60N06GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP60N06GonsemiMOSFETs 60V 60A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP60N06G
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP60N06L
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP60N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3075 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP60N06LonsemiMOSFET 60V 60A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP60N06LG
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP60N06LGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3075 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP60N06LGonsemiMOSFET 60V 60A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP6410ANGONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 76A; Idm: 305A; 188W; TO220-3
Mounting: THT
Pulsed drain current: 305A
Power dissipation: 188W
Gate charge: 0.12µC
Polarisation: unipolar
Drain current: 76A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220-3
On-state resistance: 13mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP6410ANGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.88 грн
10+201.07 грн
50+156.80 грн
100+133.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP6410ANGON SemiconductorMOSFET NFET TO220 100V 76A 13MOH
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP6411ANGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 77A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 72A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP6412ANGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 58A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.58 грн
10+128.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP6412ANGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP6412ANGONSEMIDescription: ONSEMI - NTP6412ANG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0168 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP6412ANGonsemiMOSFETs NFET TO220 100V 72A
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP6412ANGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP6412ANGONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; Idm: 240A; 167W; TO220-3
On-state resistance: 18.2mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 167W
Gate charge: 73nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 58A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220-3
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+190.57 грн
10+109.86 грн
50+88.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP6412ANGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.82 грн
10+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP6413ANGONSEMIDescription: ONSEMI - NTP6413ANG - POWER MOSFET 100V 42A, SINGLE N-CHANNEL
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP6413ANGonsemiMOSFET NFET TO220 100V 42A 28MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP6413ANGonsemiDescription: POWER MOSFET 100V 42A, SINGLE N-
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+74.51 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP6448ANGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 76A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.